الثنائيات - المقومات - مفرد | منتجات أشباه الموصلات المنفصلة | 100

AS4PJHM3/87A

جزء الأسهم: 1562

نوع الصمام الثنائي: Avalanche, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 600V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 2.4A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 962mV @ 2A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 1.8µs,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

AS4PGHM3/86A

جزء الأسهم: 1550

نوع الصمام الثنائي: Avalanche, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 400V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 2.4A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 962mV @ 2A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 1.8µs,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

AS4PGHM3/87A

جزء الأسهم: 1549

نوع الصمام الثنائي: Avalanche, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 400V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 2.4A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 962mV @ 2A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 1.8µs,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

AS4PDHM3/86A

جزء الأسهم: 5590

نوع الصمام الثنائي: Avalanche, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 200V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 2.4A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 962mV @ 2A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 1.8µs,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

AS4PDHM3/87A

جزء الأسهم: 1533

نوع الصمام الثنائي: Avalanche, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 200V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 2.4A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 962mV @ 2A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 1.8µs,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

AS3PMHM3/86A

جزء الأسهم: 1514

نوع الصمام الثنائي: Avalanche, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 1000V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 2.1A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 920mV @ 1.5A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 1.2µs,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

AS3PMHM3/87A

جزء الأسهم: 1551

نوع الصمام الثنائي: Avalanche, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 1000V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 2.1A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 920mV @ 1.5A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 1.2µs,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

AS3PKHM3/87A

جزء الأسهم: 1516

نوع الصمام الثنائي: Avalanche, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 800V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 2.1A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 920mV @ 1.5A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 1.2µs,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

AS3PKHM3/86A

جزء الأسهم: 1523

نوع الصمام الثنائي: Avalanche, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 800V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 2.1A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 920mV @ 1.5A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 1.2µs,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

AS3PJHM3/86A

جزء الأسهم: 1557

نوع الصمام الثنائي: Avalanche, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 600V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 2.1A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 920mV @ 1.5A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 1.2µs,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

AS3PGHM3/87A

جزء الأسهم: 1579

نوع الصمام الثنائي: Avalanche, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 400V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 2.1A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 920mV @ 1.5A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 1.2µs,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

AS3PDHM3/87A

جزء الأسهم: 1491

نوع الصمام الثنائي: Avalanche, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 200V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 2.1A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 920mV @ 1.5A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 1.2µs,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

AS3PGHM3/86A

جزء الأسهم: 1574

نوع الصمام الثنائي: Avalanche, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 400V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 2.1A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 920mV @ 1.5A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 1.2µs,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

AR4PMHM3/86A

جزء الأسهم: 1534

نوع الصمام الثنائي: Avalanche, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 1000V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 1.8A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.9V @ 4A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 120ns,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

AR4PKHM3/87A

جزء الأسهم: 1551

نوع الصمام الثنائي: Avalanche, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 800V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 1.8A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.9V @ 4A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 120ns,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

AR4PKHM3/86A

جزء الأسهم: 1589

نوع الصمام الثنائي: Avalanche, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 800V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 1.8A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.9V @ 4A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 120ns,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

AR4PJHM3/87A

جزء الأسهم: 1584

نوع الصمام الثنائي: Avalanche, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 600V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 2A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.6V @ 4A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 140ns,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

AR4PJHM3/86A

جزء الأسهم: 1577

نوع الصمام الثنائي: Avalanche, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 600V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 2A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.6V @ 4A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 140ns,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

AR4PGHM3/87A

جزء الأسهم: 1522

نوع الصمام الثنائي: Avalanche, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 400V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 2A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.6V @ 4A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 140ns,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

AR4PGHM3/86A

جزء الأسهم: 1556

نوع الصمام الثنائي: Avalanche, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 400V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 2A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.6V @ 4A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 140ns,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

AR4PDHM3/87A

جزء الأسهم: 1503

نوع الصمام الثنائي: Avalanche, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 200V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 2A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.6V @ 4A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 140ns,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

AR4PDHM3/86A

جزء الأسهم: 1498

نوع الصمام الثنائي: Avalanche, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 200V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 2A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.6V @ 4A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 140ns,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

AR3PMHM3/86A

جزء الأسهم: 1495

نوع الصمام الثنائي: Avalanche, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 1000V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 1.6A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.9V @ 3A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 120ns,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

AR3PMHM3/87A

جزء الأسهم: 1521

نوع الصمام الثنائي: Avalanche, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 1000V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 1.6A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.9V @ 3A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 120ns,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

AR3PKHM3/86A

جزء الأسهم: 1530

نوع الصمام الثنائي: Avalanche, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 800V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 1.6A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.9V @ 3A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 120ns,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

AR3PKHM3/87A

جزء الأسهم: 1564

نوع الصمام الثنائي: Avalanche, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 800V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 1.6A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.9V @ 3A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 120ns,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

AR3PJHM3/86A

جزء الأسهم: 1498

نوع الصمام الثنائي: Avalanche, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 600V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 1.8A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.6V @ 3A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 140ns,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

AR3PJHM3/87A

جزء الأسهم: 1583

نوع الصمام الثنائي: Avalanche, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 600V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 1.8A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.6V @ 3A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 140ns,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

AR3PGHM3/87A

جزء الأسهم: 1539

نوع الصمام الثنائي: Avalanche, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 400V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 1.8A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.6V @ 3A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 140ns,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

AR3PGHM3/86A

جزء الأسهم: 1529

نوع الصمام الثنائي: Avalanche, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 400V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 1.8A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.6V @ 3A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 140ns,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

AR3PDHM3/87A

جزء الأسهم: 1556

نوع الصمام الثنائي: Avalanche, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 200V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 1.8A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.6V @ 3A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 140ns,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

AR3PDHM3/86A

جزء الأسهم: 1542

نوع الصمام الثنائي: Avalanche, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 200V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 1.8A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.6V @ 3A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 140ns,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

AU2PKHM3/87A

جزء الأسهم: 1229

نوع الصمام الثنائي: Avalanche, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 800V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 1.3A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 2.5V @ 2A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 75ns,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

AS3PDHM3/86A

جزء الأسهم: 1215

نوع الصمام الثنائي: Avalanche, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 200V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 2.1A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 920mV @ 1.5A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 1.2µs,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

AR4PMHM3/87A

جزء الأسهم: 1252

نوع الصمام الثنائي: Avalanche, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 1000V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 1.8A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.9V @ 4A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 120ns,

قائمة الرغبات

Vishay Semiconductor Diodes Division

AS3PJHM3/87A

جزء الأسهم: 5198

نوع الصمام الثنائي: Avalanche, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 600V, الحالي - متوسط المعدل (Io): 2.1A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 920mV @ 1.5A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 1.2µs,

قائمة الرغبات