Menu
العربيةالعربية
0rfqs / order.
0rfqs / order.

الترانزستورات - FETs ، MOSFETs - أحادية

FQPF20N06L
ON Semiconductor

FQPF20N06L

جزء الأسهم: 57269

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 15.7A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 55 mOhm @ 7.85A, 10V,

قائمة الرغبات
NTMFS4H01NFT3G
ON Semiconductor

NTMFS4H01NFT3G

جزء الأسهم: 22706

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 25V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 54A (Ta), 334A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 0.7 mOhm @ 30A, 10V,

قائمة الرغبات
FDD050N03B
ON Semiconductor

FDD050N03B

جزء الأسهم: 199639

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 50A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 5 mOhm @ 25A, 10V,

قائمة الرغبات
FDB2552
ON Semiconductor

FDB2552

جزء الأسهم: 57289

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 150V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 5A (Ta), 37A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 6V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 36 mOhm @ 16A, 10V,

قائمة الرغبات
MCH3478-TL-W-Z
ON Semiconductor

MCH3478-TL-W-Z

جزء الأسهم: 196866

محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 1.8V, 4.5V,

قائمة الرغبات
MCH3479-TL-W
ON Semiconductor

MCH3479-TL-W

جزء الأسهم: 114695

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 3.5A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 64 mOhm @ 1.5A, 4.5V,

قائمة الرغبات
FDD6630A
ON Semiconductor

FDD6630A

جزء الأسهم: 167158

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 21A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 35 mOhm @ 7.6A, 10V,

قائمة الرغبات
FDB070AN06A0
ON Semiconductor

FDB070AN06A0

جزء الأسهم: 59371

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 15A (Ta), 80A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 7 mOhm @ 80A, 10V,

قائمة الرغبات
NVATS5A112PLZT4G
ON Semiconductor

NVATS5A112PLZT4G

جزء الأسهم: 163879

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 27A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 43 mOhm @ 13A, 10V,

قائمة الرغبات
ECH8315-TL-H
ON Semiconductor

ECH8315-TL-H

جزء الأسهم: 175911

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 7.5A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 25 mOhm @ 3.5A, 10V,

قائمة الرغبات
FDPF190N15A
ON Semiconductor

FDPF190N15A

جزء الأسهم: 29084

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 150V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 27.4A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 19 mOhm @ 27.4A, 10V,

قائمة الرغبات
NTP6410ANG
ON Semiconductor

NTP6410ANG

جزء الأسهم: 34781

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 100V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 76A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 13 mOhm @ 76A, 10V,

قائمة الرغبات
FQB6N80TM
ON Semiconductor

FQB6N80TM

جزء الأسهم: 27873

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 800V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 5.8A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 1.95 Ohm @ 2.9A, 10V,

قائمة الرغبات
FDB035N10A
ON Semiconductor

FDB035N10A

جزء الأسهم: 24746

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 100V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 120A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 3.5 mOhm @ 75A, 10V,

قائمة الرغبات
MCH3383-TL-W
ON Semiconductor

MCH3383-TL-W

جزء الأسهم: 186098

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 12V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 3.5A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 0.9V, 2.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 69 mOhm @ 1.5A, 2.5V,

قائمة الرغبات
FQD19N10TM
ON Semiconductor

FQD19N10TM

جزء الأسهم: 190200

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 100V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 15.6A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 100 mOhm @ 7.8A, 10V,

قائمة الرغبات
FQB33N10LTM
ON Semiconductor

FQB33N10LTM

جزء الأسهم: 95450

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 100V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 33A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 52 mOhm @ 16.5A, 10V,

قائمة الرغبات
HUF75639S3ST
ON Semiconductor

HUF75639S3ST

جزء الأسهم: 54485

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 100V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 56A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 25 mOhm @ 56A, 10V,

قائمة الرغبات
FQD8P10TM-F085
ON Semiconductor

FQD8P10TM-F085

جزء الأسهم: 138

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 100V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 6.6A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 530 mOhm @ 3.3A, 10V,

قائمة الرغبات
FDP047N08-F102
ON Semiconductor

FDP047N08-F102

جزء الأسهم: 114

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 75V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 164A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 4.7 Ohm @ 80A, 10V,

قائمة الرغبات
CPH6443-TL-W
ON Semiconductor

CPH6443-TL-W

جزء الأسهم: 103186

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 35V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 6A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 37 mOhm @ 3A, 10V,

قائمة الرغبات
MCH3374-TL-E
ON Semiconductor

MCH3374-TL-E

جزء الأسهم: 174170

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 12V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 3A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 1.8V, 4V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 70 mOhm @ 1.5A, 4.5V,

قائمة الرغبات
CPH6444-TL-W
ON Semiconductor

CPH6444-TL-W

جزء الأسهم: 190869

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 4.5A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 78 mOhm @ 2A, 10V,

قائمة الرغبات
FQD4P25TM-WS
ON Semiconductor

FQD4P25TM-WS

جزء الأسهم: 76

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 250V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 3.1A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 2.1 Ohm @ 1.55A, 10V,

قائمة الرغبات
FQD7N20LTM
ON Semiconductor

FQD7N20LTM

جزء الأسهم: 186597

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 200V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 5.5A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 750 mOhm @ 2.75A, 10V,

قائمة الرغبات
NTNS3190NZT5G
ON Semiconductor

NTNS3190NZT5G

جزء الأسهم: 188849

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 224mA (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 1.4 Ohm @ 100mA, 4.5V,

قائمة الرغبات
NCV8440ASTT3G
ON Semiconductor

NCV8440ASTT3G

جزء الأسهم: 158511

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 59V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 2.6A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 3.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 110 mOhm @ 2.6A, 10V,

قائمة الرغبات
FQD5N20LTM
ON Semiconductor

FQD5N20LTM

جزء الأسهم: 197937

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 200V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 3.8A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 1.2 Ohm @ 1.9A, 10V,

قائمة الرغبات
NTMFS4H01NFT1G
ON Semiconductor

NTMFS4H01NFT1G

جزء الأسهم: 20737

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 25V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 54A (Ta), 334A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 0.7 mOhm @ 30A, 10V,

قائمة الرغبات
NVMFS5A140PLZWFT1G
ON Semiconductor

NVMFS5A140PLZWFT1G

جزء الأسهم: 112

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 40V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 20A (Ta), 140A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 4.2 mOhm @ 50A, 10V,

قائمة الرغبات
MCH6431-TL-W
ON Semiconductor

MCH6431-TL-W

جزء الأسهم: 146667

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 5A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 55 mOhm @ 2.5A, 10V,

قائمة الرغبات
FDD4243-F085
ON Semiconductor

FDD4243-F085

جزء الأسهم: 73

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 40V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 6.7A (Ta), 14A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 44 mOhm @ 6.7A, 10V,

قائمة الرغبات
FDS4465-F085
ON Semiconductor

FDS4465-F085

جزء الأسهم: 119

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 13.5A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 8.5 mOhm @ 13.5A, 4.5V,

قائمة الرغبات
FQP70N10
ON Semiconductor

FQP70N10

جزء الأسهم: 30568

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 100V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 57A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 23 mOhm @ 28.5A, 10V,

قائمة الرغبات
NVD5C478NLT4G
ON Semiconductor

NVD5C478NLT4G

جزء الأسهم: 100

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 40V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 14A (Ta), 45A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 7.7 mOhm @ 15A, 10V,

قائمة الرغبات
NTGS3446T1G
ON Semiconductor

NTGS3446T1G

جزء الأسهم: 184967

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 2.5A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 45 mOhm @ 5.1A, 4.5V,

قائمة الرغبات