Menu
العربيةالعربية
rfqs / order.
0rfqs / order.

الترانزستورات - FETs ، MOSFETs - أحادية

NTP6411ANG
ON Semiconductor

NTP6411ANG

جزء الأسهم: 6129

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 100V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 77A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 14 mOhm @ 72A, 10V,

قائمة الرغبات
NTD4909NAT4G
ON Semiconductor

NTD4909NAT4G

جزء الأسهم: 897

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 8.8A (Ta), 41A (Tc), Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 8 mOhm @ 30A, 10V,

قائمة الرغبات
NTMFS4921NT1G
ON Semiconductor

NTMFS4921NT1G

جزء الأسهم: 1106

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 8.8A (Ta), 58.5A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 11.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 6.95 mOhm @ 30A, 10V,

قائمة الرغبات
NTMFS4827NET1G
ON Semiconductor

NTMFS4827NET1G

جزء الأسهم: 1138

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 8.8A (Ta), 58.5A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 11.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 6.95 mOhm @ 30A, 10V,

قائمة الرغبات
NDF11N50ZG
ON Semiconductor

NDF11N50ZG

جزء الأسهم: 109047

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 500V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 12A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 520 mOhm @ 4.5A, 10V,

قائمة الرغبات
NTD4960N-35G
ON Semiconductor

NTD4960N-35G

جزء الأسهم: 921

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 8.9A (Ta), 55A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 8 mOhm @ 30A, 10V,

قائمة الرغبات
NTMFS5834NLT1G
ON Semiconductor

NTMFS5834NLT1G

جزء الأسهم: 1131

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 40V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 14A (Ta), 75A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 9.3 mOhm @ 20A, 10V,

قائمة الرغبات
NVMS10P02R2G
ON Semiconductor

NVMS10P02R2G

جزء الأسهم: 891

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 10A (Ta),

قائمة الرغبات
CPH6347-TL-H
ON Semiconductor

CPH6347-TL-H

جزء الأسهم: 1154

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 6A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 39 mOhm @ 3A, 4.5V,

قائمة الرغبات
NTD4906NA-35G
ON Semiconductor

NTD4906NA-35G

جزء الأسهم: 913

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 10.3A (Ta), 54A (Tc), Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 5.5 mOhm @ 30A, 10V,

قائمة الرغبات
NDD03N60ZT4G
ON Semiconductor

NDD03N60ZT4G

جزء الأسهم: 176002

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 600V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 2.6A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 3.6 Ohm @ 1.2A, 10V,

قائمة الرغبات
NTD4959NH-35G
ON Semiconductor

NTD4959NH-35G

جزء الأسهم: 893

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 9A (Ta), 58A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 11.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 9 mOhm @ 30A, 10V,

قائمة الرغبات
NTMKE4891NT1G
ON Semiconductor

NTMKE4891NT1G

جزء الأسهم: 6128

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 25V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 26.7A (Ta), 151A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 2.6 mOhm @ 29A, 10V,

قائمة الرغبات
NDF04N60ZG
ON Semiconductor

NDF04N60ZG

جزء الأسهم: 178286

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 600V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 4.8A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 2 Ohm @ 2A, 10V,

قائمة الرغبات
FDB2614
ON Semiconductor

FDB2614

جزء الأسهم: 26957

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 200V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 62A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 27 mOhm @ 31A, 10V,

قائمة الرغبات
NTD4969N-35G
ON Semiconductor

NTD4969N-35G

جزء الأسهم: 1039

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 9.4A (Ta), 41A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 9 mOhm @ 30A, 10V,

قائمة الرغبات
NTLUS3192PZTAG
ON Semiconductor

NTLUS3192PZTAG

جزء الأسهم: 851

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 2.2A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 85 mOhm @ 3A, 4.5V,

قائمة الرغبات
NTLUS4195PZTBG
ON Semiconductor

NTLUS4195PZTBG

جزء الأسهم: 881

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 2A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 90 mOhm @ 3A, 10V,

قائمة الرغبات
NTB6411ANG
ON Semiconductor

NTB6411ANG

جزء الأسهم: 864

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 100V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 77A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 14 mOhm @ 72A, 10V,

قائمة الرغبات
FQA10N80_F109
ON Semiconductor

FQA10N80_F109

جزء الأسهم: 566

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 800V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 9.8A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 1.05 Ohm @ 4.9A, 10V,

قائمة الرغبات
TLC530FTU
ON Semiconductor

TLC530FTU

جزء الأسهم: 768

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 330V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 7A (Ta),

قائمة الرغبات
NTLJS1102PTBG
ON Semiconductor

NTLJS1102PTBG

جزء الأسهم: 630

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 8V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 3.7A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 1.2V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 36 mOhm @ 6.2A, 4.5V,

قائمة الرغبات
FQA90N10V2
ON Semiconductor

FQA90N10V2

جزء الأسهم: 659

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 100V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 105A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 10 mOhm @ 52.5A, 10V,

قائمة الرغبات
FDD5N50FTF_WS
ON Semiconductor

FDD5N50FTF_WS

جزء الأسهم: 590

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 500V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 3.5A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 1.55 Ohm @ 1.75A, 10V,

قائمة الرغبات
FDS3680
ON Semiconductor

FDS3680

جزء الأسهم: 601

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 100V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 5.2A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 6V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 46 mOhm @ 5.2A, 10V,

قائمة الرغبات
IRFS644BYDTU_AS001
ON Semiconductor

IRFS644BYDTU_AS001

جزء الأسهم: 640

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 250V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 14A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 280 mOhm @ 7A, 10V,

قائمة الرغبات
FQPF6N90CT
ON Semiconductor

FQPF6N90CT

جزء الأسهم: 609

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 900V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 6A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 2.3 Ohm @ 3A, 10V,

قائمة الرغبات
FDS6680S
ON Semiconductor

FDS6680S

جزء الأسهم: 663

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 11.5A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 11 mOhm @ 11.5A, 10V,

قائمة الرغبات
NTLJD3182FZTAG
ON Semiconductor

NTLJD3182FZTAG

جزء الأسهم: 675

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 2.2A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 100 mOhm @ 2A, 4.5V,

قائمة الرغبات
NDS8410A
ON Semiconductor

NDS8410A

جزء الأسهم: 744

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 10.8A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 12 mOhm @ 10.8A, 10V,

قائمة الرغبات
IRFU220BTU_F080
ON Semiconductor

IRFU220BTU_F080

جزء الأسهم: 768

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 200V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 4.6A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 800 mOhm @ 2.3A, 10V,

قائمة الرغبات
FDB8878
ON Semiconductor

FDB8878

جزء الأسهم: 648

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 48A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 14 mOhm @ 40A, 10V,

قائمة الرغبات
FQPF18N20V2YDTU
ON Semiconductor

FQPF18N20V2YDTU

جزء الأسهم: 595

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 200V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 18A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 140 mOhm @ 9A, 10V,

قائمة الرغبات
NTB23N03RT4G
ON Semiconductor

NTB23N03RT4G

جزء الأسهم: 821

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 25V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 23A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 45 mOhm @ 6A, 10V,

قائمة الرغبات
NTD4865NT4G
ON Semiconductor

NTD4865NT4G

جزء الأسهم: 656

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 25V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 8.5A (Ta), 44A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 10.9 mOhm @ 30A, 10V,

قائمة الرغبات
FCPF20N60TYDTU
ON Semiconductor

FCPF20N60TYDTU

جزء الأسهم: 586

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 600V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 20A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 190 mOhm @ 10A, 10V,

قائمة الرغبات