الترانزستورات - FETs ، MOSFETs - صفائف

DMC2004VK-7

جزء الأسهم: 152592

نوع FET: N and P-Channel, ميزة FET: Logic Level Gate, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 670mA, 530mA, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 550 mOhm @ 540mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

إلى قائمة الأمنيات

DMP2160UFDB-7

جزء الأسهم: 170482

نوع FET: 2 P-Channel (Dual), ميزة FET: Logic Level Gate, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 3.8A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 70 mOhm @ 2.8A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA,

إلى قائمة الأمنيات

DMP3085LSD-13

جزء الأسهم: 197990

نوع FET: 2 P-Channel (Dual), ميزة FET: Logic Level Gate, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 3.9A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 70 mOhm @ 5.3A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

إلى قائمة الأمنيات

DMG1026UV-7

جزء الأسهم: 118631

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ميزة FET: Logic Level Gate, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 410mA, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 1.8 Ohm @ 500mA, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA,

إلى قائمة الأمنيات

DMC2004DWK-7

جزء الأسهم: 194049

نوع FET: N and P-Channel, ميزة FET: Logic Level Gate, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 540mA, 430mA, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 550 mOhm @ 540mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

إلى قائمة الأمنيات

DMN6040SSDQ-13

جزء الأسهم: 115786

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ميزة FET: Standard, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 5A (Ta), Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 40 mOhm @ 4.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

إلى قائمة الأمنيات

Infineon Technologies

IRFH7911TRPBF

جزء الأسهم: 61001

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ميزة FET: Logic Level Gate, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 13A, 28A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 8.6 mOhm @ 12A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA,

إلى قائمة الأمنيات

Infineon Technologies

IRF7530TRPBF

جزء الأسهم: 169065

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ميزة FET: Standard, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 5.4A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 30 mOhm @ 5.4A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA,

إلى قائمة الأمنيات

SISF00DN-T1-GE3

جزء الأسهم: 2608

نوع FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, ميزة FET: Standard, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 60A (Tc), Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 5 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA,

إلى قائمة الأمنيات

SQJ262EP-T1_GE3

جزء الأسهم: 2536

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ميزة FET: Standard, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 15A (Tc), 40A (Tc), Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 35.5 mOhm @ 2A, 10V, 15.5 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

إلى قائمة الأمنيات

SQS944ENW-T1_GE3

جزء الأسهم: 2484

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ميزة FET: Standard, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 40V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 6A (Tc), Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 25 mOhm @ 1.25A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

إلى قائمة الأمنيات

SI4202DY-T1-GE3

جزء الأسهم: 118970

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ميزة FET: Logic Level Gate, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 12.1A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 14 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

إلى قائمة الأمنيات

SI1029X-T1-GE3

جزء الأسهم: 164736

نوع FET: N and P-Channel, ميزة FET: Logic Level Gate, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 305mA, 190mA, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 1.4 Ohm @ 500mA, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

إلى قائمة الأمنيات

SIA533EDJ-T1-GE3

جزء الأسهم: 106980

نوع FET: N and P-Channel, ميزة FET: Logic Level Gate, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 12V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 4.5A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 34 mOhm @ 4.6A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

إلى قائمة الأمنيات

SIA975DJ-T1-GE3

جزء الأسهم: 159548

نوع FET: 2 P-Channel (Dual), ميزة FET: Logic Level Gate, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 12V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 4.5A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 41 mOhm @ 4.3A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

إلى قائمة الأمنيات

SQJ260EP-T1_GE3

جزء الأسهم: 2593

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ميزة FET: Standard, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 20A (Tc), 54A (Tc), Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 19 mOhm @ 6A, 10V, 8.5 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

إلى قائمة الأمنيات

SI1026X-T1-GE3

جزء الأسهم: 107231

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ميزة FET: Logic Level Gate, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 305mA, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 1.4 Ohm @ 500mA, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

إلى قائمة الأمنيات

SI5515CDC-T1-GE3

جزء الأسهم: 185766

نوع FET: N and P-Channel, ميزة FET: Logic Level Gate, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 4A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 36 mOhm @ 6A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA,

إلى قائمة الأمنيات

SI1539CDL-T1-GE3

جزء الأسهم: 143752

نوع FET: N and P-Channel, ميزة FET: Logic Level Gate, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 700mA, 500mA, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 388 mOhm @ 600mA, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

إلى قائمة الأمنيات

SIA517DJ-T1-GE3

جزء الأسهم: 150755

نوع FET: N and P-Channel, ميزة FET: Logic Level Gate, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 12V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 4.5A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 29 mOhm @ 5A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

إلى قائمة الأمنيات

SIR770DP-T1-GE3

جزء الأسهم: 139904

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ميزة FET: Logic Level Gate, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 8A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 21 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA,

إلى قائمة الأمنيات

SI1553CDL-T1-GE3

جزء الأسهم: 145828

نوع FET: N and P-Channel, ميزة FET: Logic Level Gate, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 700mA, 500mA, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 390 mOhm @ 700mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,

إلى قائمة الأمنيات

FDMA1024NZ

جزء الأسهم: 167329

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ميزة FET: Logic Level Gate, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 5A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 54 mOhm @ 5A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

إلى قائمة الأمنيات

CPH6636R-TL-W

جزء الأسهم: 161568

نوع FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, ميزة FET: Logic Level Gate, 2.5V Drive, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 24V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 6A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 20 mOhm @ 3A, 4.5V,

إلى قائمة الأمنيات

FDS89161LZ

جزء الأسهم: 125136

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ميزة FET: Standard, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 100V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 2.7A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 105 mOhm @ 2.7A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA,

إلى قائمة الأمنيات

NTLGD3502NT2G

جزء الأسهم: 150994

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ميزة FET: Logic Level Gate, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 4.3A, 3.6A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 60 mOhm @ 4.3A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA,

إلى قائمة الأمنيات

FDMS3624S

جزء الأسهم: 88033

نوع FET: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, ميزة FET: Logic Level Gate, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 25V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 17.5A, 30A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 5 mOhm @ 17.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA,

إلى قائمة الأمنيات

FDS89161

جزء الأسهم: 125135

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ميزة FET: Standard, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 100V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 2.7A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 105 mOhm @ 2.7A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA,

إلى قائمة الأمنيات