Menu
العربيةالعربية
rfqs / order.
0rfqs / order.

الثايرستور - SCRs

BT151S-800R,118
WeEn Semiconductors

BT151S-800R,118

جزء الأسهم: 134759

الجهد - خارج الدولة: 800V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 1.5V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 15mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.75V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 7.5A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 12A,

إلى قائمة الأمنيات
BT145-800R,127
WeEn Semiconductors

BT145-800R,127

جزء الأسهم: 45243

الجهد - خارج الدولة: 800V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 1V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 35mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.5V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 16A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 25A,

إلى قائمة الأمنيات
BT258-600R,127
WeEn Semiconductors

BT258-600R,127

جزء الأسهم: 88239

الجهد - خارج الدولة: 600V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 1.5V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 200µA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.6V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 5A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 8A,

إلى قائمة الأمنيات
BT158W-1200TQ
WeEn Semiconductors

BT158W-1200TQ

جزء الأسهم: 7835

الجهد - خارج الدولة: 1.2kV, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 1V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 70mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.65V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 80A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 126A,

إلى قائمة الأمنيات
BT155Z-1200TQ
WeEn Semiconductors

BT155Z-1200TQ

جزء الأسهم: 7788

الجهد - خارج الدولة: 1.2kV, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 1V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 50mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.5V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 50A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 79A,

إلى قائمة الأمنيات
BT145-800RTQ
WeEn Semiconductors

BT145-800RTQ

جزء الأسهم: 7798

الجهد - خارج الدولة: 800V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 1V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 10mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.5V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 16A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 25A,

إلى قائمة الأمنيات
BT169HML
WeEn Semiconductors

BT169HML

جزء الأسهم: 153306

الجهد - خارج الدولة: 800V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 800mV, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 100µA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.7V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 500mA, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 800mA,

إلى قائمة الأمنيات
BT169G-MQP
WeEn Semiconductors

BT169G-MQP

جزء الأسهم: 115796

الجهد - خارج الدولة: 600V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 800mV, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 60µA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.7V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 500mA, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 800mA,

إلى قائمة الأمنيات
BT169DEP
WeEn Semiconductors

BT169DEP

جزء الأسهم: 101527

الجهد - خارج الدولة: 400V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 800mV, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 200µA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.7V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 500mA, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 800mA,

إلى قائمة الأمنيات
BT151S-650SJ
WeEn Semiconductors

BT151S-650SJ

جزء الأسهم: 149113

الجهد - خارج الدولة: 650V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 1V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 200µA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.75V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 7.5A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 12A,

إلى قائمة الأمنيات
BT145X-800RQ
WeEn Semiconductors

BT145X-800RQ

جزء الأسهم: 149669

الجهد - خارج الدولة: 800V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 1V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 35mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.5V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 16A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 25A,

إلى قائمة الأمنيات
BT152-400R,127
WeEn Semiconductors

BT152-400R,127

جزء الأسهم: 69180

الجهد - خارج الدولة: 450V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 1.5V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 32mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.75V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 13A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 20A,

إلى قائمة الأمنيات
BT169H/L01EP
WeEn Semiconductors

BT169H/L01EP

جزء الأسهم: 175388

الجهد - خارج الدولة: 800V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 800mV, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 100µA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.7V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 500mA, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 800mA,

إلى قائمة الأمنيات
BT169H/01U
WeEn Semiconductors

BT169H/01U

جزء الأسهم: 116060

الجهد - خارج الدولة: 800V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 800mV, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 100µA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.7V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 500mA, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 800mA,

إلى قائمة الأمنيات
BT169G/DG,126
WeEn Semiconductors

BT169G/DG,126

جزء الأسهم: 157708

الجهد - خارج الدولة: 600V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 800mV, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 200µA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.7V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 500mA, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 800mA,

إلى قائمة الأمنيات
BT169D/DG,126
WeEn Semiconductors

BT169D/DG,126

جزء الأسهم: 177860

الجهد - خارج الدولة: 400V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 800mV, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 200µA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.7V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 500mA, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 800mA,

إلى قائمة الأمنيات
BT169D-L,112
WeEn Semiconductors

BT169D-L,112

جزء الأسهم: 129303

الجهد - خارج الدولة: 400V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 800mV, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 50µA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.7V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 500mA, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 800mA,

إلى قائمة الأمنيات
BT151X-800C,127
WeEn Semiconductors

BT151X-800C,127

جزء الأسهم: 184973

الجهد - خارج الدولة: 800V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 1.5V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 15mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.75V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 7.5A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 12A,

إلى قائمة الأمنيات
BT151X-650C,127
WeEn Semiconductors

BT151X-650C,127

جزء الأسهم: 150537

الجهد - خارج الدولة: 650V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 1.5V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 15mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.75V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 7.5A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 12A,

إلى قائمة الأمنيات
BT149D,112
WeEn Semiconductors

BT149D,112

جزء الأسهم: 187790

الجهد - خارج الدولة: 400V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 800mV, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 200µA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.7V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 500mA, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 800mA,

إلى قائمة الأمنيات
BT151S-500L,118
WeEn Semiconductors

BT151S-500L,118

جزء الأسهم: 135580

الجهد - خارج الدولة: 500V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 1.5V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 5mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.75V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 7.5A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 12A,

إلى قائمة الأمنيات
BT151S-650L,118
WeEn Semiconductors

BT151S-650L,118

جزء الأسهم: 171046

الجهد - خارج الدولة: 650V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 1.5V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 5mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.75V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 7.5A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 12A,

إلى قائمة الأمنيات
BT151-650L,127
WeEn Semiconductors

BT151-650L,127

جزء الأسهم: 130895

الجهد - خارج الدولة: 650V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 1.5V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 5mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.75V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 7.5A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 12A,

إلى قائمة الأمنيات
BT151U-800C,127
WeEn Semiconductors

BT151U-800C,127

جزء الأسهم: 128555

الجهد - خارج الدولة: 800V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 1.5V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 15mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.75V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 7.5A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 12A,

إلى قائمة الأمنيات
BTH151S-650R,118
WeEn Semiconductors

BTH151S-650R,118

جزء الأسهم: 186521

الجهد - خارج الدولة: 650V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 1.5V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 15mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.75V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 7.5A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 12A,

إلى قائمة الأمنيات
BT148-500R,127
WeEn Semiconductors

BT148-500R,127

جزء الأسهم: 101330

الجهد - خارج الدولة: 500V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 1.5V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 200µA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.8V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 2.5A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 4A,

إلى قائمة الأمنيات
BT148-400R,127
WeEn Semiconductors

BT148-400R,127

جزء الأسهم: 156270

الجهد - خارج الدولة: 400V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 1.5V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 200µA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.8V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 2.5A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 4A,

إلى قائمة الأمنيات
BT168G,112
WeEn Semiconductors

BT168G,112

جزء الأسهم: 166452

الجهد - خارج الدولة: 600V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 800mV, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 200µA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.7V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 500mA, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 800mA,

إلى قائمة الأمنيات
BT151-500C,127
WeEn Semiconductors

BT151-500C,127

جزء الأسهم: 139588

الجهد - خارج الدولة: 500V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 1.5V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 15mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.75V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 7.5A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 12A,

إلى قائمة الأمنيات
BT150-500R,127
WeEn Semiconductors

BT150-500R,127

جزء الأسهم: 116281

الجهد - خارج الدولة: 500V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 1.5V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 200µA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.8V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 2.5A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 4A,

إلى قائمة الأمنيات
BT151-650C,127
WeEn Semiconductors

BT151-650C,127

جزء الأسهم: 170938

الجهد - خارج الدولة: 650V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 1.5V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 15mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.75V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 7.5A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 12A,

إلى قائمة الأمنيات
BT169H,112
NXP USA Inc.

BT169H,112

جزء الأسهم: 7800

الجهد - خارج الدولة: 800V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 800mV, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 100µA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.7V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 500mA, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 800mA,

إلى قائمة الأمنيات
BT149B,126
NXP USA Inc.

BT149B,126

جزء الأسهم: 7813

الجهد - خارج الدولة: 200V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 800mV, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 200µA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.7V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 500mA, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 800mA,

إلى قائمة الأمنيات
BRX45
Central Semiconductor Corp

BRX45

جزء الأسهم: 105769

الجهد - خارج الدولة: 60V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 800mV, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 200µA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.7V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 500mA, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 800mA,

إلى قائمة الأمنيات
BTW67-200
STMicroelectronics

BTW67-200

جزء الأسهم: 7740

الجهد - خارج الدولة: 200V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 1.3V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 80mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.9V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 32A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 50A,

إلى قائمة الأمنيات
BTW68-1000RG
STMicroelectronics

BTW68-1000RG

جزء الأسهم: 7604

الجهد - خارج الدولة: 1kV, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 1.5V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 50mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 2.1V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 19A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 30A,

إلى قائمة الأمنيات