الترانزستورات - FETs ، MOSFETs - RF | منتجات أشباه الموصلات المنفصلة | 31

NXP USA Inc.

MRF19045LR5

جزء الأسهم: 6093

نوع الترانزستور: LDMOS, تكرر: 1.93GHz, ربح: 14.5dB, الجهد - اختبار: 26V,

قائمة الرغبات

NXP USA Inc.

MRF5S19090HR5

جزء الأسهم: 6287

نوع الترانزستور: LDMOS, تكرر: 1.93GHz ~ 1.99GHz, ربح: 14.5dB, الجهد - اختبار: 28V,

قائمة الرغبات

NXP USA Inc.

MRF6S9130HR5

جزء الأسهم: 6331

نوع الترانزستور: LDMOS, تكرر: 880MHz, ربح: 19.2dB, الجهد - اختبار: 28V,

قائمة الرغبات

NXP USA Inc.

MRF7S27130HR3

جزء الأسهم: 6369

نوع الترانزستور: LDMOS, تكرر: 2.7GHz, ربح: 16.5dB, الجهد - اختبار: 28V,

قائمة الرغبات

NXP USA Inc.

MRF373ALSR5

جزء الأسهم: 4667

نوع الترانزستور: LDMOS, تكرر: 860MHz, ربح: 18.2dB, الجهد - اختبار: 32V,

قائمة الرغبات

NXP USA Inc.

MRFE6S9205HR3

جزء الأسهم: 6313

نوع الترانزستور: LDMOS, تكرر: 880MHz, ربح: 21.2dB, الجهد - اختبار: 28V,

قائمة الرغبات

NXP USA Inc.

MRF6S9125NR1

جزء الأسهم: 6345

نوع الترانزستور: LDMOS, تكرر: 880MHz, ربح: 20.2dB, الجهد - اختبار: 28V,

قائمة الرغبات

NXP USA Inc.

MRF6S23100HR3

جزء الأسهم: 6289

نوع الترانزستور: LDMOS, تكرر: 2.4GHz, ربح: 15.4dB, الجهد - اختبار: 28V,

قائمة الرغبات

NXP USA Inc.

MRF6S9125MR1

جزء الأسهم: 6037

نوع الترانزستور: LDMOS, تكرر: 880MHz, ربح: 20.2dB, الجهد - اختبار: 28V,

قائمة الرغبات

NXP USA Inc.

MRF7S16150HSR5

جزء الأسهم: 6361

نوع الترانزستور: LDMOS, تكرر: 1.6GHz ~ 1.66GHz, ربح: 19.7dB, الجهد - اختبار: 28V,

قائمة الرغبات

NXP USA Inc.

MRF6P3300HR5

جزء الأسهم: 4671

نوع الترانزستور: LDMOS, تكرر: 857MHz ~ 863MHz, ربح: 20.2dB, الجهد - اختبار: 32V,

قائمة الرغبات

NXP USA Inc.

MRF9060NR1

جزء الأسهم: 6275

نوع الترانزستور: LDMOS, تكرر: 945MHz, ربح: 18dB, الجهد - اختبار: 26V,

قائمة الرغبات

NXP USA Inc.

MRF8S9100HR3

جزء الأسهم: 6339

نوع الترانزستور: LDMOS, تكرر: 920MHz, ربح: 19.3dB, الجهد - اختبار: 28V,

قائمة الرغبات

NXP USA Inc.

MRF9030GNR1

جزء الأسهم: 4679

نوع الترانزستور: LDMOS,

قائمة الرغبات

NXP USA Inc.

MRF6V2300NR5

جزء الأسهم: 957

نوع الترانزستور: LDMOS, تكرر: 220MHz, ربح: 25.5dB, الجهد - اختبار: 50V,

قائمة الرغبات

NXP USA Inc.

MRF7S21110HR3

جزء الأسهم: 6374

نوع الترانزستور: LDMOS, تكرر: 2.17GHz, ربح: 17.3dB, الجهد - اختبار: 28V,

قائمة الرغبات

NXP USA Inc.

MRFG35010AR1

جزء الأسهم: 6335

نوع الترانزستور: pHEMT FET, تكرر: 3.55GHz, ربح: 10dB, الجهد - اختبار: 12V,

قائمة الرغبات

NXP USA Inc.

MRFE6S9201HSR3

جزء الأسهم: 6342

نوع الترانزستور: LDMOS, تكرر: 880MHz, ربح: 20.8dB, الجهد - اختبار: 28V,

قائمة الرغبات

NXP USA Inc.

MRF5S19090HSR5

جزء الأسهم: 6240

نوع الترانزستور: LDMOS, تكرر: 1.93GHz ~ 1.99GHz, ربح: 14.5dB, الجهد - اختبار: 28V,

قائمة الرغبات

NXP USA Inc.

MRF6S19060NBR1

جزء الأسهم: 4618

نوع الترانزستور: LDMOS, تكرر: 1.93GHz, ربح: 16dB, الجهد - اختبار: 28V,

قائمة الرغبات

NXP USA Inc.

MRF6V14300HR3

جزء الأسهم: 6313

نوع الترانزستور: LDMOS, تكرر: 1.4GHz, ربح: 18dB, الجهد - اختبار: 50V,

قائمة الرغبات

NXP USA Inc.

MRF19030LR3

جزء الأسهم: 6305

نوع الترانزستور: LDMOS, تكرر: 1.96GHz, ربح: 13dB, الجهد - اختبار: 26V,

قائمة الرغبات

NXP USA Inc.

MRF6S21050LR5

جزء الأسهم: 6262

نوع الترانزستور: LDMOS, تكرر: 2.16GHz, ربح: 16dB, الجهد - اختبار: 28V,

قائمة الرغبات

NXP USA Inc.

MRF7S35015HSR3

جزء الأسهم: 6357

نوع الترانزستور: LDMOS, تكرر: 3.1GHz ~ 3.5GHz, ربح: 16dB, الجهد - اختبار: 32V,

قائمة الرغبات

NXP USA Inc.

MRFG35002N6T1

جزء الأسهم: 6336

نوع الترانزستور: pHEMT FET, تكرر: 3.55GHz, ربح: 10dB, الجهد - اختبار: 6V,

قائمة الرغبات

NXP USA Inc.

MRF9002NR2

جزء الأسهم: 6322

نوع الترانزستور: LDMOS, تكرر: 960MHz, ربح: 18dB, الجهد - اختبار: 26V,

قائمة الرغبات

NXP USA Inc.

MRF6S9160HR5

جزء الأسهم: 6329

نوع الترانزستور: LDMOS, تكرر: 880MHz, ربح: 20.9dB, الجهد - اختبار: 28V,

قائمة الرغبات

NXP USA Inc.

MRF6V2010GNR5

جزء الأسهم: 4666

نوع الترانزستور: LDMOS, تكرر: 220MHz, ربح: 23.9dB, الجهد - اختبار: 50V,

قائمة الرغبات

NXP USA Inc.

MRF6V13250HR3

جزء الأسهم: 6105

نوع الترانزستور: LDMOS, تكرر: 1.3GHz, ربح: 22.7dB, الجهد - اختبار: 50V,

قائمة الرغبات

NXP USA Inc.

MRF6V14300HSR3

جزء الأسهم: 6351

نوع الترانزستور: LDMOS, تكرر: 1.4GHz, ربح: 18dB, الجهد - اختبار: 50V,

قائمة الرغبات

NXP USA Inc.

MRFG35010R1

جزء الأسهم: 6051

نوع الترانزستور: pHEMT FET, تكرر: 3.55GHz, ربح: 10dB, الجهد - اختبار: 12V,

قائمة الرغبات

NXP USA Inc.

MRF9045GNR1

جزء الأسهم: 6300

نوع الترانزستور: LDMOS,

قائمة الرغبات

NXP USA Inc.

MRF6VP11KHR6

جزء الأسهم: 6309

نوع الترانزستور: LDMOS (Dual), تكرر: 130MHz, ربح: 26dB, الجهد - اختبار: 50V,

قائمة الرغبات

NXP USA Inc.

MRF6S21060MR1

جزء الأسهم: 6266

نوع الترانزستور: LDMOS, تكرر: 2.12GHz, ربح: 15.5dB, الجهد - اختبار: 28V,

قائمة الرغبات

NXP USA Inc.

MRF9060LSR5

جزء الأسهم: 6319

نوع الترانزستور: LDMOS, تكرر: 945MHz, ربح: 17dB, الجهد - اختبار: 26V,

قائمة الرغبات

NXP USA Inc.

MD7P19130HSR5

جزء الأسهم: 6330

نوع الترانزستور: LDMOS (Dual), تكرر: 1.99GHz, ربح: 20dB, الجهد - اختبار: 28V,

قائمة الرغبات