الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - مفرد | منتجات أشباه الموصلات المنفصلة | 100

2SD12710P

جزء الأسهم: 5578

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 7A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 80V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 500mV @ 250mA, 5A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 10µA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 130 @ 3A, 2V,

إلى قائمة الأمنيات

Panasonic Electronic Components

2SD12700P

جزء الأسهم: 5590

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 5A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 80V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 500mV @ 200mA, 4A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 10µA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 130 @ 2A, 2V,

إلى قائمة الأمنيات

Panasonic Electronic Components

2SD12680P

جزء الأسهم: 5591

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 3A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 80V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 500mV @ 100mA, 2A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 10µA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 130 @ 500mA, 2V,

إلى قائمة الأمنيات

Panasonic Electronic Components

2SD12670P

جزء الأسهم: 5659

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 4A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 60V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 1.5V @ 400mA, 4A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 700µA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 120 @ 1A, 4V,

إلى قائمة الأمنيات

Panasonic Electronic Components

2SD1266AP

جزء الأسهم: 5600

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 3A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 80V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 1.2V @ 375mA, 3A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 300µA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 120 @ 1A, 4V,

إلى قائمة الأمنيات

Panasonic Electronic Components

2SD1263AQ

جزء الأسهم: 5617

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 750mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 300V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 1V @ 200mA, 1A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 1mA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 70 @ 300mA, 10V,

إلى قائمة الأمنيات

Panasonic Electronic Components

2SD12660P

جزء الأسهم: 5593

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 3A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 60V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 1.2V @ 375mA, 3A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 300µA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 120 @ 1A, 4V,

إلى قائمة الأمنيات

Panasonic Electronic Components

2SD0946AR

جزء الأسهم: 5584

نوع الترانزستور: NPN - Darlington, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 1A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 1.8V @ 1mA, 1A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 8000 @ 1A, 10V,

إلى قائمة الأمنيات

Panasonic Electronic Components

2SC4960

جزء الأسهم: 5607

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 1A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 800V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 1.5V @ 40mA, 200mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 50µA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 3 @ 500mA, 5V,

إلى قائمة الأمنيات

Panasonic Electronic Components

2SC59540Q

جزء الأسهم: 5595

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 3A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 60V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 600mV @ 20mA, 1A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100µA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 500 @ 500mA, 4V,

إلى قائمة الأمنيات

Panasonic Electronic Components

2SC4420

جزء الأسهم: 5576

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 3A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 800V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 1.5V @ 160mA, 800mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 50µA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 6 @ 800mA, 5V,

إلى قائمة الأمنيات

Panasonic Electronic Components

2SC4559

جزء الأسهم: 5618

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 7A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 400V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 1V @ 600mA, 3A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100µA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 8 @ 3A, 5V,

إلى قائمة الأمنيات

Panasonic Electronic Components

2SC4004

جزء الأسهم: 6586

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 1A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 800V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 1.5V @ 40mA, 200mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 50µA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 3 @ 500mA, 5V,

إلى قائمة الأمنيات

Panasonic Electronic Components

2SC3979A

جزء الأسهم: 5602

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 3A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 800V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 1.5V @ 160mA, 800mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 50µA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 6 @ 800mA, 5V,

إلى قائمة الأمنيات

Panasonic Electronic Components

2SC3975

جزء الأسهم: 5586

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 10A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 500V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 1V @ 1.2A, 6A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100µA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 8 @ 6A, 5V,

إلى قائمة الأمنيات

Panasonic Electronic Components

2SC3979

جزء الأسهم: 5606

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 3A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 800V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 1.5V @ 160mA, 800mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 50µA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 6 @ 800mA, 5V,

إلى قائمة الأمنيات

Panasonic Electronic Components

2SC3974

جزء الأسهم: 5657

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 7A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 500V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 1V @ 800mA, 4A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100µA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 8 @ 4A, 5V,

إلى قائمة الأمنيات

Panasonic Electronic Components

2SC3506

جزء الأسهم: 5620

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 3A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 800V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 1.5V @ 400mA, 2A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 50µA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 6 @ 2A, 5V,

إلى قائمة الأمنيات

Panasonic Electronic Components

2SC3507

جزء الأسهم: 5644

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 5A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 800V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 1.5V @ 600mA, 3A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 50µA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 6 @ 3A, 5V,

إلى قائمة الأمنيات

Panasonic Electronic Components

2SB12990P

جزء الأسهم: 5656

نوع الترانزستور: PNP, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 3A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 60V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 1V @ 50mA, 2A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100µA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 400 @ 500mA, 4V,

إلى قائمة الأمنيات

Panasonic Electronic Components

2SB1623AP

جزء الأسهم: 5626

نوع الترانزستور: PNP - Darlington, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 4A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 80V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 4V @ 20mA, 5A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 500µA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 4000 @ 3A, 3V,

إلى قائمة الأمنيات

Panasonic Electronic Components

2SB11560P

جزء الأسهم: 5583

نوع الترانزستور: PNP, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 20A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 80V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 1.5V @ 2A, 20A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 10µA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 130 @ 3A, 2V,

إلى قائمة الأمنيات

Panasonic Electronic Components

2SB10630P

جزء الأسهم: 5613

نوع الترانزستور: PNP, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 5A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 100V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 2V @ 300mA, 3A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 50µA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 100 @ 1A, 5V,

إلى قائمة الأمنيات

Panasonic Electronic Components

2SB11540Q

جزء الأسهم: 5600

نوع الترانزستور: PNP, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 10A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 80V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 1.5V @ 1A, 10A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 10µA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 90 @ 3A, 2V,

إلى قائمة الأمنيات

Panasonic Electronic Components

2SB10540P

جزء الأسهم: 5579

نوع الترانزستور: PNP, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 5A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 100V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 2V @ 300mA, 3A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 50µA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 100 @ 1A, 5V,

إلى قائمة الأمنيات

Panasonic Electronic Components

2SB0953AQ

جزء الأسهم: 5636

نوع الترانزستور: PNP, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 7A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 40V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 600mV @ 160mA, 5A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 50µA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 90 @ 2A, 2V,

إلى قائمة الأمنيات

Panasonic Electronic Components

2SB0948AP

جزء الأسهم: 5598

نوع الترانزستور: PNP, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 10A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 40V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 600mV @ 330mA, 10A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 50µA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 130 @ 3A, 2V,

إلى قائمة الأمنيات

Panasonic Electronic Components

2SB09510P

جزء الأسهم: 5649

نوع الترانزستور: PNP - Darlington, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 8A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 60V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 1.5V @ 8mA, 4A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100µA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 4000 @ 4A, 3V,

إلى قائمة الأمنيات

Panasonic Electronic Components

2SB09480P

جزء الأسهم: 5566

نوع الترانزستور: PNP, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 10A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 20V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 600mV @ 330mA, 10A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 50µA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 130 @ 3A, 2V,

إلى قائمة الأمنيات

Panasonic Electronic Components

2SB09460P

جزء الأسهم: 6582

نوع الترانزستور: PNP, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 7A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 80V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 500mV @ 250mA, 5A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 10µA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 130 @ 3A, 2V,

إلى قائمة الأمنيات

Panasonic Electronic Components

2SB09440P

جزء الأسهم: 5591

نوع الترانزستور: PNP, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 4A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 80V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 500mV @ 150mA, 3A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 10µA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 130 @ 1A, 2V,

إلى قائمة الأمنيات

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1162S-Y, LF(D

جزء الأسهم: 5659

نوع الترانزستور: PNP, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 150mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 120 @ 2mA, 6V,

إلى قائمة الأمنيات

Central Semiconductor Corp

2N3702

جزء الأسهم: 14039

نوع الترانزستور: PNP, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 25V, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 60 @ 50µA, 5V,

إلى قائمة الأمنيات

STMicroelectronics

2SB772

جزء الأسهم: 6632

نوع الترانزستور: PNP, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 3A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 30V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 1.1V @ 150mA, 3A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100µA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 100 @ 100mA, 2V,

إلى قائمة الأمنيات

ON Semiconductor

2SC4081RT1G

جزء الأسهم: 5636

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 500mV @ 10mA, 100mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100nA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 180 @ 2mA, 6V,

إلى قائمة الأمنيات

ON Semiconductor

2SA1576ART1G

جزء الأسهم: 5652

نوع الترانزستور: PNP, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 500mV @ 10mA, 100mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100nA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 180 @ 2mA, 6V,

إلى قائمة الأمنيات