الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - صفائف

DMMT3906WQ-7-F

جزء الأسهم: 143964

نوع الترانزستور: 2 PNP (Dual) Matched Pair, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 200mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 40V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 400mV @ 5mA, 50mA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 100 @ 10mA, 1V,

إلى قائمة الأمنيات

ZXTD4591E6TC

جزء الأسهم: 4494

نوع الترانزستور: NPN, PNP, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 1A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 60V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 600mV @ 100mA, 1A / 500mV @ 100mA, 1A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100nA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 100 @ 500mA, 5V,

إلى قائمة الأمنيات

MMDT5401-7

جزء الأسهم: 4476

نوع الترانزستور: 2 PNP (Dual), التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 200mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 150V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 500mV @ 5mA, 50mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 50nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 60 @ 10mA, 5V,

إلى قائمة الأمنيات

ZDT705TA

جزء الأسهم: 4624

نوع الترانزستور: 2 PNP Darlington (Dual), التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 1A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 120V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 2.5V @ 2mA, 2A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 10µA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 3000 @ 1A, 5V,

إلى قائمة الأمنيات

ZDT617TA

جزء الأسهم: 4582

نوع الترانزستور: 2 NPN (Dual), التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 3A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 15V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 200mV @ 50mA, 3A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100nA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 300 @ 200mA, 2V,

إلى قائمة الأمنيات

ZDT717TC

جزء الأسهم: 4478

نوع الترانزستور: 2 PNP (Dual), التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 2.5A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 12V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 220mV @ 50mA, 2.5A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100nA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 300 @ 100mA, 2V,

إلى قائمة الأمنيات

MMDT5401Q-7-F

جزء الأسهم: 179

نوع الترانزستور: 2 PNP (Dual), التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 200mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 150V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 500mV @ 5mA, 50mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 50nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 60 @ 10mA, 5V,

إلى قائمة الأمنيات

Renesas Electronics America Inc.

ZXTC6718MCQTA

جزء الأسهم: 153394

نوع الترانزستور: NPN, PNP, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 20V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 300mV @ 125mA, 4.5A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 300 @ 200mA, 2V,

إلى قائمة الأمنيات

CA3083MZ96

جزء الأسهم: 6483

نوع الترانزستور: 5 NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 15V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 700mV @ 5mA, 50mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 10µA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 40 @ 50mA, 3V,

إلى قائمة الأمنيات

UP04534G0L

جزء الأسهم: 4503

نوع الترانزستور: 2 NPN (Dual), التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 15mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 20V, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 65 @ 1mA, 6V,

إلى قائمة الأمنيات

XN0653700L

جزء الأسهم: 4452

نوع الترانزستور: 2 NPN (Dual), التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 30mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 12V, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 40 @ 10mA, 10V,

إلى قائمة الأمنيات

DMG904010R

جزء الأسهم: 137113

نوع الترانزستور: NPN, PNP, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 300mV @ 10mA, 100mA / 500mV @ 10mA, 100mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100µA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 210 @ 2mA, 10V,

إلى قائمة الأمنيات

NP0A54700A

جزء الأسهم: 142635

نوع الترانزستور: 2 NPN (Dual), التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 10mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 7V, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 1µA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 100 @ 1mA, 1V / 80 @ 1mA, 1V,

إلى قائمة الأمنيات

DMG204B10R

جزء الأسهم: 184070

نوع الترانزستور: NPN, PNP, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 500mA, 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 20V, 50V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 400mV @ 20mA, 500mA / 500mV @ 10mA, 100mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100µA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 200 @ 500mA, 2V / 210 @ 2mA, 10V,

إلى قائمة الأمنيات

JANTX2N3811L

جزء الأسهم: 4476

نوع الترانزستور: 2 PNP (Dual), التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 50mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 60V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 250mV @ 100µA, 1mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 10µA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 300 @ 1mA, 5V,

إلى قائمة الأمنيات

JANTXV2N2060

جزء الأسهم: 4482

نوع الترانزستور: 2 NPN (Dual), التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 500mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 60V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 300mV @ 5mA, 50mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 10µA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 50 @ 10mA, 5V,

إلى قائمة الأمنيات

JANTX2N5794U

جزء الأسهم: 4450

نوع الترانزستور: 2 NPN (Dual), التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 600mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 40V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 900mV @ 30mA, 300mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 10µA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 100 @ 150mA, 10V,

إلى قائمة الأمنيات

SG2003J

جزء الأسهم: 4422

نوع الترانزستور: 7 NPN Darlington, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 500mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 1000 @ 350mA, 2V,

إلى قائمة الأمنيات