الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - صفائف ، منحازة

DMC2640F0R

جزء الأسهم: 169077

نوع الترانزستور: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, المقاوم - القاعدة (R1): 4.7 kOhms, المقاوم - قاعدة الباعث (R2): 10 kOhms, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 30 @ 5mA, 10V,

إلى قائمة الأمنيات

XN0421400L

جزء الأسهم: 1593

نوع الترانزستور: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, المقاوم - القاعدة (R1): 10 kOhms, المقاوم - قاعدة الباعث (R2): 47 kOhms, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 80 @ 5mA, 10V,

إلى قائمة الأمنيات

DMC261030R

جزء الأسهم: 165183

نوع الترانزستور: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, المقاوم - القاعدة (R1): 47 kOhms, المقاوم - قاعدة الباعث (R2): 47 kOhms, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 80 @ 5mA, 10V,

إلى قائمة الأمنيات

DMC564050R

جزء الأسهم: 173291

نوع الترانزستور: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, المقاوم - القاعدة (R1): 10 kOhms, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 160 @ 5mA, 10V,

إلى قائمة الأمنيات

UP0421300L

جزء الأسهم: 1397

نوع الترانزستور: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, المقاوم - القاعدة (R1): 47 kOhms, المقاوم - قاعدة الباعث (R2): 47 kOhms, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 80 @ 5mA, 10V,

إلى قائمة الأمنيات

DMC5610E0R

جزء الأسهم: 179616

نوع الترانزستور: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, المقاوم - القاعدة (R1): 47 kOhms, المقاوم - قاعدة الباعث (R2): 22 kOhms, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 60 @ 5mA, 10V,

إلى قائمة الأمنيات

DMG263010R

جزء الأسهم: 113765

نوع الترانزستور: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, المقاوم - القاعدة (R1): 10 kOhms, المقاوم - قاعدة الباعث (R2): 10 kOhms, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 35 @ 5mA, 10V,

إلى قائمة الأمنيات

UP0121300L

جزء الأسهم: 1471

نوع الترانزستور: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, المقاوم - القاعدة (R1): 47 kOhms, المقاوم - قاعدة الباعث (R2): 47 kOhms, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 80 @ 5mA, 10V,

إلى قائمة الأمنيات

UMD5NTR

جزء الأسهم: 173235

نوع الترانزستور: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, المقاوم - القاعدة (R1): 47 kOhms, 4.7 kOhms, المقاوم - قاعدة الباعث (R2): 47 kOhms, 10 kOhms, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 68 @ 5mA, 5V / 30 @ 10mA, 5V,

إلى قائمة الأمنيات

EMG8T2R

جزء الأسهم: 168622

نوع الترانزستور: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, المقاوم - القاعدة (R1): 4.7 kOhms, المقاوم - قاعدة الباعث (R2): 47 kOhms, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 80 @ 10mA, 5V,

إلى قائمة الأمنيات

IMH8AT108

جزء الأسهم: 120428

نوع الترانزستور: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, المقاوم - القاعدة (R1): 10 kOhms, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 100 @ 1mA, 5V,

إلى قائمة الأمنيات

IMH6AT108

جزء الأسهم: 151699

نوع الترانزستور: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, المقاوم - القاعدة (R1): 47 kOhms, المقاوم - قاعدة الباعث (R2): 47 kOhms, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 68 @ 5mA, 5V,

إلى قائمة الأمنيات

NSBC115EPDXV6T1G

جزء الأسهم: 423

نوع الترانزستور: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, المقاوم - القاعدة (R1): 100 kOhms, المقاوم - قاعدة الباعث (R2): 100 kOhms, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 80 @ 5mA, 10V,

إلى قائمة الأمنيات

NSBA114YDXV6T1

جزء الأسهم: 1458

نوع الترانزستور: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, المقاوم - القاعدة (R1): 10 kOhms, المقاوم - قاعدة الباعث (R2): 47 kOhms, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 80 @ 5mA, 10V,

إلى قائمة الأمنيات

NSBA144WDXV6T1G

جزء الأسهم: 112545

نوع الترانزستور: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, المقاوم - القاعدة (R1): 47 kOhms, المقاوم - قاعدة الباعث (R2): 22 kOhms, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 80 @ 5mA, 10V,

إلى قائمة الأمنيات

NSBC114TDXV6T5G

جزء الأسهم: 140654

نوع الترانزستور: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, المقاوم - القاعدة (R1): 10 kOhms, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 160 @ 5mA, 10V,

إلى قائمة الأمنيات

UMA6NT1

جزء الأسهم: 1476

نوع الترانزستور: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, المقاوم - القاعدة (R1): 47 kOhms, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 160 @ 5mA, 10V,

إلى قائمة الأمنيات

SMUN5114DW1T1G

جزء الأسهم: 172445

نوع الترانزستور: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, المقاوم - القاعدة (R1): 10 kOhms, المقاوم - قاعدة الباعث (R2): 47 kOhms, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 80 @ 5mA, 10V,

إلى قائمة الأمنيات

NSBC124XPDXV6T5G

جزء الأسهم: 1491

نوع الترانزستور: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, المقاوم - القاعدة (R1): 22 kOhms, المقاوم - قاعدة الباعث (R2): 47 kOhms, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 80 @ 5mA, 10V,

إلى قائمة الأمنيات

EMD5DXV6T1G

جزء الأسهم: 3186

نوع الترانزستور: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, المقاوم - القاعدة (R1): 4.7 kOhms, 47 kOhms, المقاوم - قاعدة الباعث (R2): 10 kOhms, 47 kOhms, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 80 @ 5mA, 10V / 20 @ 5mA, 10V,

إلى قائمة الأمنيات

DCX143TU-7-F

جزء الأسهم: 102462

نوع الترانزستور: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, المقاوم - القاعدة (R1): 4.7 kOhms, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 100 @ 1mA, 5V,

إلى قائمة الأمنيات

DCX142TH-7

جزء الأسهم: 141704

نوع الترانزستور: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, المقاوم - القاعدة (R1): 470 Ohms, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 100 @ 1mA, 5V,

إلى قائمة الأمنيات

DDA123JK-7-F

جزء الأسهم: 144533

نوع الترانزستور: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, المقاوم - القاعدة (R1): 2.2 kOhms, المقاوم - قاعدة الباعث (R2): 47 kOhms, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 80 @ 10mA, 5V,

إلى قائمة الأمنيات

DDA122LU-7-F

جزء الأسهم: 182845

نوع الترانزستور: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, المقاوم - القاعدة (R1): 220 Ohms, المقاوم - قاعدة الباعث (R2): 10 kOhms, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 56 @ 10mA, 5V,

إلى قائمة الأمنيات

DDA114YK-7-F

جزء الأسهم: 173347

نوع الترانزستور: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, المقاوم - القاعدة (R1): 10 kOhms, المقاوم - قاعدة الباعث (R2): 47 kOhms, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 68 @ 10mA, 5V,

إلى قائمة الأمنيات

RN1505(TE85L,F)

جزء الأسهم: 128512

نوع الترانزستور: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled), التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, المقاوم - القاعدة (R1): 2.2 kOhms, المقاوم - قاعدة الباعث (R2): 47 kOhms, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 80 @ 10mA, 5V,

إلى قائمة الأمنيات

RN2965FE(TE85L,F)

جزء الأسهم: 1529

نوع الترانزستور: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, المقاوم - القاعدة (R1): 2.2 kOhms, المقاوم - قاعدة الباعث (R2): 47 kOhms, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 80 @ 10mA, 5V,

إلى قائمة الأمنيات

RN1509(TE85L,F)

جزء الأسهم: 191088

نوع الترانزستور: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled), التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, المقاوم - القاعدة (R1): 47 kOhms, المقاوم - قاعدة الباعث (R2): 22 kOhms, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 70 @ 10mA, 5V,

إلى قائمة الأمنيات

RN1973(TE85L,F)

جزء الأسهم: 116165

نوع الترانزستور: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, المقاوم - القاعدة (R1): 47 kOhms, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 120 @ 1mA, 5V,

إلى قائمة الأمنيات

RN1702JE(TE85L,F)

جزء الأسهم: 122052

نوع الترانزستور: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled), التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, المقاوم - القاعدة (R1): 10 kOhms, المقاوم - قاعدة الباعث (R2): 10 kOhms, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 50 @ 10mA, 5V,

إلى قائمة الأمنيات

RN2911(T5L,F,T)

جزء الأسهم: 1491

نوع الترانزستور: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, المقاوم - القاعدة (R1): 10 kOhms, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 120 @ 1mA, 5V,

إلى قائمة الأمنيات