Menu
العربيةالعربية
rfqs / order.
0rfqs / order.

PMIC - بوابات السائقين

UCC37324PG4
Texas Instruments

UCC37324PG4

جزء الأسهم: 48291

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel, P-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 15V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 1V, 2V,

قائمة الرغبات
UCC27511DBVT
Texas Instruments

UCC27511DBVT

جزء الأسهم: 68736

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Single, عدد السائقين: 1, نوع البوابة: IGBT, N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 18V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 1V, 2.4V,

قائمة الرغبات
TPS2816DBVTG4
Texas Instruments

TPS2816DBVTG4

جزء الأسهم: 55226

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Single, عدد السائقين: 1, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4V ~ 14V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 1V, 4V,

قائمة الرغبات
LM5100AMX/NOPB
Texas Instruments

LM5100AMX/NOPB

جزء الأسهم: 49399

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 9V ~ 14V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 2.3V, -,

قائمة الرغبات
LM25101AMRX/NOPB
Texas Instruments

LM25101AMRX/NOPB

جزء الأسهم: 52132

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 9V ~ 14V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 2.3V, -,

قائمة الرغبات
UCC27533DBVR
Texas Instruments

UCC27533DBVR

جزء الأسهم: 86888

تكوين مدفوعة: High-Side or Low-Side, نوع القناة: Single, عدد السائقين: 1, نوع البوابة: IGBT, N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10V ~ 32V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 1.2V, 2.2V,

قائمة الرغبات
LM9061QDRQ1
Texas Instruments

LM9061QDRQ1

جزء الأسهم: 51393

تكوين مدفوعة: High-Side, نوع القناة: Single, عدد السائقين: 1, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 7V ~ 26V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 1.5V, 3.5V,

قائمة الرغبات
UCD7232RTJT
Texas Instruments

UCD7232RTJT

جزء الأسهم: 69030

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.7V ~ 15V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2V,

قائمة الرغبات
LM5060Q1MM/NOPB
Texas Instruments

LM5060Q1MM/NOPB

جزء الأسهم: 59484

تكوين مدفوعة: High-Side, نوع القناة: Single, عدد السائقين: 1, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 5.5V ~ 65V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2V,

قائمة الرغبات
TPS28226DRBTG4
Texas Instruments

TPS28226DRBTG4

جزء الأسهم: 72574

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 6.8V ~ 8.8V,

قائمة الرغبات
TPS2829DBVTG4
Texas Instruments

TPS2829DBVTG4

جزء الأسهم: 71288

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Single, عدد السائقين: 1, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4V ~ 14V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 1V, 4V,

قائمة الرغبات
LM25101AMX/NOPB
Texas Instruments

LM25101AMX/NOPB

جزء الأسهم: 52111

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 9V ~ 14V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 2.3V, -,

قائمة الرغبات
TPS2811QPWRQ1
Texas Instruments

TPS2811QPWRQ1

جزء الأسهم: 60080

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel, P-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4V ~ 14V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 1V, 4V,

قائمة الرغبات
UCC27200ADDAR
Texas Instruments

UCC27200ADDAR

جزء الأسهم: 50081

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 8V ~ 17V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 3V, 8V,

قائمة الرغبات
UCC27322QDRQ1
Texas Instruments

UCC27322QDRQ1

جزء الأسهم: 54301

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Single, عدد السائقين: 1, نوع البوابة: N-Channel, P-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4V ~ 15V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 1.1V, 2.7V,

قائمة الرغبات
SM74104MAX/NOPB
Texas Instruments

SM74104MAX/NOPB

جزء الأسهم: 60591

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 9V ~ 14V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2V,

قائمة الرغبات
UCC27531DBVT
Texas Instruments

UCC27531DBVT

جزء الأسهم: 47210

تكوين مدفوعة: High-Side or Low-Side, نوع القناة: Single, عدد السائقين: 1, نوع البوابة: IGBT, N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10V ~ 32V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 1.2V, 2.2V,

قائمة الرغبات
LM5101CMYX/NOPB
Texas Instruments

LM5101CMYX/NOPB

جزء الأسهم: 76310

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 9V ~ 14V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 2.3V, -,

قائمة الرغبات
UCC27322DGNR
Texas Instruments

UCC27322DGNR

جزء الأسهم: 50987

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Single, عدد السائقين: 1, نوع البوابة: N-Channel, P-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4V ~ 15V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 1.1V, 2.7V,

قائمة الرغبات
UC2715DTR
Texas Instruments

UC2715DTR

جزء الأسهم: 57118

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel, P-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 7V ~ 20V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2V,

قائمة الرغبات
SN75372PSRE4
Texas Instruments

SN75372PSRE4

جزء الأسهم: 58256

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.75V ~ 5.25V, 4.75V ~ 24V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2V,

قائمة الرغبات
UCC27201DRMR
Texas Instruments

UCC27201DRMR

جزء الأسهم: 48171

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 8V ~ 17V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.5V,

قائمة الرغبات
UCC27538DBVR
Texas Instruments

UCC27538DBVR

جزء الأسهم: 86859

تكوين مدفوعة: High-Side or Low-Side, نوع القناة: Single, عدد السائقين: 1, نوع البوابة: IGBT, N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10V ~ 32V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 1.2V, 2.2V,

قائمة الرغبات
UCC27518DBVR
Texas Instruments

UCC27518DBVR

جزء الأسهم: 121411

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Single, عدد السائقين: 1, نوع البوابة: IGBT, N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 18V,

قائمة الرغبات
TPS2812DRG4
Texas Instruments

TPS2812DRG4

جزء الأسهم: 88117

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel, P-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4V ~ 14V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 1V, 4V,

قائمة الرغبات
SN75452BD
Texas Instruments

SN75452BD

جزء الأسهم: 93918

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel, P-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.75V ~ 5.25V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2V,

قائمة الرغبات
UCC27524DGNR
Texas Instruments

UCC27524DGNR

جزء الأسهم: 82241

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: IGBT, N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 18V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 1V, 2.3V,

قائمة الرغبات
LM5112Q1SDX/NOPB
Texas Instruments

LM5112Q1SDX/NOPB

جزء الأسهم: 133142

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Single, عدد السائقين: 1, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 3.5V ~ 14V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.3V,

قائمة الرغبات
TPS2829DBVRG4
Texas Instruments

TPS2829DBVRG4

جزء الأسهم: 106370

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Single, عدد السائقين: 1, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4V ~ 14V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 1V, 4V,

قائمة الرغبات
LM5112MYX/NOPB
Texas Instruments

LM5112MYX/NOPB

جزء الأسهم: 129202

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Single, عدد السائقين: 1, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 3.5V ~ 14V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.3V,

قائمة الرغبات
SN75451BDRG4
Texas Instruments

SN75451BDRG4

جزء الأسهم: 119441

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel, P-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.75V ~ 5.25V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2V,

قائمة الرغبات
LM5111-2MY/NOPB
Texas Instruments

LM5111-2MY/NOPB

جزء الأسهم: 112253

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 3.5V ~ 14V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.2V,

قائمة الرغبات
LM5110-1SDX/NOPB
Texas Instruments

LM5110-1SDX/NOPB

جزء الأسهم: 112298

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: IGBT, N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 3.5V ~ 14V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.2V,

قائمة الرغبات
LM5109AMAX/NOPB
Texas Instruments

LM5109AMAX/NOPB

جزء الأسهم: 130192

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 8V ~ 14V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.2V,

قائمة الرغبات
SN75453BPSR
Texas Instruments

SN75453BPSR

جزء الأسهم: 129757

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel, P-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.75V ~ 5.25V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2V,

قائمة الرغبات
LM5134BSDX/NOPB
Texas Instruments

LM5134BSDX/NOPB

جزء الأسهم: 110979

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Single, عدد السائقين: 1, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4V ~ 12.6V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.4V,

قائمة الرغبات