Menu
العربيةالعربية
rfqs / order.
0rfqs / order.

PMIC - بوابات السائقين

UCC27519DBVT
Texas Instruments

UCC27519DBVT

جزء الأسهم: 68709

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Single, عدد السائقين: 1, نوع البوابة: IGBT, N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 18V,

قائمة الرغبات
EMB1412MY/NOPB
Texas Instruments

EMB1412MY/NOPB

جزء الأسهم: 93033

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Single, عدد السائقين: 1, نوع البوابة: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 3.5V ~ 14V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.3V,

قائمة الرغبات
LM5100AMRX/NOPB
Texas Instruments

LM5100AMRX/NOPB

جزء الأسهم: 52566

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 9V ~ 14V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 2.3V, -,

قائمة الرغبات
UCC27321DRG4
Texas Instruments

UCC27321DRG4

جزء الأسهم: 59226

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Single, عدد السائقين: 1, نوع البوابة: N-Channel, P-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4V ~ 15V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 1.1V, 2.7V,

قائمة الرغبات
UCC27527DSDT
Texas Instruments

UCC27527DSDT

جزء الأسهم: 55221

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: IGBT, N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 18V,

قائمة الرغبات
TPS2813PWRG4
Texas Instruments

TPS2813PWRG4

جزء الأسهم: 60413

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel, P-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4V ~ 14V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 1V, 4V,

قائمة الرغبات
UCC27200DR
Texas Instruments

UCC27200DR

جزء الأسهم: 48184

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 8V ~ 17V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 3V, 8V,

قائمة الرغبات
UCC27524A1QDGNRQ1
Texas Instruments

UCC27524A1QDGNRQ1

جزء الأسهم: 69659

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: IGBT, N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 18V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 1V, 2.3V,

قائمة الرغبات
TPS2829DBVT
Texas Instruments

TPS2829DBVT

جزء الأسهم: 62473

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Single, عدد السائقين: 1, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4V ~ 14V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 1V, 4V,

قائمة الرغبات
UCC27201DDAR
Texas Instruments

UCC27201DDAR

جزء الأسهم: 48215

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 8V ~ 17V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.5V,

قائمة الرغبات
TPS28225DRBT
Texas Instruments

TPS28225DRBT

جزء الأسهم: 61316

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 8.8V,

قائمة الرغبات
SN75478P
Texas Instruments

SN75478P

جزء الأسهم: 55546

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, الجهد - العرض: 4.5V ~ 5.5V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2V,

قائمة الرغبات
LM5107SD/NOPB
Texas Instruments

LM5107SD/NOPB

جزء الأسهم: 82409

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 8V ~ 14V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.2V,

قائمة الرغبات
UCC27423QDGNRQ1
Texas Instruments

UCC27423QDGNRQ1

جزء الأسهم: 69709

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel, P-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4V ~ 15V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 1V, 2V,

قائمة الرغبات
UCC27324DGNR
Texas Instruments

UCC27324DGNR

جزء الأسهم: 82285

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel, P-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 15V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 1V, 2V,

قائمة الرغبات
TPS2834PWPR
Texas Instruments

TPS2834PWPR

جزء الأسهم: 63469

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 15V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 1V, 2V,

قائمة الرغبات
UCC27528DSDR
Texas Instruments

UCC27528DSDR

جزء الأسهم: 88775

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: IGBT, N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 18V,

قائمة الرغبات
LM27222SD/NOPB
Texas Instruments

LM27222SD/NOPB

جزء الأسهم: 57471

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4V ~ 6.85V,

قائمة الرغبات
TPS51604DSGT
Texas Instruments

TPS51604DSGT

جزء الأسهم: 57036

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 5.5V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.6V, 2.65V,

قائمة الرغبات
LM5100BMAX/NOPB
Texas Instruments

LM5100BMAX/NOPB

جزء الأسهم: 52746

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 9V ~ 14V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 2.3V, -,

قائمة الرغبات
UCC27201DDARG4
Texas Instruments

UCC27201DDARG4

جزء الأسهم: 49653

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 8V ~ 17V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.5V,

قائمة الرغبات
LM5109BQNGTTQ1
Texas Instruments

LM5109BQNGTTQ1

جزء الأسهم: 96581

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 8V ~ 14V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.2V,

قائمة الرغبات
LM5101ASD/NOPB
Texas Instruments

LM5101ASD/NOPB

جزء الأسهم: 54322

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 9V ~ 14V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 2.3V, -,

قائمة الرغبات
SM72482MAX-4/NOPB
Texas Instruments

SM72482MAX-4/NOPB

جزء الأسهم: 79541

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 3.5V ~ 14V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.2V,

قائمة الرغبات
UCD7138DRST
Texas Instruments

UCD7138DRST

جزء الأسهم: 41455

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Single, عدد السائقين: 1, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 18V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 1.08V, 1.93V,

قائمة الرغبات
LM25101CMAX/NOPB
Texas Instruments

LM25101CMAX/NOPB

جزء الأسهم: 52165

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 9V ~ 14V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 2.3V, -,

قائمة الرغبات
UCC27532QDBVRQ1
Texas Instruments

UCC27532QDBVRQ1

جزء الأسهم: 30920

تكوين مدفوعة: High-Side or Low-Side, نوع القناة: Single, عدد السائقين: 1, نوع البوابة: IGBT, N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10V ~ 32V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 1.2V, 1.7V,

قائمة الرغبات
UCC27200ADRCR
Texas Instruments

UCC27200ADRCR

جزء الأسهم: 48140

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 8V ~ 17V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 3V, 8V,

قائمة الرغبات
UCC27528DR
Texas Instruments

UCC27528DR

جزء الأسهم: 88818

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: IGBT, N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 18V,

قائمة الرغبات
UCC27524AQDGNRQ1
Texas Instruments

UCC27524AQDGNRQ1

جزء الأسهم: 59601

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: IGBT, N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 18V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 1V, 2.3V,

قائمة الرغبات
UCC27537DBVT
Texas Instruments

UCC27537DBVT

جزء الأسهم: 47187

تكوين مدفوعة: High-Side or Low-Side, نوع القناة: Single, عدد السائقين: 1, نوع البوابة: IGBT, N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10V ~ 32V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 1.2V, 2.2V,

قائمة الرغبات
UCC27424QDGNRQ1
Texas Instruments

UCC27424QDGNRQ1

جزء الأسهم: 30936

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel, P-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4V ~ 15V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 1V, 2V,

قائمة الرغبات
UCC37324DR
Texas Instruments

UCC37324DR

جزء الأسهم: 82259

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel, P-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 15V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 1V, 2V,

قائمة الرغبات
UCC27525DSDT
Texas Instruments

UCC27525DSDT

جزء الأسهم: 55190

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: IGBT, N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 18V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 1V, 2.3V,

قائمة الرغبات
TPS2818DBVR
Texas Instruments

TPS2818DBVR

جزء الأسهم: 82258

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Single, عدد السائقين: 1, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4V ~ 14V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 1V, 4V,

قائمة الرغبات
UCC37323DGNRG4
Texas Instruments

UCC37323DGNRG4

جزء الأسهم: 82220

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel, P-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 15V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 1V, 2V,

قائمة الرغبات