Menu
العربيةالعربية
rfqs / order.
0rfqs / order.

الثنائيات - المقومات - مفرد

20ETS08FP
Vishay Semiconductor Diodes Division

20ETS08FP

جزء الأسهم: 105

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 800V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 20A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.1V @ 20A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
20ETS12FP
Vishay Semiconductor Diodes Division

20ETS12FP

جزء الأسهم: 5069

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 1200V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 20A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.1V @ 20A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
20ETF06FP
Vishay Semiconductor Diodes Division

20ETF06FP

جزء الأسهم: 26

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 600V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 20A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.3V @ 20A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 160ns,

قائمة الرغبات
20ETF04FP
Vishay Semiconductor Diodes Division

20ETF04FP

جزء الأسهم: 116

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 400V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 20A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.3V @ 20A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 160ns,

قائمة الرغبات
20ETF02FP
Vishay Semiconductor Diodes Division

20ETF02FP

جزء الأسهم: 49

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 200V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 20A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.3V @ 20A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 160ns,

قائمة الرغبات
20ETF10
Vishay Semiconductor Diodes Division

20ETF10

جزء الأسهم: 31

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 1000V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 20A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.31V @ 20A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 400ns,

قائمة الرغبات
20ETF08
Vishay Semiconductor Diodes Division

20ETF08

جزء الأسهم: 115

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 800V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 20A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.31V @ 20A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 400ns,

قائمة الرغبات
20ETF06
Vishay Semiconductor Diodes Division

20ETF06

جزء الأسهم: 56

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 600V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 20A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.3V @ 20A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 160ns,

قائمة الرغبات
20ETF04
Vishay Semiconductor Diodes Division

20ETF04

جزء الأسهم: 79

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 400V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 20A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.3V @ 20A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 160ns,

قائمة الرغبات
20ETF02
Vishay Semiconductor Diodes Division

20ETF02

جزء الأسهم: 38

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 200V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 20A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.3V @ 20A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 160ns,

قائمة الرغبات
20ETF12S
Vishay Semiconductor Diodes Division

20ETF12S

جزء الأسهم: 75

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 1200V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 20A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.31V @ 20A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 400ns,

قائمة الرغبات
20ETF06S
Vishay Semiconductor Diodes Division

20ETF06S

جزء الأسهم: 10053

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 600V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 20A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.3V @ 20A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 160ns,

قائمة الرغبات
20ETF08S
Vishay Semiconductor Diodes Division

20ETF08S

جزء الأسهم: 10001

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 800V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 20A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.31V @ 20A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 400ns,

قائمة الرغبات
20ETF04S
Vishay Semiconductor Diodes Division

20ETF04S

جزء الأسهم: 10053

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 400V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 20A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.3V @ 20A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 160ns,

قائمة الرغبات
20ETF10S
Vishay Semiconductor Diodes Division

20ETF10S

جزء الأسهم: 10015

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 1000V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 20A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.31V @ 20A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 400ns,

قائمة الرغبات
20ETS08STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division

20ETS08STRL

جزء الأسهم: 5086

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 800V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 20A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.1V @ 20A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
245NQ015
Vishay Semiconductor Diodes Division

245NQ015

جزء الأسهم: 10043

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 15V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 240A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 400mV @ 240A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
20ETS12
Vishay Semiconductor Diodes Division

20ETS12

جزء الأسهم: 5060

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 1200V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 20A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.1V @ 20A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
20ETS12S
Vishay Semiconductor Diodes Division

20ETS12S

جزء الأسهم: 10050

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 1200V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 20A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.1V @ 20A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
20ETS08S
Vishay Semiconductor Diodes Division

20ETS08S

جزء الأسهم: 9995

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 800V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 20A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.1V @ 20A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
20ETF02S
Vishay Semiconductor Diodes Division

20ETF02S

جزء الأسهم: 9988

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 200V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 20A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.3V @ 20A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 160ns,

قائمة الرغبات
301UR80
Vishay Semiconductor Diodes Division

301UR80

جزء الأسهم: 1468

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 800V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 330A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.22V @ 942A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
31GF6-M3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division

31GF6-M3/73

جزء الأسهم: 107592

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 600V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 3A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.6V @ 3A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 30ns,

قائمة الرغبات
31GF4-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

31GF4-E3/54

جزء الأسهم: 111138

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 400V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 3A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.25V @ 3A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 30ns,

قائمة الرغبات
31GF4-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division

31GF4-E3/73

جزء الأسهم: 170598

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 400V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 3A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.25V @ 3A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 30ns,

قائمة الرغبات
31GF6-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division

31GF6-E3/73

جزء الأسهم: 162083

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 600V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 3A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.6V @ 3A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 30ns,

قائمة الرغبات
31GF4-M3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division

31GF4-M3/73

جزء الأسهم: 119879

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 400V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 3A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.25V @ 3A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 30ns,

قائمة الرغبات
31GF6-M3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

31GF6-M3/54

جزء الأسهم: 151354

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 600V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 3A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.6V @ 3A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 30ns,

قائمة الرغبات
31GF4-M3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

31GF4-M3/54

جزء الأسهم: 146657

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 400V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 3A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.25V @ 3A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 30ns,

قائمة الرغبات
31GF6-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

31GF6-E3/54

جزء الأسهم: 110475

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 600V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 3A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.6V @ 3A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 30ns,

قائمة الرغبات
30HFU-100
Vishay Semiconductor Diodes Division

30HFU-100

جزء الأسهم: 1057

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 100V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 30A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.45V @ 30A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 80ns,

قائمة الرغبات
30ETH06
Vishay Semiconductor Diodes Division

30ETH06

جزء الأسهم: 212

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 600V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 30A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 2.6V @ 30A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 35ns,

قائمة الرغبات
30EPH06
Vishay Semiconductor Diodes Division

30EPH06

جزء الأسهم: 243

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 600V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 30A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 2.6V @ 30A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 35ns,

قائمة الرغبات
30EPH03
Vishay Semiconductor Diodes Division

30EPH03

جزء الأسهم: 213

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 300V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 30A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.25V @ 30A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 55ns,

قائمة الرغبات
30WQ10FNTRR
Vishay Semiconductor Diodes Division

30WQ10FNTRR

جزء الأسهم: 102

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 100V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 3.5A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 810mV @ 3A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
30WQ06FNTRL
Vishay Semiconductor Diodes Division

30WQ06FNTRL

جزء الأسهم: 115

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 60V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 3.5A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 610mV @ 3A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات