الترانزستورات - FETs ، MOSFETs - صفائف

IRF7329TRPBF

جزء الأسهم: 126207

نوع FET: 2 P-Channel (Dual), ميزة FET: Logic Level Gate, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 12V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 9.2A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 17 mOhm @ 9.2A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA,

إلى قائمة الأمنيات

IRF9389TRPBF

جزء الأسهم: 156541

نوع FET: N and P-Channel, ميزة FET: Logic Level Gate, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 6.8A, 4.6A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 27 mOhm @ 6.8A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.3V @ 10µA,

إلى قائمة الأمنيات

IRF7306TR

جزء الأسهم: 84818

نوع FET: 2 P-Channel (Dual), ميزة FET: Logic Level Gate, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 3.6A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 100 mOhm @ 1.8A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

إلى قائمة الأمنيات

IRF9395MTRPBF

جزء الأسهم: 53923

نوع FET: 2 P-Channel (Dual), ميزة FET: Logic Level Gate, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 14A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 7 mOhm @ 14A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 50µA,

إلى قائمة الأمنيات

IRF9910TRPBF

جزء الأسهم: 144138

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ميزة FET: Logic Level Gate, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 10A, 12A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 9.3 mOhm @ 12A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.55V @ 250µA,

إلى قائمة الأمنيات

IPG20N04S4L07AATMA1

جزء الأسهم: 101318

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ميزة FET: Logic Level Gate, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 40V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 20A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 7.2 mOhm @ 17A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 30µA,

إلى قائمة الأمنيات

SI5504BDC-T1-E3

جزء الأسهم: 163999

نوع FET: N and P-Channel, ميزة FET: Logic Level Gate, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 4A, 3.7A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 65 mOhm @ 3.1A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

إلى قائمة الأمنيات

SIS932EDN-T1-GE3

جزء الأسهم: 2519

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ميزة FET: Standard, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 6A (Tc), Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 22 mOhm @ 10A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA,

إلى قائمة الأمنيات

SQJB90EP-T1_GE3

جزء الأسهم: 141525

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ميزة FET: Standard, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 80V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 30A (Tc), Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 21.5 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA,

إلى قائمة الأمنيات

SI4564DY-T1-GE3

جزء الأسهم: 118890

نوع FET: N and P-Channel, ميزة FET: Logic Level Gate, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 40V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 10A, 9.2A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 17.5 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA,

إلى قائمة الأمنيات

SQ4920EY-T1_GE3

جزء الأسهم: 97887

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ميزة FET: Logic Level Gate, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 8A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 14.5 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

إلى قائمة الأمنيات

SI3993CDV-T1-GE3

جزء الأسهم: 136053

نوع FET: 2 P-Channel (Dual), ميزة FET: Standard, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 2.9A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 111 mOhm @ 2.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA,

إلى قائمة الأمنيات

SI4559ADY-T1-GE3

جزء الأسهم: 141946

نوع FET: N and P-Channel, ميزة FET: Logic Level Gate, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 5.3A, 3.9A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 58 mOhm @ 4.3A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

إلى قائمة الأمنيات

SI3932DV-T1-GE3

جزء الأسهم: 199469

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ميزة FET: Logic Level Gate, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 3.7A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 58 mOhm @ 3.4A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA,

إلى قائمة الأمنيات

SQ1912AEEH-T1_GE3

جزء الأسهم: 2494

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ميزة FET: Standard, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 800mA (Tc), Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 280 mOhm @ 1.2A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,

إلى قائمة الأمنيات

SIA928DJ-T1-GE3

جزء الأسهم: 170673

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ميزة FET: Standard, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 4.5A (Tc), Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 25 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA,

إلى قائمة الأمنيات

SQJ951EP-T1_GE3

جزء الأسهم: 123902

نوع FET: 2 P-Channel (Dual), ميزة FET: Standard, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 30A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 17 mOhm @ 7.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

إلى قائمة الأمنيات

SQ4917EY-T1_GE3

جزء الأسهم: 91342

نوع FET: 2 P-Channel (Dual), ميزة FET: Standard, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 8A (Tc), Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 48 mOhm @ 4.3A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

إلى قائمة الأمنيات

SIA519EDJ-T1-GE3

جزء الأسهم: 128968

نوع FET: N and P-Channel, ميزة FET: Logic Level Gate, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 4.5A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 40 mOhm @ 4.2A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA,

إلى قائمة الأمنيات

DMN65D8LDW-7

جزء الأسهم: 141176

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ميزة FET: Logic Level Gate, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 180mA, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 6 Ohm @ 115mA, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA,

إلى قائمة الأمنيات

DMN53D0LDW-7

جزء الأسهم: 110016

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ميزة FET: Logic Level Gate, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 50V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 360mA, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 1.6 Ohm @ 500mA, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,

إلى قائمة الأمنيات

ZXMD63C02XTA

جزء الأسهم: 30114

نوع FET: N and P-Channel, ميزة FET: Logic Level Gate, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 130 mOhm @ 1.7A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min),

إلى قائمة الأمنيات

DMG1024UV-7

جزء الأسهم: 127188

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ميزة FET: Logic Level Gate, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 1.38A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 450 mOhm @ 600mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

إلى قائمة الأمنيات

QS8K51TR

جزء الأسهم: 139893

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 2A,

إلى قائمة الأمنيات

QH8MA3TCR

جزء الأسهم: 185267

نوع FET: N and P-Channel, ميزة FET: Standard, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 7A, 5.5A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 29 mOhm @ 7A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA,

إلى قائمة الأمنيات

SH8K12TB1

جزء الأسهم: 185191

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ميزة FET: Logic Level Gate, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 5A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 42 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA,

إلى قائمة الأمنيات

UM6K34NTCN

جزء الأسهم: 167601

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ميزة FET: Logic Level Gate, 0.9V Drive, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 50V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 200mA, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 2.2 Ohm @ 200mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 800mV @ 1mA,

إلى قائمة الأمنيات

PMDT290UCE,115

جزء الأسهم: 135417

نوع FET: N and P-Channel, ميزة FET: Logic Level Gate, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 800mA, 550mA, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 380 mOhm @ 500mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA,

إلى قائمة الأمنيات

NX3020NAKVYL

جزء الأسهم: 108530

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ميزة FET: Standard, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 200mA, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 4.5 Ohm @ 100mA, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,

إلى قائمة الأمنيات

NX3020NAKS,115

جزء الأسهم: 147530

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ميزة FET: Logic Level Gate, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 180mA, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 4.5 Ohm @ 100mA, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,

إلى قائمة الأمنيات

PMDPB80XP,115

جزء الأسهم: 184951

نوع FET: 2 P-Channel (Dual), ميزة FET: Logic Level Gate, 1.8V Drive, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 2.7A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 102 mOhm @ 2.7A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

إلى قائمة الأمنيات