Menu
العربيةالعربية
rfqs / order.
0rfqs / order.

الثنائيات - المقومات - مفرد

10TQ035STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division

10TQ035STRR

جزء الأسهم: 171

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 35V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 10A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 570mV @ 10A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

إلى قائمة الأمنيات
10TQ035STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division

10TQ035STRL

جزء الأسهم: 82

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 35V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 10A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 570mV @ 10A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

إلى قائمة الأمنيات
10ETS12STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETS12STRL

جزء الأسهم: 173

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 1200V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 10A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.1V @ 10A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

إلى قائمة الأمنيات
10ETS12STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETS12STRR

جزء الأسهم: 98

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 1200V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 10A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.1V @ 10A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

إلى قائمة الأمنيات
10ETS08STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETS08STRL

جزء الأسهم: 157

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 800V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 10A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.1V @ 10A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

إلى قائمة الأمنيات
10ETS08STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETS08STRR

جزء الأسهم: 94

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 800V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 10A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.1V @ 10A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

إلى قائمة الأمنيات
10ETF10STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETF10STRR

جزء الأسهم: 76

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 1000V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 10A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.33V @ 10A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 310ns,

إلى قائمة الأمنيات
10ETF10STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETF10STRL

جزء الأسهم: 99

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 1000V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 10A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.33V @ 10A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 310ns,

إلى قائمة الأمنيات
10ETF10S
Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETF10S

جزء الأسهم: 161

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 1000V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 10A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.33V @ 10A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 310ns,

إلى قائمة الأمنيات
10ETF10FP
Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETF10FP

جزء الأسهم: 131

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 1000V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 10A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.33V @ 10A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 310ns,

إلى قائمة الأمنيات
10ETF06STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETF06STRL

جزء الأسهم: 5088

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 600V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 10A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.2V @ 10A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 145ns,

إلى قائمة الأمنيات
10ETF06FP
Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETF06FP

جزء الأسهم: 145

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 600V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 10A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.2V @ 10A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 145ns,

إلى قائمة الأمنيات
10ETF04FP
Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETF04FP

جزء الأسهم: 152

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 400V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 10A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.2V @ 10A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 145ns,

إلى قائمة الأمنيات
10ETF02STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETF02STRL

جزء الأسهم: 153

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 200V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 10A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.2V @ 10A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 145ns,

إلى قائمة الأمنيات
10ETF02FP
Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETF02FP

جزء الأسهم: 112

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 200V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 10A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.2V @ 10A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 145ns,

إلى قائمة الأمنيات
18TQ040
Vishay Semiconductor Diodes Division

18TQ040

جزء الأسهم: 160

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 40V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 18A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 600mV @ 18A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

إلى قائمة الأمنيات
10TQ035
Vishay Semiconductor Diodes Division

10TQ035

جزء الأسهم: 71

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 35V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 10A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 760mV @ 10A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

إلى قائمة الأمنيات
10TQ040
Vishay Semiconductor Diodes Division

10TQ040

جزء الأسهم: 130

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 40V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 10A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 760mV @ 10A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

إلى قائمة الأمنيات
183NQ100R
Vishay Semiconductor Diodes Division

183NQ100R

جزء الأسهم: 112

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 100V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 180A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 950mV @ 180A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

إلى قائمة الأمنيات
183NQ080
Vishay Semiconductor Diodes Division

183NQ080

جزء الأسهم: 135

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 80V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 180A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 950mV @ 180A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

إلى قائمة الأمنيات
182NQ030
Vishay Semiconductor Diodes Division

182NQ030

جزء الأسهم: 74

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 30V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 180A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 510mV @ 180A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

إلى قائمة الأمنيات
181NQ045
Vishay Semiconductor Diodes Division

181NQ045

جزء الأسهم: 104

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 45V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 180A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 660mV @ 180A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

إلى قائمة الأمنيات
181NQ045R
Vishay Semiconductor Diodes Division

181NQ045R

جزء الأسهم: 95

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 45V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 180A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 660mV @ 180A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

إلى قائمة الأمنيات
181NQ035
Vishay Semiconductor Diodes Division

181NQ035

جزء الأسهم: 137

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 35V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 180A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 660mV @ 180A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

إلى قائمة الأمنيات
180NQ045
Vishay Semiconductor Diodes Division

180NQ045

جزء الأسهم: 156

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 45V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 180A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 600mV @ 180A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

إلى قائمة الأمنيات
180NQ045R
Vishay Semiconductor Diodes Division

180NQ045R

جزء الأسهم: 137

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 45V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 180A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 600mV @ 180A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

إلى قائمة الأمنيات
180NQ035
Vishay Semiconductor Diodes Division

180NQ035

جزء الأسهم: 5037

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 35V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 180A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 600mV @ 180A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

إلى قائمة الأمنيات
123NQ100R
Vishay Semiconductor Diodes Division

123NQ100R

جزء الأسهم: 91

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 100V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 120A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 910mV @ 120A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

إلى قائمة الأمنيات
123NQ080
Vishay Semiconductor Diodes Division

123NQ080

جزء الأسهم: 5020

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 80V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 120A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 910mV @ 120A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

إلى قائمة الأمنيات
122NQ030R
Vishay Semiconductor Diodes Division

122NQ030R

جزء الأسهم: 69

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 30V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 120A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 490mV @ 120A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

إلى قائمة الأمنيات
121NQ045R
Vishay Semiconductor Diodes Division

121NQ045R

جزء الأسهم: 130

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 45V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 120A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 650mV @ 120A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

إلى قائمة الأمنيات
121NQ040
Vishay Semiconductor Diodes Division

121NQ040

جزء الأسهم: 5051

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 40V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 120A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 650mV @ 120A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

إلى قائمة الأمنيات
121NQ045
Vishay Semiconductor Diodes Division

121NQ045

جزء الأسهم: 135

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 45V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 120A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 650mV @ 120A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

إلى قائمة الأمنيات
121NQ035
Vishay Semiconductor Diodes Division

121NQ035

جزء الأسهم: 74

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 35V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 120A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 650mV @ 120A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

إلى قائمة الأمنيات
120NQ045R
Vishay Semiconductor Diodes Division

120NQ045R

جزء الأسهم: 120

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 45V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 120A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 570mV @ 120A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

إلى قائمة الأمنيات
1N6631US
Microsemi Corporation

1N6631US

جزء الأسهم: 4317

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 1100V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 1.4A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.4V @ 1.4A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 60ns,

إلى قائمة الأمنيات