يكتب: IGBT, إعدادات: 3 Phase Inverter, تيار: 3A, الجهد االكهربى: 600V, الجهد - العزلة: 1500Vrms, العبوة / العلبة: 26-PowerDIP Module (0.846", 21.48mm),
يكتب: IGBT, إعدادات: 3 Phase, تيار: 10A, الجهد االكهربى: 600V, الجهد - العزلة: 2500Vrms, العبوة / العلبة: 25-PowerDIP Module (0.993", 25.23mm),
يكتب: IGBT, إعدادات: 3 Phase, تيار: 15A, الجهد االكهربى: 600V, الجهد - العزلة: 2500Vrms, العبوة / العلبة: 25-PowerDIP Module (0.993", 25.23mm),
يكتب: IGBT, إعدادات: 1 Phase, تيار: 35A, الجهد االكهربى: 1.2kV, الجهد - العزلة: 2500Vrms, العبوة / العلبة: 18-PowerDIP Module (1.087", 27.60mm),
يكتب: IGBT, إعدادات: 3 Phase, تيار: 20A, الجهد االكهربى: 600V, الجهد - العزلة: 2500Vrms, العبوة / العلبة: 25-PowerDIP Module (0.993", 25.23mm),
يكتب: IGBT, إعدادات: 3 Phase Inverter, تيار: 20A, الجهد االكهربى: 600V, الجهد - العزلة: 1500Vrms, العبوة / العلبة: 26-PowerDIP Module (1.327", 33.70mm),
يكتب: IGBT, إعدادات: 3 Phase, تيار: 14A, الجهد االكهربى: 600V, الجهد - العزلة: 2500VDC, العبوة / العلبة: 38-PowerDIP Module (1.146", 29.10mm),
يكتب: MOSFET, إعدادات: 3 Phase Inverter, تيار: 2A, الجهد االكهربى: 500V, الجهد - العزلة: 1000Vrms, العبوة / العلبة: 26-PowerDIP Module (0.573", 14.50mm),
يكتب: IGBT, إعدادات: 3 Phase Inverter, تيار: 15A, الجهد االكهربى: 1.2kV, الجهد - العزلة: 2500Vrms, العبوة / العلبة: 27-PowerDIP Module (1.205", 30.60mm),
يكتب: MOSFET, إعدادات: 3 Phase, تيار: 2A, الجهد االكهربى: 500V, الجهد - العزلة: 1500Vrms, العبوة / العلبة: 23-PowerDIP Module (0.644", 16.35mm),
يكتب: IGBT, إعدادات: 3 Phase, تيار: 53A, الجهد االكهربى: 600V, الجهد - العزلة: 2000Vrms, العبوة / العلبة: 28-PowerSIP Module, 23 Leads, Formed Leads,
يكتب: IGBT, إعدادات: 3 Phase Inverter, تيار: 30A, الجهد االكهربى: 600V, الجهد - العزلة: 2500Vrms, العبوة / العلبة: 27-DIP Module,
يكتب: IGBT, إعدادات: 3 Phase, تيار: 15A, الجهد االكهربى: 600V, الجهد - العزلة: 2500Vrms, العبوة / العلبة: 27-PowerDIP Module (1.205", 30.60mm),
يكتب: IGBT, إعدادات: 3 Phase, تيار: 30A, الجهد االكهربى: 600V, الجهد - العزلة: 2000Vrms, العبوة / العلبة: 26-PowerDIP Module (1.024", 26.00mm),
يكتب: MOSFET, إعدادات: 3 Phase, تيار: 1.5A, الجهد االكهربى: 500V, الجهد - العزلة: 1500Vrms, العبوة / العلبة: 23-PowerDIP Module (0.748", 19.00mm),
يكتب: IGBT, إعدادات: 3 Phase, تيار: 10A, الجهد االكهربى: 600V, الجهد - العزلة: 2000Vrms, العبوة / العلبة: 26-PowerDIP Module (1.024", 26.00mm),
يكتب: MOSFET, إعدادات: 3 Phase, تيار: 4.1A, الجهد االكهربى: 250V, الجهد - العزلة: 1500Vrms, العبوة / العلبة: 27-PowerLQFN Module,
يكتب: IGBT, إعدادات: 3 Phase, تيار: 8A, الجهد االكهربى: 600V, الجهد - العزلة: 2000Vrms, العبوة / العلبة: 26-PowerDIP Module (1.024", 26.00mm),
يكتب: IGBT, إعدادات: 3 Phase, تيار: 30A, الجهد االكهربى: 600V, الجهد - العزلة: 2500VDC, العبوة / العلبة: 38-PowerDIP Module (1.413", 35.90mm),
يكتب: IGBT, إعدادات: 3 Phase, تيار: 25A, الجهد االكهربى: 1.2kV, الجهد - العزلة: 2500Vrms, العبوة / العلبة: Power Module,
يكتب: IGBT, إعدادات: 3 Phase, تيار: 150A, الجهد االكهربى: 600V, الجهد - العزلة: 2500Vrms, العبوة / العلبة: Power Module,
يكتب: IGBT, إعدادات: 3 Phase, تيار: 200A, الجهد االكهربى: 600V, الجهد - العزلة: 2500Vrms, العبوة / العلبة: Power Module,
يكتب: IGBT, إعدادات: 3 Phase, تيار: 25A, الجهد االكهربى: 1.2kV, الجهد - العزلة: 2500VDC, العبوة / العلبة: 28-PowerDIP Module (1.882", 47.80mm),
يكتب: IGBT, إعدادات: 2 Phase, تيار: 30A, الجهد االكهربى: 650V, الجهد - العزلة: 2000Vrms, العبوة / العلبة: 24-PowerDIP Module (1.028", 26.10mm),
يكتب: IGBT, إعدادات: 3 Phase, تيار: 15A, الجهد االكهربى: 600V, الجهد - العزلة: 2000Vrms, العبوة / العلبة: 29-PowerSSIP Module, 21 Leads, Formed Leads,
يكتب: IGBT, إعدادات: 3 Phase, تيار: 4A, الجهد االكهربى: 600V, الجهد - العزلة: 2000Vrms, العبوة / العلبة: 24-PowerDIP Module (1.028", 26.10mm),
يكتب: IGBT, إعدادات: 3 Phase Inverter, تيار: 30A, الجهد االكهربى: 650V, الجهد - العزلة: 2000Vrms, العبوة / العلبة: 24-PowerDIP Module (1.028", 26.10mm),
يكتب: IGBT, إعدادات: 3 Phase, تيار: 30A, الجهد االكهربى: 600V, الجهد - العزلة: 2000Vrms, العبوة / العلبة: 23-PowerSIP Module, 19 Leads, Formed Leads,
يكتب: MOSFET, إعدادات: Half Bridge, تيار: 240A, الجهد االكهربى: 1.2kV, الجهد - العزلة: 2500Vrms, العبوة / العلبة: Power Module,
يكتب: MOSFET, إعدادات: 3 Phase, تيار: 80A, الجهد االكهربى: 1.2kV, الجهد - العزلة: 2500Vrms, العبوة / العلبة: Power Module,
يكتب: IGBT, إعدادات: Half Bridge, تيار: 200A, الجهد االكهربى: 1.2kV, الجهد - العزلة: 2500Vrms, العبوة / العلبة: Power Module,
يكتب: MOSFET, إعدادات: Half Bridge, تيار: 360A, الجهد االكهربى: 1.2kV, الجهد - العزلة: 2500Vrms, العبوة / العلبة: Power Module,