الترانزستورات - FETs ، MOSFETs - RF

LET9045STR

جزء الأسهم: 2065

نوع الترانزستور: LDMOS, تكرر: 960MHz, ربح: 18.5dB, الجهد - اختبار: 28V, التصويت الحالي: 1µA,

STAC250V2-500E

جزء الأسهم: 686

نوع الترانزستور: N-Channel, تكرر: 27MHz, ربح: 21.5dB, الجهد - اختبار: 150V,

PD85015S-E

جزء الأسهم: 4854

نوع الترانزستور: LDMOS, تكرر: 870MHz, ربح: 16dB, الجهد - اختبار: 13.6V, التصويت الحالي: 5A,

PD57018S-E

جزء الأسهم: 3021

نوع الترانزستور: LDMOS, تكرر: 945MHz, ربح: 16.5dB, الجهد - اختبار: 28V, التصويت الحالي: 2.5A,

LET9060STR

جزء الأسهم: 1748

نوع الترانزستور: LDMOS, تكرر: 960MHz, ربح: 17.2dB, الجهد - اختبار: 28V, التصويت الحالي: 12A,

VRF157FL

جزء الأسهم: 277

نوع الترانزستور: N-Channel, تكرر: 80MHz, ربح: 21dB, الجهد - اختبار: 50V, التصويت الحالي: 4mA,

VRF3933MP

جزء الأسهم: 414

نوع الترانزستور: N-Channel, تكرر: 30MHz, ربح: 28dB, الجهد - اختبار: 100V, التصويت الحالي: 20A,

VRF154FL

جزء الأسهم: 317

نوع الترانزستور: N-Channel, تكرر: 80MHz, ربح: 17dB, الجهد - اختبار: 50V, التصويت الحالي: 4mA,

VRF151MP

جزء الأسهم: 832

نوع الترانزستور: N-Channel, تكرر: 175MHz, ربح: 14dB, الجهد - اختبار: 50V, التصويت الحالي: 1mA,

VRF2933FL

جزء الأسهم: 824

نوع الترانزستور: N-Channel, تكرر: 30MHz, ربح: 22dB, الجهد - اختبار: 50V, التصويت الحالي: 42A,

MMRF1007HSR5

جزء الأسهم: 236

نوع الترانزستور: LDMOS (Dual), تكرر: 1.03GHz, ربح: 20dB, الجهد - اختبار: 50V,

MMRF1317HSR5

جزء الأسهم: 118

نوع الترانزستور: LDMOS (Dual), تكرر: 1.03GHz, ربح: 18.2dB, الجهد - اختبار: 50V,

ON5264,127

جزء الأسهم: 6352

MRF8S9100HSR3

جزء الأسهم: 1407

نوع الترانزستور: LDMOS, تكرر: 920MHz, ربح: 19.3dB, الجهد - اختبار: 28V,

MMRF2007NR1

جزء الأسهم: 6392

نوع الترانزستور: LDMOS, تكرر: 940MHz, ربح: 32.6dB, الجهد - اختبار: 28V,

MMRF1320GNR1

جزء الأسهم: 2818

نوع الترانزستور: LDMOS (Dual), تكرر: 230MHz, ربح: 26.1dB, الجهد - اختبار: 50V,

MRF6V12500HR5

جزء الأسهم: 211

نوع الترانزستور: LDMOS, تكرر: 1.03GHz, ربح: 19.7dB, الجهد - اختبار: 50V,

ON5257,215

جزء الأسهم: 6401

MRFE6VS25LR5

جزء الأسهم: 1517

نوع الترانزستور: LDMOS, تكرر: 512MHz, ربح: 25.9dB, الجهد - اختبار: 50V,

MRF6VP11KGSR5

جزء الأسهم: 493

نوع الترانزستور: LDMOS (Dual), تكرر: 130MHz, ربح: 26dB, الجهد - اختبار: 50V,

MRF8S9260HSR3

جزء الأسهم: 694

نوع الترانزستور: LDMOS, تكرر: 960MHz, ربح: 18.6dB, الجهد - اختبار: 28V,

MRF6V3090NR1

جزء الأسهم: 1550

نوع الترانزستور: LDMOS, تكرر: 860MHz, ربح: 22dB, الجهد - اختبار: 50V,

MMRF1320NR1

جزء الأسهم: 2812

نوع الترانزستور: LDMOS (Dual), تكرر: 230MHz, ربح: 26.1dB, الجهد - اختبار: 50V,

MRF1K50NR5

جزء الأسهم: 470

نوع الترانزستور: LDMOS, تكرر: 1.8MHz ~ 500MHz, ربح: 23dB, الجهد - اختبار: 50V,

MRF1513NT1

جزء الأسهم: 15584

نوع الترانزستور: LDMOS, تكرر: 520MHz, ربح: 15dB, الجهد - اختبار: 12.5V, التصويت الحالي: 2A,

ON5214,118

جزء الأسهم: 6356

PTVA123501FC-V1-R0

جزء الأسهم: 164

نوع الترانزستور: LDMOS, تكرر: 1.2GHz ~ 1.4GHz, ربح: 17dB, الجهد - اختبار: 50V,

PXAC210552ND-V1-R5

جزء الأسهم: 99

نوع الترانزستور: LDMOS (Dual), تكرر: 1.805GHz ~ 2.17GHz, ربح: 6.5dB, التصويت الحالي: 1µA,

PTFB092707FH-V1-R250

جزء الأسهم: 94

PTFC262808FV-V1

جزء الأسهم: 136

PTFB090901EA-V2-R250

جزء الأسهم: 107

PTVA030121EA-V1-R0

جزء الأسهم: 333

نوع الترانزستور: LDMOS, تكرر: 390MHz ~ 450MHz, ربح: 25dB, الجهد - اختبار: 50V,

PTFB182557SH-V1-R250

جزء الأسهم: 98

PXAC261212FC-V1-R250

جزء الأسهم: 152

نوع الترانزستور: LDMOS, تكرر: 2.69GHz, ربح: 15dB, الجهد - اختبار: 28V,

MRF176GV

جزء الأسهم: 640

نوع الترانزستور: 2 N-Channel (Dual) Common Source, تكرر: 225MHz, ربح: 17dB, الجهد - اختبار: 50V, التصويت الحالي: 16A,

PTRA093302DC V1

جزء الأسهم: 6377