الثايرستور - SCRs | منتجات أشباه الموصلات المنفصلة | 94

VS-ST230C12C1L

جزء الأسهم: 1173

الجهد - خارج الدولة: 1.2kV, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 3V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 150mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.69V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 410A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 780A,

إلى قائمة الأمنيات

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST300C18C1

جزء الأسهم: 595

الجهد - خارج الدولة: 1.8kV, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 3V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 200mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 2.18V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 650A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 1290A,

إلى قائمة الأمنيات

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-40TTS12-M3

جزء الأسهم: 27457

الجهد - خارج الدولة: 1.2kV, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 1.3V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 35mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.6V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 25A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 40A,

إلى قائمة الأمنيات

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST180C18C0

جزء الأسهم: 711

الجهد - خارج الدولة: 1.8kV, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 3V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 150mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.96V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 350A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 660A,

إلى قائمة الأمنيات

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST333C04CFL0

جزء الأسهم: 847

الجهد - خارج الدولة: 400V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 3V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 200mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.96V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 720A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 1435A,

إلى قائمة الأمنيات

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-25RIA60

جزء الأسهم: 5109

الجهد - خارج الدولة: 600V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 2V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 60mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.7V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 25A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 40A,

إلى قائمة الأمنيات

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-50RIA120M

جزء الأسهم: 2667

الجهد - خارج الدولة: 1.2kV, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 2.5V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.6V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 50A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 80A,

إلى قائمة الأمنيات

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST330C12C0L

جزء الأسهم: 804

الجهد - خارج الدولة: 1.2kV, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 3V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 200mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.96V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 720A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 1420A,

إلى قائمة الأمنيات

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-12TTS08-M3

جزء الأسهم: 42474

الجهد - خارج الدولة: 800V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 1V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 15mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.2V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 8A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 12.5A,

إلى قائمة الأمنيات

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST083S08PFM0P

جزء الأسهم: 929

الجهد - خارج الدولة: 800V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 3V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 200mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 2.15V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 85A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 135A,

إلى قائمة الأمنيات

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST330S16M1L

جزء الأسهم: 432

الجهد - خارج الدولة: 1.6kV, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 3V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 200mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.52V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 330A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 520A,

إلى قائمة الأمنيات

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-16TTS08STRL-M3

جزء الأسهم: 58873

الجهد - خارج الدولة: 800V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 2V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 60mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.4V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 10A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 16A,

إلى قائمة الأمنيات

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST1280C04K0

جزء الأسهم: 407

الجهد - خارج الدولة: 400V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 3V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 200mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.44V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 2310A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 4150A,

إلى قائمة الأمنيات

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST230C08C0L

جزء الأسهم: 1219

الجهد - خارج الدولة: 800V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 3V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 150mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.69V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 410A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 780A,

إلى قائمة الأمنيات

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST303S12PFK0

جزء الأسهم: 336

الجهد - خارج الدولة: 1.2kV, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 3V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 200mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 2.16V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 300A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 471A,

إلى قائمة الأمنيات

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST300C12L0

جزء الأسهم: 642

الجهد - خارج الدولة: 1.2kV, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 3V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 200mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 2.18V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 560A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 1115A,

إلى قائمة الأمنيات

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST083S04PFN1

جزء الأسهم: 926

الجهد - خارج الدولة: 400V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 3V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 200mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 2.15V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 85A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 135A,

إلى قائمة الأمنيات

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST180S04P1V

جزء الأسهم: 829

الجهد - خارج الدولة: 400V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 3V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 150mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.75V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 200A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 314A,

إلى قائمة الأمنيات

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST303S12PFK1

جزء الأسهم: 329

الجهد - خارج الدولة: 1.2kV, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 3V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 200mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 2.16V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 300A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 471A,

إلى قائمة الأمنيات

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST1200C14K0

جزء الأسهم: 318

الجهد - خارج الدولة: 1.4kV, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 3V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 200mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.73V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 1650A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 3080A,

إلى قائمة الأمنيات

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST1230C12K0L

جزء الأسهم: 233

الجهد - خارج الدولة: 1.2kV, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 3V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 200mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.62V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 1745A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 3200A,

إلى قائمة الأمنيات

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-80RIA80PBF

جزء الأسهم: 2343

الجهد - خارج الدولة: 800V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 2.5V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 120mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.6V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 80A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 125A,

إلى قائمة الأمنيات

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST230C08C1

جزء الأسهم: 1403

الجهد - خارج الدولة: 800V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 3V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 150mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.69V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 410A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 780A,

إلى قائمة الأمنيات

IXYS

CS20-25MOT1

جزء الأسهم: 4116

الجهد - خارج الدولة: 2.5kV, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 2.5V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 250mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 3V,

إلى قائمة الأمنيات

IXYS

CS30-14IO1

جزء الأسهم: 13079

الجهد - خارج الدولة: 1.4kV, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 1V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 55mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.63V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 30A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 49A,

إلى قائمة الأمنيات

Littelfuse Inc.

S4X8ES1AP

جزء الأسهم: 117932

الجهد - خارج الدولة: 400V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 800mV, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 5µA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.7V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 510mA, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 800mA,

إلى قائمة الأمنيات

Littelfuse Inc.

S4006DRP

جزء الأسهم: 161532

الجهد - خارج الدولة: 400V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 1.5V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 15mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.6V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 3.8A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 6A,

إلى قائمة الأمنيات

Littelfuse Inc.

MCR106-8G

جزء الأسهم: 114442

الجهد - خارج الدولة: 600V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 1V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 200µA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 2V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 2.55A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 4A,

إلى قائمة الأمنيات

Littelfuse Inc.

S4X8ES2RP

جزء الأسهم: 146951

الجهد - خارج الدولة: 400V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 800mV, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 50µA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.7V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 510mA, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 800mA,

إلى قائمة الأمنيات

Littelfuse Inc.

S601E

جزء الأسهم: 77906

الجهد - خارج الدولة: 600V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 1.5V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 10mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.6V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 640mA, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 1A,

إلى قائمة الأمنيات

Littelfuse Inc.

MCR706AT4G

جزء الأسهم: 195203

الجهد - خارج الدولة: 400V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 800mV, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 75µA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 2.2V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 1.6A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 4A,

إلى قائمة الأمنيات

Littelfuse Inc.

S8055WTP

جزء الأسهم: 18874

الجهد - خارج الدولة: 800V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 1.5V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 40mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.8V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 35A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 55A,

إلى قائمة الأمنيات

Littelfuse Inc.

S6065JTP

جزء الأسهم: 10002

الجهد - خارج الدولة: 600V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 2V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 50mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.8V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 41A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 65A,

إلى قائمة الأمنيات

Powerex Inc.

C702CP

جزء الأسهم: 341

الجهد - خارج الدولة: 3kV, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 4.5V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 200mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.85V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 1000A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 1571A,

إلى قائمة الأمنيات

STMicroelectronics

TN1215-600H

جزء الأسهم: 49211

الجهد - خارج الدولة: 600V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 1.3V, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 15mA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.6V, الحالي - في الحالة (هو (AV)) (الحد الأقصى): 8A, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 12A,

إلى قائمة الأمنيات

Taiwan Semiconductor Corporation

MCR100-5 A1G

جزء الأسهم: 255

الجهد - خارج الدولة: 300V, الجهد - زناد البوابة (Vgt) (الحد الأقصى): 800mV, الحالي - بوابة الزناد (Igt) (الحد الأقصى): 200µA, الجهد - في الحالة (Vtm) (الحد الأقصى): 1.7V, الحالي - في الحالة (هو (RMS)) (الحد الأقصى): 800mA,

إلى قائمة الأمنيات