Menu
العربيةالعربية
rfqs / order.
0rfqs / order.

الثنائيات - المقومات - مفرد

60HFUR-200
Vishay Semiconductor Diodes Division

60HFUR-200

جزء الأسهم: 140

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 200V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 60A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.3V @ 60A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 80ns,

قائمة الرغبات
60HFUR-300
Vishay Semiconductor Diodes Division

60HFUR-300

جزء الأسهم: 112

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 300V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 60A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.3V @ 60A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 80ns,

قائمة الرغبات
60HFUR-100
Vishay Semiconductor Diodes Division

60HFUR-100

جزء الأسهم: 116

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 100V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 60A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.3V @ 60A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 80ns,

قائمة الرغبات
6TQ045
Vishay Semiconductor Diodes Division

6TQ045

جزء الأسهم: 112

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 45V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 6A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 600mV @ 6A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
6TQ035
Vishay Semiconductor Diodes Division

6TQ035

جزء الأسهم: 131

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 35V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 6A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 600mV @ 6A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
6TQ040
Vishay Semiconductor Diodes Division

6TQ040

جزء الأسهم: 167

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 40V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 6A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 600mV @ 6A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
6TQ045S
Vishay Semiconductor Diodes Division

6TQ045S

جزء الأسهم: 64

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 45V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 6A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 600mV @ 6A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
6TQ035S
Vishay Semiconductor Diodes Division

6TQ035S

جزء الأسهم: 123

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 35V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 6A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 600mV @ 6A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
60HFU-400
Vishay Semiconductor Diodes Division

60HFU-400

جزء الأسهم: 147

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 400V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 60A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.3V @ 60A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 80ns,

قائمة الرغبات
60HFU-200
Vishay Semiconductor Diodes Division

60HFU-200

جزء الأسهم: 113

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 200V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 60A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.3V @ 60A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 80ns,

قائمة الرغبات
60HFU-300
Vishay Semiconductor Diodes Division

60HFU-300

جزء الأسهم: 62

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 300V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 60A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.3V @ 60A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 80ns,

قائمة الرغبات
60HFU-100
Vishay Semiconductor Diodes Division

60HFU-100

جزء الأسهم: 142

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 100V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 60A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.3V @ 60A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 80ns,

قائمة الرغبات
60EPF12
Vishay Semiconductor Diodes Division

60EPF12

جزء الأسهم: 61

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 1200V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 60A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.4V @ 60A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 480ns,

قائمة الرغبات
60EPF10
Vishay Semiconductor Diodes Division

60EPF10

جزء الأسهم: 114

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 1000V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 60A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.4V @ 60A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 480ns,

قائمة الرغبات
60EPF04
Vishay Semiconductor Diodes Division

60EPF04

جزء الأسهم: 5026

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 400V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 60A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.3V @ 60A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 180ns,

قائمة الرغبات
60EPF06
Vishay Semiconductor Diodes Division

60EPF06

جزء الأسهم: 117

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 600V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 60A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.3V @ 60A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 180ns,

قائمة الرغبات
60CPF12
Vishay Semiconductor Diodes Division

60CPF12

جزء الأسهم: 86

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 1200V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 60A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.4V @ 60A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 480ns,

قائمة الرغبات
60EPF02
Vishay Semiconductor Diodes Division

60EPF02

جزء الأسهم: 41

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 200V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 60A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.3V @ 60A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 180ns,

قائمة الرغبات
60CPF06
Vishay Semiconductor Diodes Division

60CPF06

جزء الأسهم: 34

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 600V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 60A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.3V @ 60A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 180ns,

قائمة الرغبات
60CPF10
Vishay Semiconductor Diodes Division

60CPF10

جزء الأسهم: 90

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 1000V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 60A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.4V @ 60A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 480ns,

قائمة الرغبات
60CPF04
Vishay Semiconductor Diodes Division

60CPF04

جزء الأسهم: 42

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 400V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 60A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.3V @ 60A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 180ns,

قائمة الرغبات
60HQ100
Vishay Semiconductor Diodes Division

60HQ100

جزء الأسهم: 10012

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 100V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 60A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 890mV @ 60A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
60EPS12
Vishay Semiconductor Diodes Division

60EPS12

جزء الأسهم: 9993

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 1200V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 60A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.1V @ 60A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
60EPS08
Vishay Semiconductor Diodes Division

60EPS08

جزء الأسهم: 9995

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 800V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 60A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.1V @ 60A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
70UR120D
Vishay Semiconductor Diodes Division

70UR120D

جزء الأسهم: 1052

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 1200V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 250A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.3V @ 785A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
70U120D
Vishay Semiconductor Diodes Division

70U120D

جزء الأسهم: 5038

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 1200V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 250A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.3V @ 785A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
70U160D
Vishay Semiconductor Diodes Division

70U160D

جزء الأسهم: 89

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 1600V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 250A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.3V @ 785A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
70EPF04
Vishay Semiconductor Diodes Division

70EPF04

جزء الأسهم: 10051

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 400V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 70A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.33V @ 70A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
8ETL06S
Vishay Semiconductor Diodes Division

8ETL06S

جزء الأسهم: 5109

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 600V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 8A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.05V @ 8A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 250ns,

قائمة الرغبات
8ETU04-1
Vishay Semiconductor Diodes Division

8ETU04-1

جزء الأسهم: 1052

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 400V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 8A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.3V @ 8A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 60ns,

قائمة الرغبات
8TQ100STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division

8TQ100STRR

جزء الأسهم: 1085

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 100V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 8A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 720mV @ 8A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
8EWS12S
Vishay Semiconductor Diodes Division

8EWS12S

جزء الأسهم: 1084

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 1200V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 8A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.1V @ 8A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
80SQ035PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

80SQ035PBF

جزء الأسهم: 319

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 35V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 8A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 530mV @ 8A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
8ETX06S
Vishay Semiconductor Diodes Division

8ETX06S

جزء الأسهم: 220

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 600V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 8A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 3V @ 8A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 24ns,

قائمة الرغبات
8ETX06FP
Vishay Semiconductor Diodes Division

8ETX06FP

جزء الأسهم: 178

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 600V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 8A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 3V @ 8A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 24ns,

قائمة الرغبات
8ETX06STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division

8ETX06STRL

جزء الأسهم: 204

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 600V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 8A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 3V @ 8A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 24ns,

قائمة الرغبات