Menu
العربيةالعربية
rfqs / order.
0rfqs / order.

الترانزستورات - IGBTs - واحد

NGB8206NT4G
Littelfuse Inc.

NGB8206NT4G

جزء الأسهم: 6623

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 390V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 20A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.9V @ 4.5V, 20A, أقصى القوة: 150W,

إلى قائمة الأمنيات
IRG4PC30WPBF
Infineon Technologies

IRG4PC30WPBF

جزء الأسهم: 24020

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 23A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 92A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.7V @ 15V, 12A, أقصى القوة: 100W,

إلى قائمة الأمنيات
IRGS4065PBF
Infineon Technologies

IRGS4065PBF

جزء الأسهم: 5663

نوع IGBT: Trench, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 300V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 70A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.1V @ 15V, 70A, أقصى القوة: 178W,

إلى قائمة الأمنيات
SGB15N120ATMA1
Infineon Technologies

SGB15N120ATMA1

جزء الأسهم: 30722

نوع IGBT: NPT, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 30A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 52A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 3.6V @ 15V, 15A, أقصى القوة: 198W,

إلى قائمة الأمنيات
IRGPF40F
Infineon Technologies

IRGPF40F

جزء الأسهم: 6593

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 900V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 31A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 3.3V @ 15V, 17A, أقصى القوة: 160W,

إلى قائمة الأمنيات
IRG4PSH71UPBF
Infineon Technologies

IRG4PSH71UPBF

جزء الأسهم: 6561

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 99A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 200A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.7V @ 15V, 70A, أقصى القوة: 350W,

إلى قائمة الأمنيات
IRGPC50FD2
Infineon Technologies

IRGPC50FD2

جزء الأسهم: 6578

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 70A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.7V @ 15V, 39A, أقصى القوة: 200W,

إلى قائمة الأمنيات
IRG4BH20K-S
Infineon Technologies

IRG4BH20K-S

جزء الأسهم: 6542

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 11A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 22A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 4.3V @ 15V, 5A, أقصى القوة: 60W,

إلى قائمة الأمنيات
IRG4PC30U
Infineon Technologies

IRG4PC30U

جزء الأسهم: 6588

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 23A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 92A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.1V @ 15V, 12A, أقصى القوة: 100W,

إلى قائمة الأمنيات
IRG4BC40U
Infineon Technologies

IRG4BC40U

جزء الأسهم: 6518

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 40A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 160A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.1V @ 15V, 20A, أقصى القوة: 160W,

إلى قائمة الأمنيات
IRG4BC20KDSTRRP
Infineon Technologies

IRG4BC20KDSTRRP

جزء الأسهم: 42708

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 16A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 32A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.8V @ 15V, 9A, أقصى القوة: 60W,

إلى قائمة الأمنيات
IRG4BC20SDPBF
Infineon Technologies

IRG4BC20SDPBF

جزء الأسهم: 6619

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 19A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 38A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.6V @ 15V, 10A, أقصى القوة: 60W,

إلى قائمة الأمنيات
IRG4BC20K-SPBF
Infineon Technologies

IRG4BC20K-SPBF

جزء الأسهم: 6600

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 16A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 32A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.8V @ 15V, 9A, أقصى القوة: 60W,

إلى قائمة الأمنيات
IRG4BH20K-L
Infineon Technologies

IRG4BH20K-L

جزء الأسهم: 6575

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 11A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 22A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 4.3V @ 15V, 5A, أقصى القوة: 60W,

إلى قائمة الأمنيات
IRGB6B60KDPBF
Infineon Technologies

IRGB6B60KDPBF

جزء الأسهم: 32614

نوع IGBT: NPT, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 13A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 26A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.2V @ 15V, 5A, أقصى القوة: 90W,

إلى قائمة الأمنيات
IXSR35N120BD1
IXYS

IXSR35N120BD1

جزء الأسهم: 6702

نوع IGBT: PT, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 70A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 140A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 3.6V @ 15V, 35A, أقصى القوة: 250W,

إلى قائمة الأمنيات
IXGH20N120A3
IXYS

IXGH20N120A3

جزء الأسهم: 10718

نوع IGBT: PT, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 40A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 120A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.5V @ 15V, 20A, أقصى القوة: 180W,

إلى قائمة الأمنيات
IXSR40N60BD1
IXYS

IXSR40N60BD1

جزء الأسهم: 6696

نوع IGBT: PT, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 70A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 150A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.2V @ 15V, 40A, أقصى القوة: 170W,

إلى قائمة الأمنيات
IXGH22N140IH
IXYS

IXGH22N140IH

جزء الأسهم: 13635

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1400V,

إلى قائمة الأمنيات
IXGP15N100C
IXYS

IXGP15N100C

جزء الأسهم: 12660

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1000V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 30A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 60A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 3.5V @ 15V, 15A, أقصى القوة: 150W,

إلى قائمة الأمنيات
IXGT40N60B2D1
IXYS

IXGT40N60B2D1

جزء الأسهم: 6654

نوع IGBT: PT, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 75A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 200A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.7V @ 15V, 30A, أقصى القوة: 300W,

إلى قائمة الأمنيات
IXGR40N60B2
IXYS

IXGR40N60B2

جزء الأسهم: 6670

نوع IGBT: PT, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 60A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 200A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.9V @ 15V, 30A, أقصى القوة: 167W,

إلى قائمة الأمنيات
IXGH40N60C2
IXYS

IXGH40N60C2

جزء الأسهم: 6648

نوع IGBT: PT, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 75A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 200A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.7V @ 15V, 30A, أقصى القوة: 300W,

إلى قائمة الأمنيات
IXSH15N120B
IXYS

IXSH15N120B

جزء الأسهم: 5722

نوع IGBT: PT, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 30A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 60A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 3.4V @ 15V, 15A, أقصى القوة: 150W,

إلى قائمة الأمنيات
IXGH10N100U1
IXYS

IXGH10N100U1

جزء الأسهم: 6573

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1000V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 20A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 40A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 3.5V @ 15V, 10A, أقصى القوة: 100W,

إلى قائمة الأمنيات
IXGQ200N30PB
IXYS

IXGQ200N30PB

جزء الأسهم: 10383

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 300V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 400A,

إلى قائمة الأمنيات
IXGT32N90B2D1
IXYS

IXGT32N90B2D1

جزء الأسهم: 10846

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 900V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 64A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 200A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.7V @ 15V, 32A, أقصى القوة: 300W,

إلى قائمة الأمنيات
IXGK60N60C2D1
IXYS

IXGK60N60C2D1

جزء الأسهم: 6656

نوع IGBT: PT, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 75A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 300A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.5V @ 15V, 50A, أقصى القوة: 480W,

إلى قائمة الأمنيات
IXGQ96N30TCD1
IXYS

IXGQ96N30TCD1

جزء الأسهم: 12520

نوع IGBT: Trench, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 320V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 96A,

إلى قائمة الأمنيات
IXGX50N60BD1
IXYS

IXGX50N60BD1

جزء الأسهم: 6639

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 75A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 200A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.3V @ 15V, 50A, أقصى القوة: 300W,

إلى قائمة الأمنيات
GPA060A060MN-FD
Global Power Technologies Group

GPA060A060MN-FD

جزء الأسهم: 27610

نوع IGBT: Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 120A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 180A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.3V @ 15V, 60A, أقصى القوة: 347W,

إلى قائمة الأمنيات
STGP10NC60K
STMicroelectronics

STGP10NC60K

جزء الأسهم: 6602

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 20A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 30A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.5V @ 15V, 5A, أقصى القوة: 60W,

إلى قائمة الأمنيات
STGP7NB60HD
STMicroelectronics

STGP7NB60HD

جزء الأسهم: 5714

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 14A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 56A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.8V @ 15V, 7A, أقصى القوة: 80W,

إلى قائمة الأمنيات
FGH75N60SFTU
ON Semiconductor

FGH75N60SFTU

جزء الأسهم: 13647

نوع IGBT: Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 150A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 225A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.9V @ 15V, 75A, أقصى القوة: 452W,

إلى قائمة الأمنيات
HGTP3N60A4D
ON Semiconductor

HGTP3N60A4D

جزء الأسهم: 51983

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 17A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 40A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.7V @ 15V, 3A, أقصى القوة: 70W,

إلى قائمة الأمنيات
HGTP2N120CN
ON Semiconductor

HGTP2N120CN

جزء الأسهم: 6659

نوع IGBT: NPT, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 13A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 20A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.4V @ 15V, 2.6A, أقصى القوة: 104W,

إلى قائمة الأمنيات