Menu
العربيةالعربية
rfqs / order.
0rfqs / order.

الثنائيات - المقومات - مفرد

AR4PKHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

AR4PKHM3_A/H

جزء الأسهم: 122766

نوع الصمام الثنائي: Avalanche, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 800V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 1.8A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.9V @ 4A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 120ns,

قائمة الرغبات
AS4PG-M3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division

AS4PG-M3/86A

جزء الأسهم: 156118

نوع الصمام الثنائي: Avalanche, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 400V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 2.4A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 962mV @ 2A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 1.8µs,

قائمة الرغبات
AR3PGHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

AR3PGHM3_A/H

جزء الأسهم: 166071

نوع الصمام الثنائي: Avalanche, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 400V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 1.8A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.6V @ 3A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 140ns,

قائمة الرغبات
AU3PG-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division

AU3PG-M3/87A

جزء الأسهم: 193734

نوع الصمام الثنائي: Avalanche, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 400V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 1.7A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.9V @ 3A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 75ns,

قائمة الرغبات
AR4PJHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

AR4PJHM3_A/I

جزء الأسهم: 128845

نوع الصمام الثنائي: Avalanche, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 600V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 2A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.6V @ 4A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 140ns,

قائمة الرغبات
AR4PG-M3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division

AR4PG-M3/86A

جزء الأسهم: 191634

نوع الصمام الثنائي: Avalanche, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 400V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 2A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.6V @ 4A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 140ns,

قائمة الرغبات
AU3PJHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

AU3PJHM3_A/I

جزء الأسهم: 127642

نوع الصمام الثنائي: Avalanche, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 600V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 1.7A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.9V @ 3A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 75ns,

قائمة الرغبات
AS3PJHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

AS3PJHM3_A/I

جزء الأسهم: 186811

نوع الصمام الثنائي: Avalanche, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 600V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 2.1A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.1V @ 3A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 1.2µs,

قائمة الرغبات
AU2PJHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

AU2PJHM3_A/I

جزء الأسهم: 174404

نوع الصمام الثنائي: Avalanche, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 600V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 1.6A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.9V @ 2A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 75ns,

قائمة الرغبات
AU3PD-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division

AU3PD-M3/87A

جزء الأسهم: 193813

نوع الصمام الثنائي: Avalanche, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 200V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 1.7A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.9V @ 3A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 75ns,

قائمة الرغبات
AR4PJ-M3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division

AR4PJ-M3/86A

جزء الأسهم: 191604

نوع الصمام الثنائي: Avalanche, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 600V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 2A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.6V @ 4A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 140ns,

قائمة الرغبات
AS4PDHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

AS4PDHM3_A/H

جزء الأسهم: 128759

نوع الصمام الثنائي: Avalanche, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 200V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 2.4A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.1V @ 4A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 1.8µs,

قائمة الرغبات
AS3PMHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

AS3PMHM3_A/I

جزء الأسهم: 186880

نوع الصمام الثنائي: Avalanche, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 1000V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 2.1A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.1V @ 3A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 1.2µs,

قائمة الرغبات
AS3PJHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

AS3PJHM3_A/H

جزء الأسهم: 177930

نوع الصمام الثنائي: Avalanche, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 600V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 2.1A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.1V @ 3A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 1.2µs,

قائمة الرغبات
AR3PG-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division

AR3PG-M3/87A

جزء الأسهم: 187656

نوع الصمام الثنائي: Avalanche, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 400V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 1.8A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.6V @ 3A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 140ns,

قائمة الرغبات
AU3PJ-M3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division

AU3PJ-M3/86A

جزء الأسهم: 184541

نوع الصمام الثنائي: Avalanche, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 600V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 1.7A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.9V @ 3A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 75ns,

قائمة الرغبات
AR3PM-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division

AR3PM-M3/87A

جزء الأسهم: 157035

نوع الصمام الثنائي: Avalanche, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 1000V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 1.6A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.9V @ 3A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 120ns,

قائمة الرغبات
AR3PDHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

AR3PDHM3_A/I

جزء الأسهم: 174434

نوع الصمام الثنائي: Avalanche, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 200V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 1.8A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.6V @ 3A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 140ns,

قائمة الرغبات
AU2PDHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

AU2PDHM3_A/I

جزء الأسهم: 174405

نوع الصمام الثنائي: Avalanche, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 200V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 1.6A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.9V @ 2A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 75ns,

قائمة الرغبات
AU3PJ-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division

AU3PJ-M3/87A

جزء الأسهم: 193760

نوع الصمام الثنائي: Avalanche, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 600V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 1.7A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.9V @ 3A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 75ns,

قائمة الرغبات
AR4PGHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

AR4PGHM3_A/I

جزء الأسهم: 128885

نوع الصمام الثنائي: Avalanche, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 400V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 2A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.6V @ 4A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 140ns,

قائمة الرغبات
AR4PDHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

AR4PDHM3_A/H

جزء الأسهم: 122728

نوع الصمام الثنائي: Avalanche, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 200V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 2A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.6V @ 4A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 140ns,

قائمة الرغبات
AS4PMHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

AS4PMHM3_A/H

جزء الأسهم: 128756

نوع الصمام الثنائي: Avalanche, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 1000V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 2.4A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.1V @ 4A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 1.8µs,

قائمة الرغبات
AR3PG-M3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division

AR3PG-M3/86A

جزء الأسهم: 164275

نوع الصمام الثنائي: Avalanche, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 400V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 1.8A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.6V @ 3A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 140ns,

قائمة الرغبات
AS3PM-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division

AS3PM-M3/87A

جزء الأسهم: 159938

نوع الصمام الثنائي: Avalanche, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 1000V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 2.1A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 920mV @ 1.5A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 1.2µs,

قائمة الرغبات
AS3PD-M3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division

AS3PD-M3/86A

جزء الأسهم: 148577

نوع الصمام الثنائي: Avalanche, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 200V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 2.1A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 920mV @ 1.5A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 1.2µs,

قائمة الرغبات
AR4PM-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division

AR4PM-M3/87A

جزء الأسهم: 197456

نوع الصمام الثنائي: Avalanche, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 1000V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 1.8A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.9V @ 4A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 120ns,

قائمة الرغبات
AU2PD-M3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division

AU2PD-M3/86A

جزء الأسهم: 171186

نوع الصمام الثنائي: Avalanche, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 200V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 1.6A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.9V @ 2A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 75ns,

قائمة الرغبات
AU2PJHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

AU2PJHM3_A/H

جزء الأسهم: 166083

نوع الصمام الثنائي: Avalanche, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 600V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 1.6A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.9V @ 2A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 75ns,

قائمة الرغبات
AR4PG-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division

AR4PG-M3/87A

جزء الأسهم: 163453

نوع الصمام الثنائي: Avalanche, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 400V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 2A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.6V @ 4A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 140ns,

قائمة الرغبات
AS4PD-M3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division

AS4PD-M3/86A

جزء الأسهم: 109249

نوع الصمام الثنائي: Avalanche, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 200V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 2.4A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 962mV @ 2A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 1.8µs,

قائمة الرغبات
AR4PMHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

AR4PMHM3_A/I

جزء الأسهم: 140691

نوع الصمام الثنائي: Avalanche, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 1000V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 1.8A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.9V @ 4A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 120ns,

قائمة الرغبات
AR3PKHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

AR3PKHM3_A/H

جزء الأسهم: 166063

نوع الصمام الثنائي: Avalanche, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 800V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 1.6A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.9V @ 3A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 120ns,

قائمة الرغبات
AR4PD-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division

AR4PD-M3/87A

جزء الأسهم: 143683

نوع الصمام الثنائي: Avalanche, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 200V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 2A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.6V @ 4A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 140ns,

قائمة الرغبات
AR4PDHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

AR4PDHM3_A/I

جزء الأسهم: 128914

نوع الصمام الثنائي: Avalanche, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 200V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 2A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.6V @ 4A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 140ns,

قائمة الرغبات
AU2PGHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

AU2PGHM3_A/H

جزء الأسهم: 166086

نوع الصمام الثنائي: Avalanche, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 400V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 1.6A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.9V @ 2A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 75ns,

قائمة الرغبات