الترانزستورات - FETs ، MOSFETs - أحادية

2SK4196LS-1E

جزء الأسهم: 9506

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 500V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 5A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 1.56 Ohm @ 2.8A, 10V,

إلى قائمة الأمنيات

2SK3821-E

جزء الأسهم: 9493

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 100V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 40A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 33 mOhm @ 20A, 10V,

إلى قائمة الأمنيات

2SK4210

جزء الأسهم: 9418

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 900V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 10A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 1.3 Ohm @ 5A, 10V,

إلى قائمة الأمنيات

2SK4088LS

جزء الأسهم: 9450

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 650V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 7.5A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 850 mOhm @ 5.5A, 10V,

إلى قائمة الأمنيات

2SJ652

جزء الأسهم: 5963

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 28A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 38 mOhm @ 14A, 10V,

إلى قائمة الأمنيات

2SK4065-E

جزء الأسهم: 9480

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 75V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 100A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 6 mOhm @ 50A, 10V,

إلى قائمة الأمنيات

2N7008

جزء الأسهم: 9463

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 150mA (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 7.5 Ohm @ 50mA, 5V,

إلى قائمة الأمنيات

2N7000RLRA

جزء الأسهم: 9338

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 200mA (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 5 Ohm @ 500mA, 10V,

إلى قائمة الأمنيات

2N7002LT1

جزء الأسهم: 9349

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 115mA (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 7.5 Ohm @ 500mA, 10V,

إلى قائمة الأمنيات

2N7002_NB9G002

جزء الأسهم: 9327

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 115mA (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 7.5 Ohm @ 500mA, 10V,

إلى قائمة الأمنيات

2N7002KT3G

جزء الأسهم: 9323

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 320mA (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 1.6 Ohm @ 500mA, 10V,

إلى قائمة الأمنيات

Renesas Electronics America

2N7000RLRMG

جزء الأسهم: 9288

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 200mA (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 5 Ohm @ 500mA, 10V,

إلى قائمة الأمنيات

2SK3430-AZ

جزء الأسهم: 9563

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 40V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 80A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 7.3 mOhm @ 40A, 10V,

إلى قائمة الأمنيات

Renesas Electronics America

2SK1859-E

جزء الأسهم: 9480

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 900V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 6A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 3 Ohm @ 3A, 10V,

إلى قائمة الأمنيات

2SK354700L

جزء الأسهم: 9526

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 50V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 100mA (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 2.5V, 4V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 12 Ohm @ 10mA, 4V,

إلى قائمة الأمنيات

2SK3546J0L

جزء الأسهم: 9480

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 50V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 100mA (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 2.5V, 4V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 12 Ohm @ 10mA, 4V,

إلى قائمة الأمنيات

2SK0665G0L

جزء الأسهم: 9355

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 100mA (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 50 Ohm @ 20mA, 5V,

إلى قائمة الأمنيات

2SK221100L

جزء الأسهم: 9251

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 1A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 600 mOhm @ 500mA, 10V,

إلى قائمة الأمنيات

2SK0615

جزء الأسهم: 9274

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 80V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 500mA (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 4 Ohm @ 500mA, 10V,

إلى قائمة الأمنيات

2SK066400L

جزء الأسهم: 9187

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 50V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 100mA (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 50 Ohm @ 20mA, 5V,

إلى قائمة الأمنيات

Vishay Siliconix

2N6661JAN02

جزء الأسهم: 9463

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 90V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 860mA (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 4 Ohm @ 1A, 10V,

إلى قائمة الأمنيات

Vishay Siliconix

2N6661JTXP02

جزء الأسهم: 9544

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 90V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 860mA (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 4 Ohm @ 1A, 10V,

إلى قائمة الأمنيات

Vishay Siliconix

2N6660-2

جزء الأسهم: 9516

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 990mA (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 3 Ohm @ 1A, 10V,

إلى قائمة الأمنيات

2N6796U

جزء الأسهم: 9525

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 100V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 8A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 180 mOhm @ 5A, 10V,

إلى قائمة الأمنيات

2N6802U

جزء الأسهم: 9491

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 500V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 2.5A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 1.5 Ohm @ 1.5A, 10V,

إلى قائمة الأمنيات

2N6849

جزء الأسهم: 9509

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 100V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 6.5A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 320 mOhm @ 6.5A, 10V,

إلى قائمة الأمنيات

2N6782

جزء الأسهم: 9514

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 100V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 3.5A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 600 mOhm @ 2.25A, 10V,

إلى قائمة الأمنيات

2N6756

جزء الأسهم: 9470

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 100V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 14A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 210 mOhm @ 14A, 10V,

إلى قائمة الأمنيات

2N6760

جزء الأسهم: 9494

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 400V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 5.5A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 1.22 Ohm @ 5.5A, 10V,

إلى قائمة الأمنيات

GeneSiC Semiconductor

2N7640-GA

جزء الأسهم: 339

تقنية: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 650V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 16A (Tc) (155°C), Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 105 mOhm @ 16A,

إلى قائمة الأمنيات

2SJ360(TE12L,F)

جزء الأسهم: 9333

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 1A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 730 mOhm @ 500mA, 10V,

إلى قائمة الأمنيات

2SK3127(TE24L,Q)

جزء الأسهم: 9296

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 45A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 12 mOhm @ 25A, 10V,

إلى قائمة الأمنيات

2SK3565(Q,M)

جزء الأسهم: 9308

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 900V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 5A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 2.5 Ohm @ 3A, 10V,

إلى قائمة الأمنيات