الترانزستورات - FETs ، MOSFETs - صفائف

FDMA1028NZ-F021

جزء الأسهم: 89

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ميزة FET: Logic Level Gate, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 3.7A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 68 mOhm @ 3.7A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,

NTLUD4C26NTBG

جزء الأسهم: 107408

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ميزة FET: Standard, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 9.1A (Ta), Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 21 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA,

NTUD3174NZT5G

جزء الأسهم: 123413

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ميزة FET: Standard, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 220mA (Ta), Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 1.5 Ohm @ 100mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA,

FDMD8240LET40

جزء الأسهم: 53084

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ميزة FET: Standard, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 40V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 24A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 2.6 mOhm @ 23A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

NTLJD3119CTBG

جزء الأسهم: 189185

نوع FET: N and P-Channel, ميزة FET: Logic Level Gate, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 2.6A, 2.3A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 65 mOhm @ 3.8A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

NTUD3169CZT5G

جزء الأسهم: 116437

نوع FET: N and P-Channel, ميزة FET: Logic Level Gate, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 220mA, 200mA, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 1.5 Ohm @ 100mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

FQS4900TF

جزء الأسهم: 117878

نوع FET: N and P-Channel, ميزة FET: Standard, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, 300V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 1.3A, 300mA, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 550 mOhm @ 650mA, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.95V @ 20mA,

NVMFD5C668NLT1G

جزء الأسهم: 46

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ميزة FET: Standard, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 15.5A (Ta), 68A (Tc), Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 6.5 mOhm @ 20A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 50µA,

FDMS3660AS

جزء الأسهم: 111729

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ميزة FET: Logic Level Gate, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 13A, 30A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 8 mOhm @ 13A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA,

ECH8690-TL-H

جزء الأسهم: 156738

نوع FET: N and P-Channel, ميزة FET: Logic Level Gate, 4V Drive, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 4.7A, 3.5A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 55 mOhm @ 2A, 10V,

NTMD6N03R2G

جزء الأسهم: 188884

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ميزة FET: Logic Level Gate, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 6A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 32 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

ECH8657-TL-H

جزء الأسهم: 165958

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ميزة FET: Logic Level Gate, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 35V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 4.5A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 59 mOhm @ 2A, 10V,

NVMFD5C466NWFT1G

جزء الأسهم: 175

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ميزة FET: Standard, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 40V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 14A (Ta), 49A (Tc), Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 8.1 mOhm @ 15A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA,

NTZD3158PT1G

جزء الأسهم: 177029

نوع FET: 2 P-Channel (Dual), ميزة FET: Standard, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 430mA, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 900 mOhm @ 430mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

FDMS3600AS

جزء الأسهم: 89370

نوع FET: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, ميزة FET: Logic Level Gate, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 25V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 15A, 30A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 5.6 mOhm @ 15A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA,

ECH8668-TL-H

جزء الأسهم: 150790

نوع FET: N and P-Channel, ميزة FET: Logic Level Gate, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 7.5A, 5A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 17 mOhm @ 4A, 4.5V,

NVMD4N03R2G

جزء الأسهم: 187212

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ميزة FET: Logic Level Gate, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 4A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 60 mOhm @ 4A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

FDMA1023PZ-F106

جزء الأسهم: 63

نوع FET: 2 P-Channel (Dual), ميزة FET: Standard, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 3.7A (Ta), Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 72 mOhm @ 3.7A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

NTMD3P03R2G

جزء الأسهم: 172029

نوع FET: 2 P-Channel (Dual), ميزة FET: Logic Level Gate, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 2.34A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 85 mOhm @ 3.05A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

FDD3510H

جزء الأسهم: 147680

نوع FET: N and P-Channel, Common Drain, ميزة FET: Logic Level Gate, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 80V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 4.3A, 2.8A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 80 mOhm @ 4.3A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA,

FDS6900AS

جزء الأسهم: 159056

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ميزة FET: Logic Level Gate, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 6.9A, 8.2A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 27 mOhm @ 6.9A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

FDS6898A

جزء الأسهم: 128074

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ميزة FET: Logic Level Gate, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 9.4A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 14 mOhm @ 9.4A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,

FDMB3900AN

جزء الأسهم: 118545

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ميزة FET: Logic Level Gate, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 25V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 7A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 23 mOhm @ 7A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

FDS6875

جزء الأسهم: 133470

نوع FET: 2 P-Channel (Dual), ميزة FET: Logic Level Gate, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 6A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 30 mOhm @ 6A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,

MCH6663-TL-W

جزء الأسهم: 154760

نوع FET: N and P-Channel, ميزة FET: Logic Level Gate, 4V Drive, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 1.8A, 1.5A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 188 mOhm @ 900mA, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA,

FDS6912A

جزء الأسهم: 171009

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ميزة FET: Logic Level Gate, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 6A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 28 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

FDMD86100

جزء الأسهم: 131

نوع FET: 2 N-Channel (Dual) Common Source, ميزة FET: Standard, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 100V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 10A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 10.5 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA,

NTLLD4951NFTWG

جزء الأسهم: 61646

نوع FET: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, ميزة FET: Standard, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 5.5A, 6.3A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 17.4 mOhm @ 9A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA,

FDS6986AS

جزء الأسهم: 190163

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ميزة FET: Logic Level Gate, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 6.5A, 7.9A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 29 mOhm @ 6.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

NVMFD5C446NT1G

جزء الأسهم: 62

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ميزة FET: Standard, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 40V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 24A (Ta), 127A (Tc), Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 2.9 mOhm @ 30A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA,

VEC2616-TL-W

جزء الأسهم: 195236

نوع FET: N and P-Channel, ميزة FET: Logic Level Gate, 4V Drive, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 3A, 2.5A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 80 mOhm @ 1.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA,

FDPC8014S

جزء الأسهم: 59646

نوع FET: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, ميزة FET: Logic Level Gate, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 25V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 20A, 41A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 3.8 mOhm @ 20A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

EFC8822R-X-TF

جزء الأسهم: 2926

MCH6606-TL-EX

جزء الأسهم: 3025

NTMFD4901NFT3G

جزء الأسهم: 74945

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), Schottky, ميزة FET: Logic Level Gate, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 10.3A, 17.9A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 6.5 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA,

NTMFD5C674NLT1G

جزء الأسهم: 6527

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ميزة FET: Standard, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 11A (Ta), 42A (Tc), Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 14.4 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 25µA,