Menu
العربيةالعربية
rfqs / order.
0rfqs / order.

PMIC - بوابات السائقين

LM5110-3SD/NOPB
Texas Instruments

LM5110-3SD/NOPB

جزء الأسهم: 112260

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 3.5V ~ 14V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.2V,

قائمة الرغبات
LM5109ASDX/NOPB
Texas Instruments

LM5109ASDX/NOPB

جزء الأسهم: 130221

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 8V ~ 14V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.2V,

قائمة الرغبات
TPS2812PWR
Texas Instruments

TPS2812PWR

جزء الأسهم: 88147

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel, P-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4V ~ 14V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 1V, 4V,

قائمة الرغبات
LM5110-1SD/NOPB
Texas Instruments

LM5110-1SD/NOPB

جزء الأسهم: 112307

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 3.5V ~ 14V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.2V,

قائمة الرغبات
LM5114AMF/S7003109
Texas Instruments

LM5114AMF/S7003109

جزء الأسهم: 108573

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Single, عدد السائقين: 1, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4V ~ 12.6V,

قائمة الرغبات
TPS28226DRBR
Texas Instruments

TPS28226DRBR

جزء الأسهم: 104607

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 6.8V ~ 8.8V,

قائمة الرغبات
TPS2814DR
Texas Instruments

TPS2814DR

جزء الأسهم: 96391

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel, P-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4V ~ 14V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 1V, 4V,

قائمة الرغبات
UCC27517ADBVR
Texas Instruments

UCC27517ADBVR

جزء الأسهم: 121390

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Single, عدد السائقين: 1, نوع البوابة: IGBT, N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 18V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 1V, 2.4V,

قائمة الرغبات
UCC27525DR
Texas Instruments

UCC27525DR

جزء الأسهم: 82279

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: IGBT, N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 18V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 1V, 2.3V,

قائمة الرغبات
TPS28225TDRBRQ1
Texas Instruments

TPS28225TDRBRQ1

جزء الأسهم: 88673

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 8.8V,

قائمة الرغبات
LM5114BSDX/NOPB
Texas Instruments

LM5114BSDX/NOPB

جزء الأسهم: 108518

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Single, عدد السائقين: 1, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4V ~ 12.6V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.4V,

قائمة الرغبات
LM5106SDX/NOPB
Texas Instruments

LM5106SDX/NOPB

جزء الأسهم: 94270

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 8V ~ 14V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.2V,

قائمة الرغبات
SN75451BDRE4
Texas Instruments

SN75451BDRE4

جزء الأسهم: 192644

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel, P-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.75V ~ 5.25V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2V,

قائمة الرغبات
LM5114BMFX/S7003094
Texas Instruments

LM5114BMFX/S7003094

جزء الأسهم: 108567

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Single, عدد السائقين: 1, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4V ~ 12.6V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.4V,

قائمة الرغبات
TPS28225DRBRG4
Texas Instruments

TPS28225DRBRG4

جزء الأسهم: 108122

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 8.8V,

قائمة الرغبات
TPS2828DBVRG4
Texas Instruments

TPS2828DBVRG4

جزء الأسهم: 106379

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Single, عدد السائقين: 1, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4V ~ 14V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 1V, 4V,

قائمة الرغبات
UCC27512DRSR
Texas Instruments

UCC27512DRSR

جزء الأسهم: 121401

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Single, عدد السائقين: 1, نوع البوابة: IGBT, N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 18V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 1V, 2.4V,

قائمة الرغبات
LM5114AMFX/NOPB
Texas Instruments

LM5114AMFX/NOPB

جزء الأسهم: 108558

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Single, عدد السائقين: 1, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4V ~ 12.6V,

قائمة الرغبات
TPS2829QDBVRQ1
Texas Instruments

TPS2829QDBVRQ1

جزء الأسهم: 90202

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Single, عدد السائقين: 1, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4V ~ 14V,

قائمة الرغبات
SN75452BDRE4
Texas Instruments

SN75452BDRE4

جزء الأسهم: 196028

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel, P-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.75V ~ 5.25V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2V,

قائمة الرغبات
TPS2829DBVR
Texas Instruments

TPS2829DBVR

جزء الأسهم: 106409

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Single, عدد السائقين: 1, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4V ~ 14V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 1V, 4V,

قائمة الرغبات
LM5110-1MX/NOPB
Texas Instruments

LM5110-1MX/NOPB

جزء الأسهم: 104007

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 3.5V ~ 14V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.2V,

قائمة الرغبات
UCC27523DSDR
Texas Instruments

UCC27523DSDR

جزء الأسهم: 82229

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: IGBT, N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 18V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 1V, 2.3V,

قائمة الرغبات
LM5109BMAX/NOPB
Texas Instruments

LM5109BMAX/NOPB

جزء الأسهم: 130205

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 8V ~ 14V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.2V,

قائمة الرغبات
LM5106MMX/NOPB
Texas Instruments

LM5106MMX/NOPB

جزء الأسهم: 94212

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 8V ~ 14V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.2V,

قائمة الرغبات
LM5110-3MX/NOPB
Texas Instruments

LM5110-3MX/NOPB

جزء الأسهم: 112311

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 3.5V ~ 14V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.2V,

قائمة الرغبات
SN75453BDRG4
Texas Instruments

SN75453BDRG4

جزء الأسهم: 192021

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel, P-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.75V ~ 5.25V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2V,

قائمة الرغبات
SN75452BPSRG4
Texas Instruments

SN75452BPSRG4

جزء الأسهم: 180171

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel, P-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.75V ~ 5.25V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2V,

قائمة الرغبات
LM5110-2MX/NOPB
Texas Instruments

LM5110-2MX/NOPB

جزء الأسهم: 112264

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 3.5V ~ 14V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.2V,

قائمة الرغبات
LM5114ASDX/NOPB
Texas Instruments

LM5114ASDX/NOPB

جزء الأسهم: 108532

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Single, عدد السائقين: 1, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4V ~ 12.6V,

قائمة الرغبات
LM5114BMF/S7003110
Texas Instruments

LM5114BMF/S7003110

جزء الأسهم: 108494

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Single, عدد السائقين: 1, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4V ~ 12.6V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.4V,

قائمة الرغبات
UCC27525DGNR
Texas Instruments

UCC27525DGNR

جزء الأسهم: 82232

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: IGBT, N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 18V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 1V, 2.3V,

قائمة الرغبات
LM5109MAX/NOPB
Texas Instruments

LM5109MAX/NOPB

جزء الأسهم: 102759

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 8V ~ 14V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.2V,

قائمة الرغبات
LM5111-4MY/NOPB
Texas Instruments

LM5111-4MY/NOPB

جزء الأسهم: 112269

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 3.5V ~ 14V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.2V,

قائمة الرغبات
LM5112SDX/NOPB
Texas Instruments

LM5112SDX/NOPB

جزء الأسهم: 53065

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Single, عدد السائقين: 1, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 3.5V ~ 14V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.3V,

قائمة الرغبات
SN75477DR
Texas Instruments

SN75477DR

جزء الأسهم: 198226

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, الجهد - العرض: 4.5V ~ 5.5V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2V,

قائمة الرغبات