الترانزستورات - FETs ، MOSFETs - صفائف

IRF9952

جزء الأسهم: 2678

نوع FET: N and P-Channel, ميزة FET: Logic Level Gate, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 3.5A, 2.3A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 100 mOhm @ 2.2A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

إلى قائمة الأمنيات

IRF7105PBF

جزء الأسهم: 95108

نوع FET: N and P-Channel, ميزة FET: Standard, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 25V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 3.5A, 2.3A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 100 mOhm @ 1A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

إلى قائمة الأمنيات

IRF7311TR

جزء الأسهم: 3313

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ميزة FET: Logic Level Gate, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 6.6A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 29 mOhm @ 6A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA,

إلى قائمة الأمنيات

IRF6802SDTR1PBF

جزء الأسهم: 2905

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ميزة FET: Logic Level Gate, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 25V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 16A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 4.2 mOhm @ 16A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 35µA,

إلى قائمة الأمنيات

IRF6702M2DTRPBF

جزء الأسهم: 2830

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ميزة FET: Logic Level Gate, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 15A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 6.6 mOhm @ 15A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA,

إلى قائمة الأمنيات

IRF9362PBF

جزء الأسهم: 2823

نوع FET: 2 P-Channel (Dual), ميزة FET: Logic Level Gate, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 8A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 21 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA,

إلى قائمة الأمنيات

IRF7316GTRPBF

جزء الأسهم: 2626

نوع FET: 2 P-Channel (Dual), ميزة FET: Logic Level Gate, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 4.9A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 58 mOhm @ 4.9A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

إلى قائمة الأمنيات

IRF7555TR

جزء الأسهم: 2893

نوع FET: 2 P-Channel (Dual), ميزة FET: Logic Level Gate, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 4.3A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 55 mOhm @ 4.3A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA,

إلى قائمة الأمنيات

IRF5810

جزء الأسهم: 2637

نوع FET: 2 P-Channel (Dual), ميزة FET: Logic Level Gate, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 2.9A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 90 mOhm @ 2.9A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA,

إلى قائمة الأمنيات

IRFH7911TR2PBF

جزء الأسهم: 2817

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ميزة FET: Logic Level Gate, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 13A, 28A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 8.6 mOhm @ 12A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA,

إلى قائمة الأمنيات

FDC6036P_F077

جزء الأسهم: 2788

نوع FET: 2 P-Channel (Dual), ميزة FET: Logic Level Gate, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 5A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 44 mOhm @ 5A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,

إلى قائمة الأمنيات

FDS6812A

جزء الأسهم: 2711

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ميزة FET: Logic Level Gate, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 6.7A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 22 mOhm @ 6.7A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,

إلى قائمة الأمنيات

FDG6302P

جزء الأسهم: 2666

نوع FET: 2 P-Channel (Dual), ميزة FET: Logic Level Gate, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 25V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 140mA, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 10 Ohm @ 140mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,

إلى قائمة الأمنيات

NTQD4154ZR2

جزء الأسهم: 2660

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ميزة FET: Logic Level Gate, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 7.5A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 19 mOhm @ 7.5A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,

إلى قائمة الأمنيات

NTTD1P02R2

جزء الأسهم: 2729

نوع FET: 2 P-Channel (Dual), ميزة FET: Logic Level Gate, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 1.45A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 160 mOhm @ 1.45A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA,

إلى قائمة الأمنيات

NTJD4105CT2

جزء الأسهم: 2725

نوع FET: N and P-Channel, ميزة FET: Logic Level Gate, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, 8V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 630mA, 775mA, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 375 mOhm @ 630mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,

إلى قائمة الأمنيات

FW813-TL-H

جزء الأسهم: 2907

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ميزة FET: Logic Level Gate, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 5A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 49 mOhm @ 5A, 10V,

إلى قائمة الأمنيات

MMDF1N05ER2

جزء الأسهم: 2640

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ميزة FET: Logic Level Gate, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 50V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 2A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 300 mOhm @ 1.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

إلى قائمة الأمنيات

NTJD2152PT4G

جزء الأسهم: 2775

نوع FET: 2 P-Channel (Dual), ميزة FET: Logic Level Gate, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 8V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 775mA, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 300 mOhm @ 570mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

إلى قائمة الأمنيات

NTLJD3119CTAG

جزء الأسهم: 2878

نوع FET: N and P-Channel, ميزة FET: Logic Level Gate, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 2.6A, 2.3A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 65 mOhm @ 3.8A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

إلى قائمة الأمنيات

NTZD3152PT5G

جزء الأسهم: 2734

نوع FET: 2 P-Channel (Dual), ميزة FET: Standard, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 430mA, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 900 mOhm @ 430mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

إلى قائمة الأمنيات

Powerex Inc.

QJD1210SA2

جزء الأسهم: 2896

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ميزة FET: Standard, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 1200V (1.2kV), التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 100A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 17 mOhm @ 100A, 15V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.6V @ 34mA,

إلى قائمة الأمنيات

DMC3036LSD-13

جزء الأسهم: 2792

نوع FET: N and P-Channel, ميزة FET: Logic Level Gate, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 5A, 4.5A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 36 mOhm @ 6.9A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA,

إلى قائمة الأمنيات

ZXMN3A04DN8TC

جزء الأسهم: 2746

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ميزة FET: Logic Level Gate, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 6.5A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 20 mOhm @ 12.6A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min),

إلى قائمة الأمنيات

DMN32D2LV-7

جزء الأسهم: 141799

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ميزة FET: Logic Level Gate, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 400mA, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 1.2 Ohm @ 100mA, 4V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA,

إلى قائمة الأمنيات

ZVN4206NTC

جزء الأسهم: 2706

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ميزة FET: Standard, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V,

إلى قائمة الأمنيات

SI5975DC-T1-E3

جزء الأسهم: 2864

نوع FET: 2 P-Channel (Dual), ميزة FET: Logic Level Gate, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 12V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 3.1A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 86 mOhm @ 3.1A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 450mV @ 1mA (Min),

إلى قائمة الأمنيات

SI6973DQ-T1-E3

جزء الأسهم: 2882

نوع FET: 2 P-Channel (Dual), ميزة FET: Logic Level Gate, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 4.1A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 30 mOhm @ 4.8A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min),

إلى قائمة الأمنيات

SI1988DH-T1-GE3

جزء الأسهم: 2796

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ميزة FET: Logic Level Gate, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 1.3A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 168 mOhm @ 1.4A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

إلى قائمة الأمنيات

SIZ900DT-T1-GE3

جزء الأسهم: 87000

نوع FET: 2 N-Channel (Half Bridge), ميزة FET: Logic Level Gate, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 24A, 28A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 7.2 mOhm @ 19.4A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA,

إلى قائمة الأمنيات

SI7958DP-T1-E3

جزء الأسهم: 3297

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ميزة FET: Logic Level Gate, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 40V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 7.2A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 16.5 mOhm @ 11.3A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

إلى قائمة الأمنيات