Menu
العربيةالعربية
rfqs / order.
0rfqs / order.

الترانزستورات - IGBTs - واحد

IXSX40N60CD1
IXYS

IXSX40N60CD1

جزء الأسهم: 6631

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 75A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 150A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.5V @ 15V, 40A, أقصى القوة: 280W,

إلى قائمة الأمنيات
IXYH40N65C3H1
IXYS

IXYH40N65C3H1

جزء الأسهم: 11514

نوع IGBT: PT, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 650V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 80A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 180A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.2V @ 15V, 40A, أقصى القوة: 300W,

إلى قائمة الأمنيات
IXGA7N60C
IXYS

IXGA7N60C

جزء الأسهم: 5680

نوع IGBT: PT, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 14A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 30A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.7V @ 15V, 7A, أقصى القوة: 54W,

إلى قائمة الأمنيات
IXGR40N60C2D1
IXYS

IXGR40N60C2D1

جزء الأسهم: 6683

نوع IGBT: PT, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 56A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 200A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.7V @ 15V, 30A, أقصى القوة: 170W,

إلى قائمة الأمنيات
IXGH50N60A
IXYS

IXGH50N60A

جزء الأسهم: 6586

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 75A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 200A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.7V @ 15V, 50A, أقصى القوة: 250W,

إلى قائمة الأمنيات
IXSH20N60B2D1
IXYS

IXSH20N60B2D1

جزء الأسهم: 5675

نوع IGBT: PT, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 35A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 60A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.5V @ 15V, 16A, أقصى القوة: 190W,

إلى قائمة الأمنيات
IXST40N60B
IXYS

IXST40N60B

جزء الأسهم: 5722

نوع IGBT: PT, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 75A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 150A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.2V @ 15V, 40A, أقصى القوة: 280W,

إلى قائمة الأمنيات
IXGP70N33TBM-A
IXYS

IXGP70N33TBM-A

جزء الأسهم: 24731

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 330V,

إلى قائمة الأمنيات
IXGP28N120B
IXYS

IXGP28N120B

جزء الأسهم: 16200

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 50A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 150A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 3.5V @ 15V, 28A, أقصى القوة: 250W,

إلى قائمة الأمنيات
IXRP15N120
IXYS

IXRP15N120

جزء الأسهم: 6686

نوع IGBT: NPT, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 25A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.95V @ 15V, 10A, أقصى القوة: 300W,

إلى قائمة الأمنيات
IXGT30N60C2D1
IXYS

IXGT30N60C2D1

جزء الأسهم: 6688

نوع IGBT: PT, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 70A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 150A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.7V @ 15V, 24A, أقصى القوة: 190W,

إلى قائمة الأمنيات
IXGT12N120A2D1
IXYS

IXGT12N120A2D1

جزء الأسهم: 17808

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V,

إلى قائمة الأمنيات
IXGP16N60B2
IXYS

IXGP16N60B2

جزء الأسهم: 6616

نوع IGBT: PT, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 40A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 100A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.95V @ 15V, 12A, أقصى القوة: 150W,

إلى قائمة الأمنيات
IXGH10N100A
IXYS

IXGH10N100A

جزء الأسهم: 16116

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1000V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 20A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 4V @ 15V, 10A, أقصى القوة: 100W,

إلى قائمة الأمنيات
IRG4BC10UDPBF
Infineon Technologies

IRG4BC10UDPBF

جزء الأسهم: 33304

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 8.5A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 34A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.6V @ 15V, 5A, أقصى القوة: 38W,

إلى قائمة الأمنيات
IRG4BC20SD-SPBF
Infineon Technologies

IRG4BC20SD-SPBF

جزء الأسهم: 6618

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 19A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 38A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.6V @ 15V, 10A, أقصى القوة: 60W,

إلى قائمة الأمنيات
IRGBC30UD2
Infineon Technologies

IRGBC30UD2

جزء الأسهم: 6522

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 23A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 3V @ 15V, 12A, أقصى القوة: 100W,

إلى قائمة الأمنيات
IRG4PH40UDPBF
Infineon Technologies

IRG4PH40UDPBF

جزء الأسهم: 12502

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 41A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 82A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 3.1V @ 15V, 21A, أقصى القوة: 160W,

إلى قائمة الأمنيات
IRGP20B120UD-EP
Infineon Technologies

IRGP20B120UD-EP

جزء الأسهم: 7421

نوع IGBT: NPT, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 40A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 120A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 4.85V @ 15V, 40A, أقصى القوة: 300W,

إلى قائمة الأمنيات
IRG4BC40W-STRRP
Infineon Technologies

IRG4BC40W-STRRP

جزء الأسهم: 31860

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 40A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 160A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.5V @ 15V, 20A, أقصى القوة: 160W,

إلى قائمة الأمنيات
IRG4PC30UPBF
Infineon Technologies

IRG4PC30UPBF

جزء الأسهم: 28319

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 23A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 92A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.1V @ 15V, 12A, أقصى القوة: 100W,

إلى قائمة الأمنيات
IRG4BC30K-S
Infineon Technologies

IRG4BC30K-S

جزء الأسهم: 6587

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 28A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 58A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.7V @ 15V, 16A, أقصى القوة: 100W,

إلى قائمة الأمنيات
IRG4BC30FDSTRRP
Infineon Technologies

IRG4BC30FDSTRRP

جزء الأسهم: 32998

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 31A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 120A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.8V @ 15V, 17A, أقصى القوة: 100W,

إلى قائمة الأمنيات
IRG4IBC20UDPBF
Infineon Technologies

IRG4IBC20UDPBF

جزء الأسهم: 24919

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 11.4A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 52A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.1V @ 15V, 6.5A, أقصى القوة: 34W,

إلى قائمة الأمنيات
IRG4BC30S-S
Infineon Technologies

IRG4BC30S-S

جزء الأسهم: 6566

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 34A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 68A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.6V @ 15V, 18A, أقصى القوة: 100W,

إلى قائمة الأمنيات
IRG4RC10UTR
Infineon Technologies

IRG4RC10UTR

جزء الأسهم: 5716

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 8.5A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 34A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.6V @ 15V, 5A, أقصى القوة: 38W,

إلى قائمة الأمنيات
SGP30N60XKSA1
Infineon Technologies

SGP30N60XKSA1

جزء الأسهم: 6600

نوع IGBT: NPT, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 41A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 112A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.4V @ 15V, 30A, أقصى القوة: 250W,

إلى قائمة الأمنيات
IRG4PC50UD-EPBF
Infineon Technologies

IRG4PC50UD-EPBF

جزء الأسهم: 8997

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 55A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 220A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2V @ 15V, 27A, أقصى القوة: 200W,

إلى قائمة الأمنيات
IRGPH50F
Infineon Technologies

IRGPH50F

جزء الأسهم: 6574

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 45A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.9V @ 15V, 25A, أقصى القوة: 200W,

إلى قائمة الأمنيات
SGF23N60UFDM1TU
ON Semiconductor

SGF23N60UFDM1TU

جزء الأسهم: 6626

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 23A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 92A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.6V @ 15V, 12A, أقصى القوة: 75W,

إلى قائمة الأمنيات
FGPF70N30TDTU
ON Semiconductor

FGPF70N30TDTU

جزء الأسهم: 6629

نوع IGBT: Trench, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 300V, التيار - المجمع النبضي (Icm): 160A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.5V @ 15V, 20A, أقصى القوة: 49.2W,

إلى قائمة الأمنيات
FGA180N33ATTU
ON Semiconductor

FGA180N33ATTU

جزء الأسهم: 17424

نوع IGBT: Trench, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 330V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 180A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 450A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.4V @ 15V, 40A, أقصى القوة: 390W,

إلى قائمة الأمنيات
FGA6065ADF
ON Semiconductor

FGA6065ADF

جزء الأسهم: 18174

نوع IGBT: Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 650V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 120A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 180A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.3V @ 15V, 60A, أقصى القوة: 306W,

إلى قائمة الأمنيات
SGH23N60UFDTU
ON Semiconductor

SGH23N60UFDTU

جزء الأسهم: 6635

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 23A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 92A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.6V @ 15V, 12A, أقصى القوة: 100W,

إلى قائمة الأمنيات
FGA40T65SHDF
ON Semiconductor

FGA40T65SHDF

جزء الأسهم: 23780

نوع IGBT: Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 650V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 80A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 120A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.81V @ 15V, 40A, أقصى القوة: 268W,

إلى قائمة الأمنيات
TIG064E8-TL-H
ON Semiconductor

TIG064E8-TL-H

جزء الأسهم: 93506

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 400V, التيار - المجمع النبضي (Icm): 150A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 7V @ 2.5V, 100A,

إلى قائمة الأمنيات