Menu
العربيةالعربية
rfqs / order.
0rfqs / order.

PMIC - بوابات السائقين

UCC27523DGNR
Texas Instruments

UCC27523DGNR

جزء الأسهم: 36474

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: IGBT, N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 18V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 1V, 2.3V,

قائمة الرغبات
LM5114ASD/NOPB
Texas Instruments

LM5114ASD/NOPB

جزء الأسهم: 108511

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Single, عدد السائقين: 1, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4V ~ 12.6V,

قائمة الرغبات
SN75451BPSR
Texas Instruments

SN75451BPSR

جزء الأسهم: 136914

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel, P-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.75V ~ 5.25V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2V,

قائمة الرغبات
UCC27525DSDR
Texas Instruments

UCC27525DSDR

جزء الأسهم: 82270

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: IGBT, N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 18V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 1V, 2.3V,

قائمة الرغبات
LM5134AMFX/NOPB
Texas Instruments

LM5134AMFX/NOPB

جزء الأسهم: 110958

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Single, عدد السائقين: 1, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4V ~ 12.6V,

قائمة الرغبات
LM5111-1MY/NOPB
Texas Instruments

LM5111-1MY/NOPB

جزء الأسهم: 112263

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 3.5V ~ 14V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.2V,

قائمة الرغبات
UCC27511DBVR
Texas Instruments

UCC27511DBVR

جزء الأسهم: 121388

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Single, عدد السائقين: 1, نوع البوابة: IGBT, N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 18V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 1V, 2.4V,

قائمة الرغبات
LM5112SDX
Texas Instruments

LM5112SDX

جزء الأسهم: 100318

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Single, عدد السائقين: 1, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 3.5V ~ 14V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.3V,

قائمة الرغبات
TPS2814DRG4
Texas Instruments

TPS2814DRG4

جزء الأسهم: 96347

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel, P-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4V ~ 14V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 1V, 4V,

قائمة الرغبات
LM5134ASD/NOPB
Texas Instruments

LM5134ASD/NOPB

جزء الأسهم: 110960

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Single, عدد السائقين: 1, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4V ~ 12.6V,

قائمة الرغبات
LM5110-3SDX/NOPB
Texas Instruments

LM5110-3SDX/NOPB

جزء الأسهم: 112275

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 3.5V ~ 14V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.2V,

قائمة الرغبات
UCC27518AQDBVRQ1
Texas Instruments

UCC27518AQDBVRQ1

جزء الأسهم: 106611

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Single, عدد السائقين: 1, نوع البوابة: IGBT, N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 18V,

قائمة الرغبات
UCC27524DR
Texas Instruments

UCC27524DR

جزء الأسهم: 82205

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: IGBT, N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 18V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 1V, 2.3V,

قائمة الرغبات
LM5134BMFX/NOPB
Texas Instruments

LM5134BMFX/NOPB

جزء الأسهم: 110998

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Single, عدد السائقين: 1, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4V ~ 12.6V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.4V,

قائمة الرغبات
UCC27523DR
Texas Instruments

UCC27523DR

جزء الأسهم: 82203

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: IGBT, N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 18V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 1V, 2.3V,

قائمة الرغبات
SN75451BDE4
Texas Instruments

SN75451BDE4

جزء الأسهم: 184555

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel, P-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.75V ~ 5.25V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2V,

قائمة الرغبات
LM5114BSD/NOPB
Texas Instruments

LM5114BSD/NOPB

جزء الأسهم: 108559

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Single, عدد السائقين: 1, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4V ~ 12.6V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.4V,

قائمة الرغبات
SM74101SDX/NOPB
Texas Instruments

SM74101SDX/NOPB

جزء الأسهم: 133184

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Single, عدد السائقين: 1, نوع البوابة: N-Channel, P-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 3.5V ~ 14V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.3V,

قائمة الرغبات
UCD7232RTJR
Texas Instruments

UCD7232RTJR

جزء الأسهم: 111008

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.7V ~ 15V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2V,

قائمة الرغبات
LM5114AMF/NOPB
Texas Instruments

LM5114AMF/NOPB

جزء الأسهم: 108562

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Single, عدد السائقين: 1, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4V ~ 12.6V,

قائمة الرغبات
UCC27517DBVR
Texas Instruments

UCC27517DBVR

جزء الأسهم: 121450

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Single, عدد السائقين: 1, نوع البوابة: IGBT, N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 18V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 1V, 2.4V,

قائمة الرغبات
SN75453BPG4
Texas Instruments

SN75453BPG4

جزء الأسهم: 192342

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel, P-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.75V ~ 5.25V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2V,

قائمة الرغبات
UCC27519AQDBVRQ1
Texas Instruments

UCC27519AQDBVRQ1

جزء الأسهم: 106582

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Single, عدد السائقين: 1, نوع البوابة: IGBT, N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 18V,

قائمة الرغبات
SN75453BDR
Texas Instruments

SN75453BDR

جزء الأسهم: 140396

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel, P-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.75V ~ 5.25V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2V,

قائمة الرغبات
SN75452BPSRE4
Texas Instruments

SN75452BPSRE4

جزء الأسهم: 102192

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel, P-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.75V ~ 5.25V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2V,

قائمة الرغبات
TPS28225DR
Texas Instruments

TPS28225DR

جزء الأسهم: 104610

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 8.8V,

قائمة الرغبات
LM5134BMF/NOPB
Texas Instruments

LM5134BMF/NOPB

جزء الأسهم: 111043

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Single, عدد السائقين: 1, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4V ~ 12.6V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.4V,

قائمة الرغبات
TPS51601ADRBR
Texas Instruments

TPS51601ADRBR

جزء الأسهم: 100145

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 5.5V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.7V, 4V,

قائمة الرغبات
SN75452BDE4
Texas Instruments

SN75452BDE4

جزء الأسهم: 179826

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel, P-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.75V ~ 5.25V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2V,

قائمة الرغبات
LM5112SD
Texas Instruments

LM5112SD

جزء الأسهم: 93394

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Single, عدد السائقين: 1, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 3.5V ~ 14V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.3V,

قائمة الرغبات
LM5106SD/NOPB
Texas Instruments

LM5106SD/NOPB

جزء الأسهم: 101718

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 8V ~ 14V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.2V,

قائمة الرغبات
TPS2828DBVR
Texas Instruments

TPS2828DBVR

جزء الأسهم: 106387

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Single, عدد السائقين: 1, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4V ~ 14V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 1V, 4V,

قائمة الرغبات
SN75452BPSR
Texas Instruments

SN75452BPSR

جزء الأسهم: 178494

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel, P-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.75V ~ 5.25V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2V,

قائمة الرغبات
UCC27524DSDR
Texas Instruments

UCC27524DSDR

جزء الأسهم: 82188

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: IGBT, N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 18V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 1V, 2.3V,

قائمة الرغبات
LM5111-1MYX/NOPB
Texas Instruments

LM5111-1MYX/NOPB

جزء الأسهم: 112275

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 3.5V ~ 14V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.2V,

قائمة الرغبات
TPS2812DR
Texas Instruments

TPS2812DR

جزء الأسهم: 88101

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel, P-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4V ~ 14V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 1V, 4V,

قائمة الرغبات