Menu
العربيةالعربية
rfqs / order.
0rfqs / order.

الثنائيات - المقومات - مفرد

8ETU04
Vishay Semiconductor Diodes Division

8ETU04

جزء الأسهم: 150

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 400V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 8A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.3V @ 8A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 60ns,

إلى قائمة الأمنيات
8TQ100STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division

8TQ100STRL

جزء الأسهم: 128

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 100V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 8A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 720mV @ 8A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

إلى قائمة الأمنيات
8TQ080STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division

8TQ080STRR

جزء الأسهم: 5547

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 80V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 8A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 720mV @ 8A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

إلى قائمة الأمنيات
8TQ080STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division

8TQ080STRL

جزء الأسهم: 144

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 80V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 8A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 720mV @ 8A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

إلى قائمة الأمنيات
8EWS10STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division

8EWS10STRL

جزء الأسهم: 184

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 1000V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 8A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.1V @ 8A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

إلى قائمة الأمنيات
8EWS12STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division

8EWS12STRL

جزء الأسهم: 175

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 1200V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 8A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.1V @ 8A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

إلى قائمة الأمنيات
8EWS10S
Vishay Semiconductor Diodes Division

8EWS10S

جزء الأسهم: 175

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 1000V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 8A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.1V @ 8A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

إلى قائمة الأمنيات
8EWS08STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division

8EWS08STRL

جزء الأسهم: 126

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 800V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 8A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.1V @ 8A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

إلى قائمة الأمنيات
8EWS08STR
Vishay Semiconductor Diodes Division

8EWS08STR

جزء الأسهم: 197

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 800V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 8A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.1V @ 8A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

إلى قائمة الأمنيات
8EWF10STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division

8EWF10STRL

جزء الأسهم: 5071

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 1000V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 8A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.3V @ 8A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 270ns,

إلى قائمة الأمنيات
8EWF12STR
Vishay Semiconductor Diodes Division

8EWF12STR

جزء الأسهم: 126

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 1200V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 8A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.3V @ 8A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 270ns,

إلى قائمة الأمنيات
8EWF06STR
Vishay Semiconductor Diodes Division

8EWF06STR

جزء الأسهم: 142

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 600V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 8A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.2V @ 8A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 140ns,

إلى قائمة الأمنيات
8EWF06STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division

8EWF06STRR

جزء الأسهم: 182

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 600V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 8A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.2V @ 8A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 140ns,

إلى قائمة الأمنيات
8EWF04STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division

8EWF04STRR

جزء الأسهم: 133

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 400V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 8A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.2V @ 8A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 140ns,

إلى قائمة الأمنيات
8EWF04STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division

8EWF04STRL

جزء الأسهم: 164

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 400V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 8A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.2V @ 8A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 140ns,

إلى قائمة الأمنيات
8EWF02STR
Vishay Semiconductor Diodes Division

8EWF02STR

جزء الأسهم: 174

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 200V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 8A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.2V @ 8A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 140ns,

إلى قائمة الأمنيات
8EWF02STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division

8EWF02STRL

جزء الأسهم: 100

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 200V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 8A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.2V @ 8A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 140ns,

إلى قائمة الأمنيات
8AF4NPP
Vishay Semiconductor Diodes Division

8AF4NPP

جزء الأسهم: 131

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 400V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 50A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

إلى قائمة الأمنيات
8AF1RPP
Vishay Semiconductor Diodes Division

8AF1RPP

جزء الأسهم: 115

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 100V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 50A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

إلى قائمة الأمنيات
8AF05RPP
Vishay Semiconductor Diodes Division

8AF05RPP

جزء الأسهم: 5075

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 50V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 50A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

إلى قائمة الأمنيات
8AF05NPP
Vishay Semiconductor Diodes Division

8AF05NPP

جزء الأسهم: 119

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 50V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 50A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

إلى قائمة الأمنيات
80EPS12
Vishay Semiconductor Diodes Division

80EPS12

جزء الأسهم: 112

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 1200V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 80A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.17V @ 80A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

إلى قائمة الأمنيات
80EPS08
Vishay Semiconductor Diodes Division

80EPS08

جزء الأسهم: 133

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 800V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 80A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.17V @ 80A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

إلى قائمة الأمنيات
80EPF12
Vishay Semiconductor Diodes Division

80EPF12

جزء الأسهم: 126

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 1200V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 80A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.35V @ 80A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 480ns,

إلى قائمة الأمنيات
80EPF10
Vishay Semiconductor Diodes Division

80EPF10

جزء الأسهم: 66

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 1000V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 80A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.35V @ 80A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 480ns,

إلى قائمة الأمنيات
80EPF06
Vishay Semiconductor Diodes Division

80EPF06

جزء الأسهم: 72

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 600V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 80A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.25V @ 80A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 190ns,

إلى قائمة الأمنيات
80EPF02
Vishay Semiconductor Diodes Division

80EPF02

جزء الأسهم: 115

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 200V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 80A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.25V @ 80A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 190ns,

إلى قائمة الأمنيات
80EPF04
Vishay Semiconductor Diodes Division

80EPF04

جزء الأسهم: 115

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 400V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 80A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.25V @ 80A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 190ns,

إلى قائمة الأمنيات
8EWF10S
Vishay Semiconductor Diodes Division

8EWF10S

جزء الأسهم: 68

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 1000V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 8A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.3V @ 8A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 270ns,

إلى قائمة الأمنيات
8EWF12S
Vishay Semiconductor Diodes Division

8EWF12S

جزء الأسهم: 20

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 1200V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 8A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.3V @ 8A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 270ns,

إلى قائمة الأمنيات
8TQ100S
Vishay Semiconductor Diodes Division

8TQ100S

جزء الأسهم: 10015

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 100V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 8A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 720mV @ 8A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

إلى قائمة الأمنيات
8TQ080S
Vishay Semiconductor Diodes Division

8TQ080S

جزء الأسهم: 9992

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 80V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 8A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 720mV @ 8A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

إلى قائمة الأمنيات
8TQ060
Vishay Semiconductor Diodes Division

8TQ060

جزء الأسهم: 10041

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 60V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 8A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 720mV @ 8A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

إلى قائمة الأمنيات
8TQ080
Vishay Semiconductor Diodes Division

8TQ080

جزء الأسهم: 5059

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 80V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 8A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 720mV @ 8A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

إلى قائمة الأمنيات
8EWS08S
Vishay Semiconductor Diodes Division

8EWS08S

جزء الأسهم: 10060

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 800V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 8A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.1V @ 8A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

إلى قائمة الأمنيات
8EWF06S
Vishay Semiconductor Diodes Division

8EWF06S

جزء الأسهم: 10034

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 600V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 8A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.2V @ 8A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 140ns,

إلى قائمة الأمنيات