Menu
العربيةالعربية
rfqs / order.
0rfqs / order.

الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - مفرد

  • منزل، بيت
  •  
  • الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - مفرد
TIP125
STMicroelectronics

TIP125

جزء الأسهم: 172578

نوع الترانزستور: PNP - Darlington, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 5A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 60V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 4V @ 20mA, 5A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 500µA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 1000 @ 3A, 3V,

قائمة الرغبات
ST8812FX
STMicroelectronics

ST8812FX

جزء الأسهم: 42391

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 7A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 3V @ 800mA, 4A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 1mA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 4.5 @ 5A, 5V,

قائمة الرغبات
TIP36CW
STMicroelectronics

TIP36CW

جزء الأسهم: 28454

نوع الترانزستور: PNP, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 25A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 100V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 4V @ 5A, 25A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 1mA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 10 @ 15A, 4V,

قائمة الرغبات
ST13007
STMicroelectronics

ST13007

جزء الأسهم: 51305

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 8A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 400V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 3V @ 2A, 8A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 10µA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 5 @ 5A, 5V,

قائمة الرغبات
MJD122-1
STMicroelectronics

MJD122-1

جزء الأسهم: 77145

نوع الترانزستور: NPN - Darlington, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 8A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 100V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 4V @ 80mA, 8A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 10µA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 1000 @ 4A, 4V,

قائمة الرغبات
TIP42A
STMicroelectronics

TIP42A

جزء الأسهم: 129207

نوع الترانزستور: PNP, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 6A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 60V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 1.5V @ 600mA, 6A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 700µA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 15 @ 3A, 4V,

قائمة الرغبات
STN0214
STMicroelectronics

STN0214

جزء الأسهم: 175479

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 200mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 300 mV @ 20mA, 100mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 10µA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 3 @ 200mA, 2V,

قائمة الرغبات
MD2310FX
STMicroelectronics

MD2310FX

جزء الأسهم: 28214

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 14A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 700V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 2.5V @ 1.75A, 7A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 200µA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 6 @ 7A, 5V,

قائمة الرغبات
ST13003N
STMicroelectronics

ST13003N

جزء الأسهم: 23867

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 1A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 400V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 1.2V @ 330mA, 1A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 1mA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 5 @ 1A, 10V,

قائمة الرغبات
MD1803DFP
STMicroelectronics

MD1803DFP

جزء الأسهم: 70487

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 10A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 700V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 2V @ 1.25A, 5A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 200µA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 5.5 @ 5A, 5V,

قائمة الرغبات
STT13005D-K
STMicroelectronics

STT13005D-K

جزء الأسهم: 88278

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 2A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 400V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 1.5V @ 400mA, 1.6A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 250µA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 10 @ 500mA, 5V,

قائمة الرغبات
STN790A
STMicroelectronics

STN790A

جزء الأسهم: 159479

نوع الترانزستور: PNP, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 3A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 30V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 700mV @ 100mA, 3A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 10µA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 100 @ 500mA, 2V,

قائمة الرغبات
MD2103DFP
STMicroelectronics

MD2103DFP

جزء الأسهم: 40956

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 6A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 700V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 1.8V @ 750mA, 3A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 200µA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 6.5 @ 3A, 5V,

قائمة الرغبات
TIP35CW
STMicroelectronics

TIP35CW

جزء الأسهم: 46365

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 25A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 100V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 4V @ 5A, 25A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 1mA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 10 @ 15A, 4V,

قائمة الرغبات
TIP42C
STMicroelectronics

TIP42C

جزء الأسهم: 112670

نوع الترانزستور: PNP, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 6A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 100V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 1.5V @ 600mA, 6A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 700µA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 15 @ 3A, 4V,

قائمة الرغبات
STN851-A
STMicroelectronics

STN851-A

جزء الأسهم: 124490

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 5A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 60V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 500mV @ 200mA, 5A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 50nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 150 @ 2A, 1V,

قائمة الرغبات
STT13005D
STMicroelectronics

STT13005D

جزء الأسهم: 135098

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 2A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 400V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 1.5V @ 400mA, 1.6A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 250µA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 10 @ 500mA, 5V,

قائمة الرغبات
STX13003G-AP
STMicroelectronics

STX13003G-AP

جزء الأسهم: 184015

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 1A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 400V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 1.5V @ 500mA, 1.5A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 1mA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 8 @ 500mA, 2V,

قائمة الرغبات
STX93003-AP
STMicroelectronics

STX93003-AP

جزء الأسهم: 6830

نوع الترانزستور: PNP, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 1A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 400V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 500mV @ 100mA, 500mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 1mA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 16 @ 350mA, 5V,

قائمة الرغبات
TRD136DT4
STMicroelectronics

TRD136DT4

جزء الأسهم: 6694

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 3A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 400V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 1V @ 500mA, 2A, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 10 @ 2A, 5V,

قائمة الرغبات
STF826
STMicroelectronics

STF826

جزء الأسهم: 6674

نوع الترانزستور: PNP, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 3A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 30V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 1.1V @ 150mA, 3A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100µA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 100 @ 100mA, 2V,

قائمة الرغبات
ST901T
STMicroelectronics

ST901T

جزء الأسهم: 67259

نوع الترانزستور: NPN - Darlington, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 4A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 350V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 2V @ 20mA, 2A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100µA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 1800 @ 2A, 2V,

قائمة الرغبات
D45H11
STMicroelectronics

D45H11

جزء الأسهم: 61105

نوع الترانزستور: PNP, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 10A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 80V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 1V @ 400mA, 8A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 10µA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 40 @ 4A, 1V,

قائمة الرغبات
HD1750JL
STMicroelectronics

HD1750JL

جزء الأسهم: 6732

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 24A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 800V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 3V @ 3A, 12A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 200µA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 5.5 @ 12A, 5V,

قائمة الرغبات
STL128DFP
STMicroelectronics

STL128DFP

جزء الأسهم: 66007

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 4A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 400V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 500mV @ 700mA, 3.5A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 250µA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 10 @ 2A, 5V,

قائمة الرغبات
STX13004G-AP
STMicroelectronics

STX13004G-AP

جزء الأسهم: 6643

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 2A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 400V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 1V @ 500mA, 2A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 1mA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 10 @ 1A, 5V,

قائمة الرغبات
STX616
STMicroelectronics

STX616

جزء الأسهم: 6603

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 1.5A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 500V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 1V @ 200mA, 1A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 50µA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 12 @ 500mA, 5V,

قائمة الرغبات
TRD236DT4
STMicroelectronics

TRD236DT4

جزء الأسهم: 6629

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 4A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 400V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 1.3V @ 600mA, 2.5A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 250µA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 8 @ 2.5A, 5V,

قائمة الرغبات
STBV45-AP
STMicroelectronics

STBV45-AP

جزء الأسهم: 142885

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 750mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 400V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 1.5V @ 135mA, 400mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 250µA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 5 @ 400mA, 5V,

قائمة الرغبات
STWH13009
STMicroelectronics

STWH13009

جزء الأسهم: 6563

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 12A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 400V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 2V @ 2.4A, 12A, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 18 @ 5A, 5V,

قائمة الرغبات
STBV45G
STMicroelectronics

STBV45G

جزء الأسهم: 6636

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 750mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 400V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 1.5V @ 135mA, 400mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 250µA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 5 @ 400mA, 5V,

قائمة الرغبات
TIP36CP
STMicroelectronics

TIP36CP

جزء الأسهم: 6574

نوع الترانزستور: PNP, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 25A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 100V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 4V @ 5A, 25A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 1mA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 10 @ 15A, 4V,

قائمة الرغبات
MJE2955T
STMicroelectronics

MJE2955T

جزء الأسهم: 91603

نوع الترانزستور: PNP, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 10A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 60V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 8V @ 3.3A, 10A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 700µA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 20 @ 4A, 4V,

قائمة الرغبات
STP03D200
STMicroelectronics

STP03D200

جزء الأسهم: 11468

نوع الترانزستور: NPN - Darlington, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 2V @ 500µA, 50mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100µA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 200 @ 30mA, 10V,

قائمة الرغبات
STB13005-1
STMicroelectronics

STB13005-1

جزء الأسهم: 67213

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 4A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 400V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 1V @ 1A, 4A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 1mA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 8 @ 2A, 5V,

قائمة الرغبات
MD2009DFX
STMicroelectronics

MD2009DFX

جزء الأسهم: 6561

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 10A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 700V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 2.8V @ 1.4A, 5.5A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 200µA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 5 @ 5.5A, 5V,

قائمة الرغبات