Menu
العربيةالعربية
rfqs / order.
0rfqs / order.

الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - مفرد

BC807K-16R
Nexperia USA Inc.

BC807K-16R

جزء الأسهم: 145

نوع الترانزستور: PNP, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 500mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 45V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 700mV @ 50mA, 500mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 100 @ 100mA, 1V,

إلى قائمة الأمنيات
BC817K-16R
Nexperia USA Inc.

BC817K-16R

جزء الأسهم: 140

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 500mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 45V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 700mV @ 50mA, 500mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 100 @ 100mA, 1V,

إلى قائمة الأمنيات
BC807K-25VL
Nexperia USA Inc.

BC807K-25VL

جزء الأسهم: 147

نوع الترانزستور: PNP, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 500mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 45V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 700mV @ 50mA, 500mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 160 @ 100mA, 1V,

إلى قائمة الأمنيات
BC817K-40R
Nexperia USA Inc.

BC817K-40R

جزء الأسهم: 211

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 500mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 45V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 700mV @ 50mA, 500mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 250 @ 100mA, 1V,

إلى قائمة الأمنيات
BCP56TF
Nexperia USA Inc.

BCP56TF

جزء الأسهم: 146

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 1A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 80V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 63 @ 150mA, 2V,

إلى قائمة الأمنيات
BC817K-25VL
Nexperia USA Inc.

BC817K-25VL

جزء الأسهم: 207

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 500mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 45V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 700mV @ 50mA, 500mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 160 @ 100mA, 1V,

إلى قائمة الأمنيات
BC817K-25R
Nexperia USA Inc.

BC817K-25R

جزء الأسهم: 182

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 500mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 45V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 700mV @ 50mA, 500mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 160 @ 100mA, 1V,

إلى قائمة الأمنيات
BC807K-40R
Nexperia USA Inc.

BC807K-40R

جزء الأسهم: 178

نوع الترانزستور: PNP, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 500mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 45V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 700mV @ 50mA, 500mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 250 @ 100mA, 1V,

إلى قائمة الأمنيات
BCP56-10TF
Nexperia USA Inc.

BCP56-10TF

جزء الأسهم: 194

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 1A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 80V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 63 @ 150mA, 2V,

إلى قائمة الأمنيات
BC807K-40VL
Nexperia USA Inc.

BC807K-40VL

جزء الأسهم: 219

نوع الترانزستور: PNP, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 500mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 45V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 700mV @ 50mA, 500mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 250 @ 100mA, 1V,

إلى قائمة الأمنيات
BC817K-16VL
Nexperia USA Inc.

BC817K-16VL

جزء الأسهم: 174

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 500mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 45V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 700mV @ 50mA, 500mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 100 @ 100mA, 1V,

إلى قائمة الأمنيات
BC817K-40VL
Nexperia USA Inc.

BC817K-40VL

جزء الأسهم: 143

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 500mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 45V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 700mV @ 50mA, 500mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 250 @ 100mA, 1V,

إلى قائمة الأمنيات
BC807K-16VL
Nexperia USA Inc.

BC807K-16VL

جزء الأسهم: 141

نوع الترانزستور: PNP, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 500mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 45V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 700mV @ 50mA, 500mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 100 @ 100mA, 1V,

إلى قائمة الأمنيات
BDX34C
STMicroelectronics

BDX34C

جزء الأسهم: 91615

نوع الترانزستور: PNP - Darlington, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 10A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 100V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 2.5V @ 6mA, 3A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 500µA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 750 @ 3A, 3V,

إلى قائمة الأمنيات
BU931P
STMicroelectronics

BU931P

جزء الأسهم: 23962

نوع الترانزستور: NPN - Darlington, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 15A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 400V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 1.8V @ 250mA, 10A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100µA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 300 @ 5A, 10V,

إلى قائمة الأمنيات
BUT30V
STMicroelectronics

BUT30V

جزء الأسهم: 2858

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 125V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 900mV @ 10A, 100A, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 27 @ 100A, 5V,

إلى قائمة الأمنيات
BD237
STMicroelectronics

BD237

جزء الأسهم: 83226

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 2A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 80V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 600mV @ 100mA, 1A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100µA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 25 @ 1A, 2V,

إلى قائمة الأمنيات
BDW93CFP
STMicroelectronics

BDW93CFP

جزء الأسهم: 47874

نوع الترانزستور: NPN - Darlington, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 12A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 100V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 3V @ 100mA, 10A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 1mA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 750 @ 5A, 3V,

إلى قائمة الأمنيات
BD239C
STMicroelectronics

BD239C

جزء الأسهم: 186503

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 2A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 100V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 700mV @ 200mA, 1A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 300µA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 15 @ 1A, 4V,

إلى قائمة الأمنيات
BCP53-16
STMicroelectronics

BCP53-16

جزء الأسهم: 172006

نوع الترانزستور: PNP, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 1A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 80V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 100 @ 150mA, 2V,

إلى قائمة الأمنيات
BUL98
STMicroelectronics

BUL98

جزء الأسهم: 45196

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 12A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 450V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 1.5V @ 2.4A, 12A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100µA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 15 @ 5A, 5V,

إلى قائمة الأمنيات
BUL743
STMicroelectronics

BUL743

جزء الأسهم: 40937

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 12A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 500V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 1.5V @ 2.5A, 10A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 250µA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 24 @ 2A, 3V,

إلى قائمة الأمنيات
BDX53B
STMicroelectronics

BDX53B

جزء الأسهم: 161752

نوع الترانزستور: NPN - Darlington, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 8A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 80V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 2V @ 12mA, 3A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 500µA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 750 @ 3A, 3V,

إلى قائمة الأمنيات
BD135-16
STMicroelectronics

BD135-16

جزء الأسهم: 120414

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 1.5A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 45V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 40 @ 150mA, 2V,

إلى قائمة الأمنيات
BUTW92
STMicroelectronics

BUTW92

جزء الأسهم: 9504

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 45A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 250V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 1V @ 15A, 60A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 50µA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 9 @ 60A, 3V,

إلى قائمة الأمنيات
BUL49D
STMicroelectronics

BUL49D

جزء الأسهم: 143616

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 5A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 450V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 1.2V @ 800mA, 4A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100µA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 4 @ 7A, 10V,

إلى قائمة الأمنيات
BD136-16
STMicroelectronics

BD136-16

جزء الأسهم: 195392

نوع الترانزستور: PNP, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 1.5A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 45V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 40 @ 150mA, 2V,

إلى قائمة الأمنيات
BUL654
STMicroelectronics

BUL654

جزء الأسهم: 115888

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 12A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 400V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 700mV @ 1.4A, 7A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100µA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 7 @ 6A, 2V,

إلى قائمة الأمنيات
BUL1203EFP
STMicroelectronics

BUL1203EFP

جزء الأسهم: 76398

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 5A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 550V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 1.5V @ 1A, 3A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100µA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 9 @ 2A, 5V,

إلى قائمة الأمنيات
BDX53C
STMicroelectronics

BDX53C

جزء الأسهم: 161808

نوع الترانزستور: NPN - Darlington, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 8A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 100V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 2V @ 12mA, 3A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 500µA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 750 @ 3A, 3V,

إلى قائمة الأمنيات
BD139-10
STMicroelectronics

BD139-10

جزء الأسهم: 155893

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 1.5A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 80V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 40 @ 150mA, 2V,

إلى قائمة الأمنيات
BDX54C
STMicroelectronics

BDX54C

جزء الأسهم: 203

نوع الترانزستور: PNP - Darlington, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 8A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 100V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 2V @ 12mA, 3A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 500µA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 750 @ 3A, 3V,

إلى قائمة الأمنيات
BD677
STMicroelectronics

BD677

جزء الأسهم: 89386

نوع الترانزستور: NPN - Darlington, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 4A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 60V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 2.5V @ 30mA, 1.5A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 500µA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 750 @ 1.5A, 3V,

إلى قائمة الأمنيات
BULB49DT4
STMicroelectronics

BULB49DT4

جزء الأسهم: 181203

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 5A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 450V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 1.2V @ 800mA, 4A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100µA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 4 @ 7A, 10V,

إلى قائمة الأمنيات
BDX33C
STMicroelectronics

BDX33C

جزء الأسهم: 71859

نوع الترانزستور: NPN - Darlington, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 10A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 100V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 2.5V @ 6mA, 3A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 500µA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 750 @ 3A, 3V,

إلى قائمة الأمنيات
BD13516STU
ON Semiconductor

BD13516STU

جزء الأسهم: 164732

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 1.5A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 45V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 100 @ 150mA, 2V,

إلى قائمة الأمنيات