الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - صفائف

MC1413DG

جزء الأسهم: 130824

نوع الترانزستور: 7 NPN Darlington, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 500mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 1000 @ 350mA, 2V,

NSVT45010MW6T3G

جزء الأسهم: 173981

نوع الترانزستور: 2 PNP (Dual), التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 45V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 15nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 220 @ 2mA, 5V,

NST3906DP6T5G

جزء الأسهم: 122960

نوع الترانزستور: 2 PNP (Dual), التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 200mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 40V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 400mV @ 5mA, 50mA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 100 @ 10mA, 1V,

FMBM5551-SB16001

جزء الأسهم: 4423

نوع الترانزستور: 2 NPN (Dual), التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 600mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 160V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 200mV @ 5mA, 50mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 50nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 80 @ 10mA, 5V,

SMBT3904DW1T1G

جزء الأسهم: 105999

نوع الترانزستور: 2 NPN (Dual), التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 200mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 40V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 300mV @ 5mA, 50mA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 100 @ 10mA, 1V,

CPH6532-TL-E

جزء الأسهم: 178184

نوع الترانزستور: 2 NPN (Dual), التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 1A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 190mV @ 10mA, 500mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 200 @ 100mA, 2V,

MMPQ2222

جزء الأسهم: 4476

نوع الترانزستور: 4 NPN (Quad), التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 500mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 30V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 50nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 100 @ 150mA, 1V,

SBC857CDW1T1G

جزء الأسهم: 194077

نوع الترانزستور: 2 PNP (Dual), التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 45V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 15nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 420 @ 2mA, 5V,

FMB3906

جزء الأسهم: 152486

نوع الترانزستور: 2 PNP (Dual), التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 200mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 40V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 400mV @ 5mA, 50mA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 100 @ 10mA, 1V,

MBT2222ADW1T1G

جزء الأسهم: 141251

نوع الترانزستور: 2 NPN (Dual), التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 600mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 40V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 1V @ 50mA, 500mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 10nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 100 @ 150mA, 10V,

MCH6544-TL-E

جزء الأسهم: 111253

نوع الترانزستور: 2 NPN (Dual), التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 500mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 100mV @ 10mA, 100mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 800 @ 10mA, 2V,

MCH6203-TL-E

جزء الأسهم: 197865

نوع الترانزستور: NPN, PNP, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 1A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 430mV @ 10mA, 500mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 200 @ 100mA, 2V,

NSV60101DMTWTBG

جزء الأسهم: 149959

نوع الترانزستور: 2 NPN (Dual), التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 1A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 60V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 180mV @ 100mA, 1A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 120 @ 500mA, 2V,

MBT3946DW1T1

جزء الأسهم: 4434

نوع الترانزستور: NPN, PNP, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 200mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 40V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 300mV @ 5mA, 50mA / 400mV @ 5mA, 50mA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 100 @ 10mA, 1V,

NST3904DXV6T5G

جزء الأسهم: 114544

نوع الترانزستور: 2 NPN (Dual), التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 200mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 40V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 300mV @ 5mA, 50mA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 100 @ 10mA, 1V,

CPH5517-TL-E

جزء الأسهم: 170389

نوع الترانزستور: NPN, PNP (Common Base), التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 1A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 430mV @ 10mA, 500mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 200 @ 100mA, 2V,

NCV1413BDR2G

جزء الأسهم: 107834

نوع الترانزستور: 7 NPN Darlington, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 500mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 1000 @ 350mA, 2V,

FFB5551

جزء الأسهم: 164148

نوع الترانزستور: 2 NPN (Dual), التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 200mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 160V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 200mV @ 5mA, 50mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 50nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 80 @ 10mA, 5V,

MC1413BPG

جزء الأسهم: 116299

نوع الترانزستور: 7 NPN Darlington, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 500mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 1000 @ 350mA, 2V,

SMUN5111DW1T1G

جزء الأسهم: 148571

نوع الترانزستور: 2 PNP (Dual), التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 250mV @ 300nA, 10mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 500nA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 35 @ 5mA, 10V,

EMX1DXV6T1G

جزء الأسهم: 164133

نوع الترانزستور: 2 NPN (Dual), التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 400mV @ 5mA, 50mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 500nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 120 @ 1mA, 6V,

FMB2227A

جزء الأسهم: 129106

نوع الترانزستور: NPN, PNP, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 500mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 30V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 1.4V @ 30mA, 300mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 30nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 30 @ 300mA, 10V,

FFB2222A

جزء الأسهم: 146550

نوع الترانزستور: 2 NPN (Dual), التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 500mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 40V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 1V @ 50mA, 500mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 10nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 100 @ 150mA, 10V,

CPH5520-TL-E

جزء الأسهم: 105724

نوع الترانزستور: NPN, PNP (Emitter Coupled), التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 2A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 80V, 50V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 260mV @ 50mA, 1A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 1µA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 200 @ 100mA, 2V,

MCH6542-TL-E

جزء الأسهم: 4515

نوع الترانزستور: NPN, PNP, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 300mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 30V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 200mV @ 5mA, 100mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 300 @ 10mA, 2V,

MCH6001-TL-E

جزء الأسهم: 132494

نوع الترانزستور: 2 NPN (Dual), التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 150mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 8V, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 1µA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 60 @ 50mA, 5V,

NSVUMC5NT1G

جزء الأسهم: 104445

MCH5541-TL-E

جزء الأسهم: 152025

نوع الترانزستور: NPN, PNP (Emitter Coupled), التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 700mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 30V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 190mV @ 10mA, 200mA / 220mV @ 10mA, 200mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 300 @ 50mA, 2V,

EMZ1DXV6T1G

جزء الأسهم: 4444

نوع الترانزستور: NPN, PNP, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 60V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 500nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 120 @ 1mA, 6V,

HN1B01FDW1T1

جزء الأسهم: 4433

نوع الترانزستور: NPN, PNP, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 200mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 250mV @ 10mA, 100mA / 300mV @ 10mA, 100mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 2µA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 200 @ 2mA, 6V,

FFB2907A

جزء الأسهم: 110616

نوع الترانزستور: 2 PNP (Dual), التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 600mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 60V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 20nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 100 @ 150mA, 10V,

NST3906DXV6T1G

جزء الأسهم: 189660

نوع الترانزستور: 2 PNP (Dual), التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 200mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 40V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 400mV @ 5mA, 50mA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 100 @ 10mA, 1V,

MC1413BD

جزء الأسهم: 4453

نوع الترانزستور: 7 NPN Darlington, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 500mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 1000 @ 350mA, 2V,

EMT1DXV6T5G

جزء الأسهم: 161370

نوع الترانزستور: 2 PNP (Dual), التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 60V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 500mV @ 5mA, 50mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 500nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 120 @ 1mA, 6V,

CPH5518-TL-H

جزء الأسهم: 197766

نوع الترانزستور: NPN, PNP (Emitter Coupled), التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 1A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 80V, 50V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 190mV @ 10mA, 500mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 200 @ 100mA, 2V,

MMPQ2222AR1

جزء الأسهم: 4434

نوع الترانزستور: 4 NPN (Quad), التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 500mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 40V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 1V @ 50mA, 500mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 50nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 100 @ 150mA, 10V,