Menu
العربيةالعربية
rfqs / order.
0rfqs / order.

الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - مفرد

2SC4617T1G
ON Semiconductor

2SC4617T1G

جزء الأسهم: 6602

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 400mV @ 5mA, 60mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 500nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 120 @ 1mA, 6V,

إلى قائمة الأمنيات
2N4923G
ON Semiconductor

2N4923G

جزء الأسهم: 109333

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 1A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 80V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 600mV @ 100mA, 1A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 500µA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 30 @ 500mA, 1V,

إلى قائمة الأمنيات
2SA733P_D26Z
ON Semiconductor

2SA733P_D26Z

جزء الأسهم: 6549

نوع الترانزستور: PNP, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 500mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 200 @ 1mA, 6V,

إلى قائمة الأمنيات
2SA733P
ON Semiconductor

2SA733P

جزء الأسهم: 6552

نوع الترانزستور: PNP, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 500mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 200 @ 1mA, 6V,

إلى قائمة الأمنيات
2SC4027T-H
ON Semiconductor

2SC4027T-H

جزء الأسهم: 191391

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 1.5A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 160V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 450mV @ 50mA, 500mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 1µA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 200 @ 100mA, 5V,

إلى قائمة الأمنيات
2N5210
Central Semiconductor Corp

2N5210

جزء الأسهم: 162819

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 50mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 700mV @ 1mA, 10mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 50nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 200 @ 100µA, 5V,

إلى قائمة الأمنيات
2N4033
Central Semiconductor Corp

2N4033

جزء الأسهم: 34787

نوع الترانزستور: PNP, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 1A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 80V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 50nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 100 @ 100mA, 5V,

إلى قائمة الأمنيات
2SD1221-Y(Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SD1221-Y(Q)

جزء الأسهم: 6572

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 3A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 60V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 1V @ 300mA, 3A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100µA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 100 @ 500mA, 5V,

إلى قائمة الأمنيات
2SA1225-Y(Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1225-Y(Q)

جزء الأسهم: 6628

نوع الترانزستور: PNP, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 1.5A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 160V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 1µA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 120 @ 100mA, 5V,

إلى قائمة الأمنيات
2SC2705-Y(TE6,F,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2705-Y(TE6,F,M)

جزء الأسهم: 6565

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 50mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 150V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 1V @ 1mA, 10mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 120 @ 10mA, 5V,

إلى قائمة الأمنيات
2SD2406-Y(F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SD2406-Y(F)

جزء الأسهم: 6556

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 4A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 80V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 1.5V @ 300mA, 3A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 30µA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 120 @ 500mA, 5V,

إلى قائمة الأمنيات
2SD1407A-Y(F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SD1407A-Y(F)

جزء الأسهم: 6562

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 5A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 100V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 2V @ 400mA, 4A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100µA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 120 @ 1A, 5V,

إلى قائمة الأمنيات
2SC3074-Y(Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC3074-Y(Q)

جزء الأسهم: 6619

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 5A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 400mV @ 150mA, 3A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 1µA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 120 @ 1A, 1V,

إلى قائمة الأمنيات
2ST2121
STMicroelectronics

2ST2121

جزء الأسهم: 6604

نوع الترانزستور: PNP, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 17A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 250V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 3V @ 800mA, 8A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 5µA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 80 @ 1A, 5V,

إلى قائمة الأمنيات
2SD2623G0L
Panasonic Electronic Components

2SD2623G0L

جزء الأسهم: 6618

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 500mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 20V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 400mV @ 20mA, 500mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 200 @ 500mA, 2V,

إلى قائمة الأمنيات
2SD2621G0L
Panasonic Electronic Components

2SD2621G0L

جزء الأسهم: 6550

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 20mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 100V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 200mV @ 1mA, 10mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 1µA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 400 @ 2mA, 10V,

إلى قائمة الأمنيات
2SD2216G0L
Panasonic Electronic Components

2SD2216G0L

جزء الأسهم: 6587

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100µA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 180 @ 2mA, 10V,

إلى قائمة الأمنيات
2SD2345GSL
Panasonic Electronic Components

2SD2345GSL

جزء الأسهم: 6564

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 50mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 40V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 200mV @ 1mA, 10mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 1µA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 600 @ 2mA, 10V,

إلى قائمة الأمنيات
2SD1824GRL
Panasonic Electronic Components

2SD1824GRL

جزء الأسهم: 6565

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 20mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 100V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 200mV @ 1mA, 10mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 1µA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 400 @ 2mA, 10V,

إلى قائمة الأمنيات
2SD1823GRL
Panasonic Electronic Components

2SD1823GRL

جزء الأسهم: 6544

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 50mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 40V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 200mV @ 1mA, 10mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 1µA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 400 @ 2mA, 10V,

إلى قائمة الأمنيات
2SD1820GRL
Panasonic Electronic Components

2SD1820GRL

جزء الأسهم: 6618

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 500mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 600mV @ 30mA, 300mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 120 @ 150mA, 10V,

إلى قائمة الأمنيات
2SD1819GQL
Panasonic Electronic Components

2SD1819GQL

جزء الأسهم: 6732

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100µA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 160 @ 2mA, 10V,

إلى قائمة الأمنيات
2SD1819G0L
Panasonic Electronic Components

2SD1819G0L

جزء الأسهم: 6563

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100µA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 160 @ 2mA, 10V,

إلى قائمة الأمنيات
2SC5654G0L
Panasonic Electronic Components

2SC5654G0L

جزء الأسهم: 6566

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 1A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 20V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 100mV @ 10mA, 200mA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 160 @ 100mA, 2V,

إلى قائمة الأمنيات
2SC6054G0L
Panasonic Electronic Components

2SC6054G0L

جزء الأسهم: 6570

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100µA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 160 @ 2mA, 10V,

إلى قائمة الأمنيات
2SC3938GQL
Panasonic Electronic Components

2SC3938GQL

جزء الأسهم: 6580

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 40V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 250mV @ 1mA, 10mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 60 @ 10mA, 1V,

إلى قائمة الأمنيات
2SC3938GRL
Panasonic Electronic Components

2SC3938GRL

جزء الأسهم: 6545

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 40V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 250mV @ 1mA, 10mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 90 @ 10mA, 1V,

إلى قائمة الأمنيات
2SB1679G0L
Panasonic Electronic Components

2SB1679G0L

جزء الأسهم: 6560

نوع الترانزستور: PNP, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 500mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 10V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 300mV @ 8mA, 400mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 130 @ 500mA, 2V,

إلى قائمة الأمنيات
2SB1462G0L
Panasonic Electronic Components

2SB1462G0L

جزء الأسهم: 6561

نوع الترانزستور: PNP, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 500mV @ 10mA, 100mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100µA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 160 @ 2mA, 10V,

إلى قائمة الأمنيات
2SB1218GSL
Panasonic Electronic Components

2SB1218GSL

جزء الأسهم: 6572

نوع الترانزستور: PNP, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 45V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 500mV @ 10mA, 100mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100µA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 290 @ 2mA, 10V,

إلى قائمة الأمنيات
2SB1218G0L
Panasonic Electronic Components

2SB1218G0L

جزء الأسهم: 6637

نوع الترانزستور: PNP, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 45V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 500mV @ 10mA, 100mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100µA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 160 @ 2mA, 10V,

إلى قائمة الأمنيات
2SB0789GRL
Panasonic Electronic Components

2SB0789GRL

جزء الأسهم: 6670

نوع الترانزستور: PNP, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 500mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 120V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 600mV @ 50mA, 500mA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 130 @ 150mA, 10V,

إلى قائمة الأمنيات
2SA2078G0L
Panasonic Electronic Components

2SA2078G0L

جزء الأسهم: 6567

نوع الترانزستور: PNP, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 500mV @ 10mA, 100mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100µA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 180 @ 2mA, 10V,

إلى قائمة الأمنيات
2SA1890GRL
Panasonic Electronic Components

2SA1890GRL

جزء الأسهم: 5684

نوع الترانزستور: PNP, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 1A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 80V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 300mV @ 50mA, 500mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 120 @ 100mA, 2V,

إلى قائمة الأمنيات
2SB1218GQL
Panasonic Electronic Components

2SB1218GQL

جزء الأسهم: 6582

نوع الترانزستور: PNP, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 45V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 500mV @ 10mA, 100mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100µA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 160 @ 2mA, 10V,

إلى قائمة الأمنيات
2SA1806GRL
Panasonic Electronic Components

2SA1806GRL

جزء الأسهم: 6624

نوع الترانزستور: PNP, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 50mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 15V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 200mV @ 1mA, 10mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 90 @ 10mA, 1V,

إلى قائمة الأمنيات