الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - صفائف ، منحازة

XP0111600L

جزء الأسهم: 3153

نوع الترانزستور: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, المقاوم - القاعدة (R1): 4.7 kOhms, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 160 @ 5mA, 10V,

إلى قائمة الأمنيات

DMC261060R

جزء الأسهم: 158117

نوع الترانزستور: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, المقاوم - القاعدة (R1): 4.7 kOhms, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 160 @ 5mA, 10V,

إلى قائمة الأمنيات

XN0111600L

جزء الأسهم: 3151

نوع الترانزستور: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, المقاوم - القاعدة (R1): 4.7 kOhms, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 160 @ 5mA, 10V,

إلى قائمة الأمنيات

XN0F25600L

جزء الأسهم: 3218

نوع الترانزستور: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 600mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 20V, المقاوم - القاعدة (R1): 4.7 kOhms, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 100 @ 50mA, 5V,

إلى قائمة الأمنيات

NP0H3A300A

جزء الأسهم: 3167

نوع الترانزستور: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 80mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, المقاوم - القاعدة (R1): 47 kOhms, المقاوم - قاعدة الباعث (R2): 47 kOhms, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 80 @ 5mA, 10V,

إلى قائمة الأمنيات

DMA961030R

جزء الأسهم: 194090

نوع الترانزستور: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, المقاوم - القاعدة (R1): 47 kOhms, المقاوم - قاعدة الباعث (R2): 47 kOhms, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 80 @ 5mA, 10V,

إلى قائمة الأمنيات

UP0411200L

جزء الأسهم: 1415

نوع الترانزستور: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, المقاوم - القاعدة (R1): 22 kOhms, المقاوم - قاعدة الباعث (R2): 22 kOhms, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 60 @ 5mA, 10V,

إلى قائمة الأمنيات

DDA124EH-7

جزء الأسهم: 108616

نوع الترانزستور: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, المقاوم - القاعدة (R1): 22 kOhms, المقاوم - قاعدة الباعث (R2): 22 kOhms, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 56 @ 5mA, 5V,

إلى قائمة الأمنيات

DCX124EH-7

جزء الأسهم: 110188

نوع الترانزستور: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, المقاوم - القاعدة (R1): 22 kOhms, المقاوم - قاعدة الباعث (R2): 22 kOhms, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 56 @ 5mA, 5V,

إلى قائمة الأمنيات

DDC114TU-7

جزء الأسهم: 1373

نوع الترانزستور: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, المقاوم - القاعدة (R1): 10 kOhms, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 100 @ 1mA, 5V,

إلى قائمة الأمنيات

DDA122TU-7-F

جزء الأسهم: 141385

نوع الترانزستور: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, المقاوم - القاعدة (R1): 220 Ohms, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 100 @ 1mA, 5V,

إلى قائمة الأمنيات

DDC143TU-7-F

جزء الأسهم: 106635

نوع الترانزستور: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, المقاوم - القاعدة (R1): 4.7 kOhms, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 100 @ 1mA, 5V,

إلى قائمة الأمنيات

DDA123JU-7

جزء الأسهم: 1441

نوع الترانزستور: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, المقاوم - القاعدة (R1): 2.2 kOhms, المقاوم - قاعدة الباعث (R2): 47 kOhms, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 80 @ 10mA, 5V,

إلى قائمة الأمنيات

DCX114EU-7

جزء الأسهم: 1475

نوع الترانزستور: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, المقاوم - القاعدة (R1): 10 kOhms, المقاوم - قاعدة الباعث (R2): 10 kOhms, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 30 @ 5mA, 5V,

إلى قائمة الأمنيات

DDA142TH-7

جزء الأسهم: 159342

نوع الترانزستور: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, المقاوم - القاعدة (R1): 470 Ohms, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 100 @ 1mA, 5V,

إلى قائمة الأمنيات

DDC142TU-7-F

جزء الأسهم: 186578

نوع الترانزستور: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, المقاوم - القاعدة (R1): 470 Ohms, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 100 @ 1mA, 5V,

إلى قائمة الأمنيات

DCX123JU-7

جزء الأسهم: 1443

نوع الترانزستور: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, المقاوم - القاعدة (R1): 2.2 kOhms, المقاوم - قاعدة الباعث (R2): 47 kOhms, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 80 @ 10mA, 5V,

إلى قائمة الأمنيات

RN2966FE(TE85L,F)

جزء الأسهم: 3147

نوع الترانزستور: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, المقاوم - القاعدة (R1): 4.7 kOhms, المقاوم - قاعدة الباعث (R2): 47 kOhms, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 80 @ 10mA, 5V,

إلى قائمة الأمنيات

RN4908(T5L,F,T)

جزء الأسهم: 1464

نوع الترانزستور: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, المقاوم - القاعدة (R1): 22 kOhms, المقاوم - قاعدة الباعث (R2): 47 kOhms, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 80 @ 10mA, 5V,

إلى قائمة الأمنيات

RN2510(TE85L,F)

جزء الأسهم: 165485

نوع الترانزستور: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled), التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, المقاوم - القاعدة (R1): 4.7 kOhms, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 120 @ 1mA, 5V,

إلى قائمة الأمنيات

RN2963FE(TE85L,F)

جزء الأسهم: 1465

نوع الترانزستور: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, المقاوم - القاعدة (R1): 22 kOhms, المقاوم - قاعدة الباعث (R2): 22 kOhms, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 70 @ 10mA, 5V,

إلى قائمة الأمنيات

EMB6T2R

جزء الأسهم: 182976

نوع الترانزستور: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 30mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, المقاوم - القاعدة (R1): 47 kOhms, المقاوم - قاعدة الباعث (R2): 47 kOhms, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 68 @ 5mA, 5V,

إلى قائمة الأمنيات

EMA8T2R

جزء الأسهم: 102753

نوع الترانزستور: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, المقاوم - القاعدة (R1): 10 kOhms, المقاوم - قاعدة الباعث (R2): 47 kOhms, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 68 @ 5mA, 5V,

إلى قائمة الأمنيات

EMG11T2R

جزء الأسهم: 155071

نوع الترانزستور: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, المقاوم - القاعدة (R1): 2.2 kOhms, المقاوم - قاعدة الباعث (R2): 47 kOhms, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 80 @ 10mA, 5V,

إلى قائمة الأمنيات

FMG11AT148

جزء الأسهم: 149456

نوع الترانزستور: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, المقاوم - القاعدة (R1): 2.2 kOhms, المقاوم - قاعدة الباعث (R2): 47 kOhms, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 80 @ 10mA, 5V,

إلى قائمة الأمنيات

QSH29TR

جزء الأسهم: 194863

نوع الترانزستور: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 500mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 70V, المقاوم - القاعدة (R1): 10 kOhms, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 500 @ 200mA, 5V,

إلى قائمة الأمنيات

NSBC115EDXV6T1G

جزء الأسهم: 129082

نوع الترانزستور: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, المقاوم - القاعدة (R1): 100 kOhms, المقاوم - قاعدة الباعث (R2): 100 kOhms, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 80 @ 5mA, 10V,

إلى قائمة الأمنيات

NSVMUN5316DW1T1G

جزء الأسهم: 160200

نوع الترانزستور: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, المقاوم - القاعدة (R1): 4.7 kOhms, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 160 @ 5mA, 10V,

إلى قائمة الأمنيات

NSB1706DMW5T1G

جزء الأسهم: 136591

نوع الترانزستور: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, المقاوم - القاعدة (R1): 4.7 kOhms, المقاوم - قاعدة الباعث (R2): 47 kOhms, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 80 @ 5mA, 10V,

إلى قائمة الأمنيات

MUN5133DW1T1G

جزء الأسهم: 183679

نوع الترانزستور: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, المقاوم - القاعدة (R1): 4.7 kOhms, المقاوم - قاعدة الباعث (R2): 47 kOhms, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 80 @ 5mA, 10V,

إلى قائمة الأمنيات

MUN5316DW1T1

جزء الأسهم: 1532

نوع الترانزستور: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, المقاوم - القاعدة (R1): 4.7 kOhms, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 160 @ 5mA, 10V,

إلى قائمة الأمنيات

NSM21156DW6T1G

جزء الأسهم: 1463

نوع الترانزستور: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, 65V, المقاوم - القاعدة (R1): 10 kOhms, المقاوم - قاعدة الباعث (R2): 10 kOhms, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 35 @ 5mA, 10V / 220 @ 2mA, 5V,

إلى قائمة الأمنيات