الترانزستورات - FETs ، MOSFETs - RF | منتجات أشباه الموصلات المنفصلة | 31

NXP USA Inc.

MRF282ZR1

جزء الأسهم: 6201

نوع الترانزستور: LDMOS, تكرر: 2GHz, ربح: 11.5dB, الجهد - اختبار: 26V,

قائمة الرغبات

NXP USA Inc.

MRF6S27085HSR3

جزء الأسهم: 4655

نوع الترانزستور: LDMOS, تكرر: 2.66GHz, ربح: 15.5dB, الجهد - اختبار: 28V,

قائمة الرغبات

NXP USA Inc.

MRF5S9101NR1

جزء الأسهم: 6106

نوع الترانزستور: LDMOS, تكرر: 960MHz, ربح: 17.5dB, الجهد - اختبار: 26V,

قائمة الرغبات

NXP USA Inc.

MRF6S18060NBR1

جزء الأسهم: 6323

نوع الترانزستور: LDMOS, تكرر: 1.99GHz, ربح: 15dB, الجهد - اختبار: 26V,

قائمة الرغبات

NXP USA Inc.

MRF5S19130HR3

جزء الأسهم: 6251

نوع الترانزستور: LDMOS, تكرر: 1.99GHz, ربح: 13dB, الجهد - اختبار: 28V,

قائمة الرغبات

NXP USA Inc.

MRF6S21100HSR5

جزء الأسهم: 6268

نوع الترانزستور: LDMOS, تكرر: 2.11GHz ~ 2.17GHz, ربح: 15.9dB, الجهد - اختبار: 28V,

قائمة الرغبات

NXP USA Inc.

MRF1511NT1

جزء الأسهم: 13521

نوع الترانزستور: LDMOS, تكرر: 175MHz, ربح: 13dB, الجهد - اختبار: 7.5V, التصويت الحالي: 4A,

قائمة الرغبات

NXP USA Inc.

MRF7S18125AHR5

جزء الأسهم: 6387

نوع الترانزستور: LDMOS, تكرر: 1.88GHz, ربح: 17dB, الجهد - اختبار: 28V,

قائمة الرغبات

NXP USA Inc.

MRF7S19080HSR5

جزء الأسهم: 6308

نوع الترانزستور: LDMOS, تكرر: 1.99GHz, ربح: 18dB, الجهد - اختبار: 28V,

قائمة الرغبات

NXP USA Inc.

MRF5S21100HSR5

جزء الأسهم: 6268

نوع الترانزستور: LDMOS, تكرر: 2.16GHz ~ 2.17GHz, ربح: 13.5dB, الجهد - اختبار: 28V,

قائمة الرغبات

NXP USA Inc.

MRF8P26080HR3

جزء الأسهم: 6021

نوع الترانزستور: LDMOS (Dual), تكرر: 2.62GHz, ربح: 15dB, الجهد - اختبار: 28V,

قائمة الرغبات

NXP USA Inc.

MRFG35003NT1

جزء الأسهم: 6331

نوع الترانزستور: pHEMT FET, تكرر: 3.55GHz, ربح: 11.5dB, الجهد - اختبار: 12V,

قائمة الرغبات

NXP USA Inc.

MRFE6S9130HSR3

جزء الأسهم: 6299

نوع الترانزستور: LDMOS, تكرر: 880MHz, ربح: 19.2dB, الجهد - اختبار: 28V,

قائمة الرغبات

NXP USA Inc.

MRF5S19150HR3

جزء الأسهم: 6259

نوع الترانزستور: LDMOS, تكرر: 1.99GHz, ربح: 14dB, الجهد - اختبار: 28V,

قائمة الرغبات

NXP USA Inc.

MRF7S19210HSR3

جزء الأسهم: 4657

نوع الترانزستور: LDMOS, تكرر: 1.99GHz, ربح: 20dB, الجهد - اختبار: 28V,

قائمة الرغبات

NXP USA Inc.

MRF7S19120NR1

جزء الأسهم: 1513

نوع الترانزستور: LDMOS, تكرر: 1.99GHz, ربح: 18dB, الجهد - اختبار: 28V,

قائمة الرغبات

NXP USA Inc.

MRF5P21240HR5

جزء الأسهم: 6273

نوع الترانزستور: LDMOS, تكرر: 2.11GHz ~ 2.17GHz, ربح: 13dB, الجهد - اختبار: 28V,

قائمة الرغبات

NXP USA Inc.

MRF7S38075HSR5

جزء الأسهم: 6293

نوع الترانزستور: LDMOS, تكرر: 3.4GHz ~ 3.6GHz, ربح: 14dB, الجهد - اختبار: 30V,

قائمة الرغبات

NXP USA Inc.

MRFG35003NR5

جزء الأسهم: 6100

نوع الترانزستور: pHEMT FET, تكرر: 3.55GHz, ربح: 11.5dB, الجهد - اختبار: 12V,

قائمة الرغبات

NXP USA Inc.

MRF6S19120HR3

جزء الأسهم: 4707

نوع الترانزستور: LDMOS, تكرر: 1.99GHz, ربح: 15dB, الجهد - اختبار: 28V,

قائمة الرغبات

NXP USA Inc.

MRF6S27085HR3

جزء الأسهم: 6351

نوع الترانزستور: LDMOS, تكرر: 2.66GHz, ربح: 15.5dB, الجهد - اختبار: 28V,

قائمة الرغبات

NXP USA Inc.

MRF7S21170HR3

جزء الأسهم: 6190

نوع الترانزستور: LDMOS, تكرر: 2.17GHz, ربح: 16dB, الجهد - اختبار: 28V,

قائمة الرغبات

NXP USA Inc.

MRF9030NR1

جزء الأسهم: 6343

نوع الترانزستور: LDMOS, تكرر: 945MHz, ربح: 20dB, الجهد - اختبار: 26V,

قائمة الرغبات

NXP USA Inc.

MRF1570FNT1

جزء الأسهم: 2626

نوع الترانزستور: LDMOS, تكرر: 470MHz, ربح: 11.5dB, الجهد - اختبار: 12.5V,

قائمة الرغبات

NXP USA Inc.

MRF6VP21KHR6

جزء الأسهم: 6339

نوع الترانزستور: LDMOS (Dual), تكرر: 225MHz, ربح: 24dB, الجهد - اختبار: 50V,

قائمة الرغبات

NXP USA Inc.

MRFE6S9201HR5

جزء الأسهم: 6363

نوع الترانزستور: LDMOS, تكرر: 880MHz, ربح: 20.8dB, الجهد - اختبار: 28V,

قائمة الرغبات

NXP USA Inc.

MRF6V2150NBR5

جزء الأسهم: 1441

نوع الترانزستور: LDMOS, تكرر: 220MHz, ربح: 25dB, الجهد - اختبار: 50V,

قائمة الرغبات

NXP USA Inc.

MRF6V10250HSR5

جزء الأسهم: 6038

نوع الترانزستور: LDMOS, تكرر: 1.09GHz, ربح: 21dB, الجهد - اختبار: 50V,

قائمة الرغبات

NXP USA Inc.

MD7P19130HSR3

جزء الأسهم: 6316

نوع الترانزستور: LDMOS (Dual), تكرر: 1.99GHz, ربح: 20dB, الجهد - اختبار: 28V,

قائمة الرغبات

NXP USA Inc.

MRFG35010R5

جزء الأسهم: 6268

نوع الترانزستور: pHEMT FET, تكرر: 3.55GHz, ربح: 10dB, الجهد - اختبار: 12V,

قائمة الرغبات

NXP USA Inc.

MRF6S18140HR5

جزء الأسهم: 6284

نوع الترانزستور: LDMOS, تكرر: 1.88GHz, ربح: 16dB, الجهد - اختبار: 28V,

قائمة الرغبات

NXP USA Inc.

MRF9045LSR1

جزء الأسهم: 6300

نوع الترانزستور: LDMOS, تكرر: 945MHz, ربح: 18.8dB, الجهد - اختبار: 28V,

قائمة الرغبات

NXP USA Inc.

MRF5S19130HSR3

جزء الأسهم: 6299

نوع الترانزستور: LDMOS, تكرر: 1.99GHz, ربح: 13dB, الجهد - اختبار: 28V,

قائمة الرغبات

NXP USA Inc.

MRF6S19200HR3

جزء الأسهم: 6385

نوع الترانزستور: LDMOS, تكرر: 1.93GHz ~ 1.99GHz, ربح: 17.9dB, الجهد - اختبار: 28V,

قائمة الرغبات

NXP USA Inc.

MRF6S27050HSR5

جزء الأسهم: 6333

نوع الترانزستور: LDMOS, تكرر: 2.62GHz, ربح: 16dB, الجهد - اختبار: 28V,

قائمة الرغبات

NXP USA Inc.

MRFG35010ANR5

جزء الأسهم: 6139

نوع الترانزستور: pHEMT FET, تكرر: 3.55GHz, ربح: 10dB, الجهد - اختبار: 12V,

قائمة الرغبات