Menu
العربيةالعربية
rfqs / order.
0rfqs / order.

الترانزستورات - FETs ، MOSFETs - أحادية

AOD2C60
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOD2C60

جزء الأسهم: 1810

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 600V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 2A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 3.3 Ohm @ 500mA, 10V,

إلى قائمة الأمنيات
AO4292
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO4292

جزء الأسهم: 1781

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 100V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 8A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 23 mOhm @ 8A, 10V,

إلى قائمة الأمنيات
AOWF10T60P
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOWF10T60P

جزء الأسهم: 1807

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 600V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 10A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 700 mOhm @ 5A, 10V,

إلى قائمة الأمنيات
AOWF11C60
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOWF11C60

جزء الأسهم: 1854

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 600V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 11A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 400 mOhm @ 5.5A, 10V,

إلى قائمة الأمنيات
AOW10T60P
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOW10T60P

جزء الأسهم: 1824

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 600V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 10A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 700 mOhm @ 5A, 10V,

إلى قائمة الأمنيات
AOTF12T50P
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOTF12T50P

جزء الأسهم: 120008

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 500V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 12A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 500 mOhm @ 6A, 10V,

إلى قائمة الأمنيات
AOTF10T60PL
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOTF10T60PL

جزء الأسهم: 1856

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 600V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 10A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 700 mOhm @ 5A, 10V,

إلى قائمة الأمنيات
AOI530
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOI530

جزء الأسهم: 1803

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 23A (Ta), 70A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 2.7 mOhm @ 20A, 10V,

إلى قائمة الأمنيات
AOI4C60
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOI4C60

جزء الأسهم: 1849

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 600V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 4A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 950 mOhm @ 1.3A, 10V,

إلى قائمة الأمنيات
AOD9N50
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOD9N50

جزء الأسهم: 71829

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 500V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 9A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 860 mOhm @ 4.5A, 10V,

إلى قائمة الأمنيات
AOD240
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOD240

جزء الأسهم: 126873

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 40V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 23A (Ta), 70A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 3 mOhm @ 20A, 10V,

إلى قائمة الأمنيات
AOD4130
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOD4130

جزء الأسهم: 147508

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 6.5A (Ta), 30A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 24 mOhm @ 20A, 10V,

إلى قائمة الأمنيات
AOD508
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOD508

جزء الأسهم: 136436

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 22A (Ta), 70A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 3 mOhm @ 20A, 10V,

إلى قائمة الأمنيات
AOD256
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOD256

جزء الأسهم: 160196

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 150V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 3A (Ta), 19A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 85 mOhm @ 10A, 10V,

إلى قائمة الأمنيات
AOTF10T60
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOTF10T60

جزء الأسهم: 1741

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 600V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 10A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 700 mOhm @ 5A, 10V,

إلى قائمة الأمنيات
AOD7S60
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOD7S60

جزء الأسهم: 105680

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 600V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 7A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 600 mOhm @ 3.5A, 10V,

إلى قائمة الأمنيات
AOD7S65
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOD7S65

جزء الأسهم: 113840

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 650V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 7A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 650 mOhm @ 3.5A, 10V,

إلى قائمة الأمنيات
AOB12N60FDL
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOB12N60FDL

جزء الأسهم: 80037

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 600V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 12A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 650 mOhm @ 6A, 10V,

إلى قائمة الأمنيات
AOT10T60L
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOT10T60L

جزء الأسهم: 1670

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 600V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 10A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 700 mOhm @ 5A, 10V,

إلى قائمة الأمنيات
AON6544
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AON6544

جزء الأسهم: 1708

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 60A (Ta), 85A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 1.4 mOhm @ 20A, 10V,

إلى قائمة الأمنيات
AUIRF3205Z
Infineon Technologies

AUIRF3205Z

جزء الأسهم: 26178

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 55V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 75A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 6.5 mOhm @ 66A, 10V,

إلى قائمة الأمنيات
AUIRFZ24NS
Infineon Technologies

AUIRFZ24NS

جزء الأسهم: 94454

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 55V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 17A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 70 mOhm @ 10A, 10V,

إلى قائمة الأمنيات
APTML50UM90R020T1AG
Microsemi Corporation

APTML50UM90R020T1AG

جزء الأسهم: 1625

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 500V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 52A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 108 mOhm @ 26A, 10V,

إلى قائمة الأمنيات
APTM120DA30CT1G
Microsemi Corporation

APTM120DA30CT1G

جزء الأسهم: 1333

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 1200V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 31A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 360 mOhm @ 25A, 10V,

إلى قائمة الأمنيات
APTML20UM18R010T1AG
Microsemi Corporation

APTML20UM18R010T1AG

جزء الأسهم: 1604

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 200V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 109A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 19 mOhm @ 50A, 10V,

إلى قائمة الأمنيات
APT14M100S
Microsemi Corporation

APT14M100S

جزء الأسهم: 8207

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 1000V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 14A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 880 mOhm @ 7A, 10V,

إلى قائمة الأمنيات
APT18M80S
Microsemi Corporation

APT18M80S

جزء الأسهم: 1606

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 800V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 19A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 530 mOhm @ 9A, 10V,

إلى قائمة الأمنيات
APT12057JLL
Microsemi Corporation

APT12057JLL

جزء الأسهم: 1638

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 1200V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 19A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 570 mOhm @ 10A, 10V,

إلى قائمة الأمنيات
APT53N60SC6
Microsemi Corporation

APT53N60SC6

جزء الأسهم: 1604

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 600V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 53A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 70 mOhm @ 25.8A, 10V,

إلى قائمة الأمنيات
APT12067JLL
Microsemi Corporation

APT12067JLL

جزء الأسهم: 1582

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 1200V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 17A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 570 mOhm @ 10A, 10V,

إلى قائمة الأمنيات
APTM100DA18CT1G
Microsemi Corporation

APTM100DA18CT1G

جزء الأسهم: 6180

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 1000V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 40A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 216 mOhm @ 33A, 10V,

إلى قائمة الأمنيات
APTC60DAM24CT1G
Microsemi Corporation

APTC60DAM24CT1G

جزء الأسهم: 1620

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 600V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 95A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 24 mOhm @ 47.5A, 10V,

إلى قائمة الأمنيات
APTC90DAM60CT1G
Microsemi Corporation

APTC90DAM60CT1G

جزء الأسهم: 1078

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 900V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 59A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 60 mOhm @ 52A, 10V,

إلى قائمة الأمنيات
APT33N90JCCU3
Microsemi Corporation

APT33N90JCCU3

جزء الأسهم: 1668

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 900V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 33A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 120 mOhm @ 26A, 10V,

إلى قائمة الأمنيات
APT33N90JCCU2
Microsemi Corporation

APT33N90JCCU2

جزء الأسهم: 2047

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 900V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 33A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 120 mOhm @ 26A, 10V,

إلى قائمة الأمنيات
APT20M120JCU3
Microsemi Corporation

APT20M120JCU3

جزء الأسهم: 2243

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 1200V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 20A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 672 mOhm @ 14A, 10V,

إلى قائمة الأمنيات