الترانزستورات - ثنائية القطب (BJT) - أحادية ، منحا

DRC5152Z0L

جزء الأسهم: 154917

نوع الترانزستور: NPN - Pre-Biased, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, المقاوم - القاعدة (R1): 510 Ohms, المقاوم - قاعدة الباعث (R2): 5.1 kOhms, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 20 @ 5mA, 10V,

إلى قائمة الأمنيات

DRC9114W0L

جزء الأسهم: 157639

نوع الترانزستور: NPN - Pre-Biased, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, المقاوم - القاعدة (R1): 10 kOhms, المقاوم - قاعدة الباعث (R2): 4.7 kOhms, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 20 @ 5mA, 10V,

إلى قائمة الأمنيات

UNR31ANG0L

جزء الأسهم: 1966

نوع الترانزستور: PNP - Pre-Biased, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 80mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, المقاوم - القاعدة (R1): 4.7 kOhms, المقاوم - قاعدة الباعث (R2): 47 kOhms, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 80 @ 5mA, 10V,

إلى قائمة الأمنيات

UNR911HJ0L

جزء الأسهم: 106978

نوع الترانزستور: PNP - Pre-Biased, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, المقاوم - القاعدة (R1): 2.2 kOhms, المقاوم - قاعدة الباعث (R2): 10 kOhms, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 30 @ 5mA, 10V,

إلى قائمة الأمنيات

UNR911LJ0L

جزء الأسهم: 190520

نوع الترانزستور: PNP - Pre-Biased, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, المقاوم - القاعدة (R1): 4.7 kOhms, المقاوم - قاعدة الباعث (R2): 4.7 kOhms, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 20 @ 5mA, 10V,

إلى قائمة الأمنيات

DRC5143X0L

جزء الأسهم: 164019

نوع الترانزستور: NPN - Pre-Biased, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, المقاوم - القاعدة (R1): 4.7 kOhms, المقاوم - قاعدة الباعث (R2): 10 kOhms, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 30 @ 5mA, 10V,

إلى قائمة الأمنيات

UNR911NG0L

جزء الأسهم: 2046

نوع الترانزستور: PNP - Pre-Biased, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, المقاوم - القاعدة (R1): 4.7 kOhms, المقاوم - قاعدة الباعث (R2): 47 kOhms, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 80 @ 5mA, 10V,

إلى قائمة الأمنيات

UNR51ANG0L

جزء الأسهم: 142626

نوع الترانزستور: PNP - Pre-Biased, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 80mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, المقاوم - القاعدة (R1): 4.7 kOhms, المقاوم - قاعدة الباعث (R2): 47 kOhms, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 80 @ 5mA, 10V,

إلى قائمة الأمنيات

DTC113ZUAT106

جزء الأسهم: 194809

نوع الترانزستور: NPN - Pre-Biased, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, المقاوم - القاعدة (R1): 1 kOhms, المقاوم - قاعدة الباعث (R2): 10 kOhms, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 33 @ 5mA, 5V,

إلى قائمة الأمنيات

DTC143XCAT116

جزء الأسهم: 171920

نوع الترانزستور: NPN - Pre-Biased, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, المقاوم - القاعدة (R1): 4.7 kOhms, المقاوم - قاعدة الباعث (R2): 10 kOhms, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 30 @ 10mA, 5V,

إلى قائمة الأمنيات

DTC013ZEBTL

جزء الأسهم: 122933

نوع الترانزستور: NPN - Pre-Biased, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, المقاوم - القاعدة (R1): 1 kOhms, المقاوم - قاعدة الباعث (R2): 10 kOhms, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 30 @ 5mA, 10V,

إلى قائمة الأمنيات

DTC363EUT106

جزء الأسهم: 2179

نوع الترانزستور: NPN - Pre-Biased, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 600mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 20V, المقاوم - القاعدة (R1): 6.8 kOhms, المقاوم - قاعدة الباعث (R2): 6.8 kOhms, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 70 @ 50mA, 5V,

إلى قائمة الأمنيات

DTA143EUBHZGTL

جزء الأسهم: 16260

نوع الترانزستور: PNP - Pre-Biased, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, المقاوم - القاعدة (R1): 4.7 kOhms, المقاوم - قاعدة الباعث (R2): 4.7 kOhms, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 30 @ 10mA, 5V,

إلى قائمة الأمنيات

DTB143EKT146

جزء الأسهم: 124455

نوع الترانزستور: PNP - Pre-Biased, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 500mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, المقاوم - القاعدة (R1): 4.7 kOhms, المقاوم - قاعدة الباعث (R2): 4.7 kOhms, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 47 @ 50mA, 5V,

إلى قائمة الأمنيات

DTC123YUAT106

جزء الأسهم: 161882

نوع الترانزستور: NPN - Pre-Biased, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, المقاوم - القاعدة (R1): 2.2 kOhms, المقاوم - قاعدة الباعث (R2): 10 kOhms, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 33 @ 10mA, 5V,

إلى قائمة الأمنيات

DTA124EUBHZGTL

جزء الأسهم: 9917

نوع الترانزستور: PNP - Pre-Biased, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, المقاوم - القاعدة (R1): 22 kOhms, المقاوم - قاعدة الباعث (R2): 22 kOhms, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 56 @ 5mA, 5V,

إلى قائمة الأمنيات

DTC114YEBTL

جزء الأسهم: 157695

نوع الترانزستور: NPN - Pre-Biased, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 70mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, المقاوم - القاعدة (R1): 10 kOhms, المقاوم - قاعدة الباعث (R2): 47 kOhms, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 68 @ 5mA, 5V,

إلى قائمة الأمنيات

DDTC144VUA-7-F

جزء الأسهم: 173564

نوع الترانزستور: NPN - Pre-Biased, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, المقاوم - القاعدة (R1): 47 kOhms, المقاوم - قاعدة الباعث (R2): 10 kOhms, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 33 @ 5mA, 5V,

إلى قائمة الأمنيات

DDTC115EUA-7

جزء الأسهم: 3287

نوع الترانزستور: NPN - Pre-Biased, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, المقاوم - القاعدة (R1): 100 kOhms, المقاوم - قاعدة الباعث (R2): 100 kOhms, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 82 @ 5mA, 5V,

إلى قائمة الأمنيات

DDTC125TKA-7-F

جزء الأسهم: 1930

نوع الترانزستور: NPN - Pre-Biased, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, المقاوم - القاعدة (R1): 200 kOhms, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 100 @ 1mA, 5V,

إلى قائمة الأمنيات

DDTC114TCA-7

جزء الأسهم: 1961

نوع الترانزستور: NPN - Pre-Biased, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, المقاوم - القاعدة (R1): 10 kOhms, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 100 @ 1mA, 5V,

إلى قائمة الأمنيات

DDTC123JUA-7-F

جزء الأسهم: 190389

نوع الترانزستور: NPN - Pre-Biased, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, المقاوم - القاعدة (R1): 2.2 kOhms, المقاوم - قاعدة الباعث (R2): 47 kOhms, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 80 @ 10mA, 5V,

إلى قائمة الأمنيات

DDTC115TUA-7-F

جزء الأسهم: 182382

نوع الترانزستور: NPN - Pre-Biased, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, المقاوم - القاعدة (R1): 100 kOhms, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 100 @ 1mA, 5V,

إلى قائمة الأمنيات