Menu
العربيةالعربية
rfqs / order.
0rfqs / order.

الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - مفرد

  • منزل، بيت
  •  
  • الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - مفرد
BUL310FP
STMicroelectronics

BUL310FP

جزء الأسهم: 6612

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 5A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 500V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 1.1V @ 600mA, 3A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 250µA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 6 @ 3A, 2.5V,

قائمة الرغبات
BD910
STMicroelectronics

BD910

جزء الأسهم: 6621

نوع الترانزستور: PNP, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 15A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 80V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 3V @ 2.5A, 10A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 1mA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 15 @ 5A, 4V,

قائمة الرغبات
BUL741FP
STMicroelectronics

BUL741FP

جزء الأسهم: 57268

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 2.5A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 400V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 1.5V @ 600mA, 2A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 250µA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 25 @ 450mA, 3V,

قائمة الرغبات
BULB903EDT4
STMicroelectronics

BULB903EDT4

جزء الأسهم: 6602

نوع الترانزستور: NPN,

قائمة الرغبات
BULT3P3
STMicroelectronics

BULT3P3

جزء الأسهم: 6754

نوع الترانزستور: PNP, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 3A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 200V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 500mV @ 200mA, 1A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100µA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 10 @ 10mA, 5V,

قائمة الرغبات
BULB7216-1
STMicroelectronics

BULB7216-1

جزء الأسهم: 6575

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 3A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 700V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 3V @ 80mA, 800mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100µA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 4 @ 2A, 5V,

قائمة الرغبات
BD241A-A
STMicroelectronics

BD241A-A

جزء الأسهم: 6578

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 3A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 60V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 1.2V @ 600mA, 3A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 300µA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 25 @ 1A, 4V,

قائمة الرغبات
BULT118M
STMicroelectronics

BULT118M

جزء الأسهم: 6615

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 2A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 400V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 1.5V @ 400mA, 2A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 250µA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 10 @ 500mA, 5V,

قائمة الرغبات
BULK128
STMicroelectronics

BULK128

جزء الأسهم: 6639

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 4A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 400V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 500mV @ 1A, 4A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 250µA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 14 @ 2A, 5V,

قائمة الرغبات
BUL128FP
STMicroelectronics

BUL128FP

جزء الأسهم: 6628

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 4A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 400V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 500mV @ 1A, 4A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100µA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 14 @ 2A, 5V,

قائمة الرغبات
BD241C
STMicroelectronics

BD241C

جزء الأسهم: 10784

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 3A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 100V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 1.2V @ 600mA, 3A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 300µA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 10 @ 3A, 4V,

قائمة الرغبات
BUXD87T4
STMicroelectronics

BUXD87T4

جزء الأسهم: 166142

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 500mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 450V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 1V @ 20mA, 200mA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 12 @ 40mA, 5V,

قائمة الرغبات
BDW83C-TO218
STMicroelectronics

BDW83C-TO218

جزء الأسهم: 6479

نوع الترانزستور: NPN - Darlington, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 15A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 100V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 4V @ 150mA, 15A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 1mA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 750 @ 6A, 3V,

قائمة الرغبات
BCP52-16
STMicroelectronics

BCP52-16

جزء الأسهم: 6503

نوع الترانزستور: PNP, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 1A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 60V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 100 @ 150mA, 2V,

قائمة الرغبات
BD711
STMicroelectronics

BD711

جزء الأسهم: 6490

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 12A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 100V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 1V @ 400mA, 4A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100mA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 15 @ 4A, 4V,

قائمة الرغبات
BULD741-1
STMicroelectronics

BULD741-1

جزء الأسهم: 6467

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 2.5A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 400V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 1.5V @ 600mA, 2A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 250µA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 25 @ 450mA, 3V,

قائمة الرغبات
BUL49DFP
STMicroelectronics

BUL49DFP

جزء الأسهم: 6480

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 5A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 450V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 1.2V @ 800mA, 4A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100µA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 4 @ 7A, 10V,

قائمة الرغبات
BULB7216T4
STMicroelectronics

BULB7216T4

جزء الأسهم: 6472

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 3A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 700V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 3V @ 80mA, 800mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100µA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 4 @ 2A, 5V,

قائمة الرغبات
BD436
STMicroelectronics

BD436

جزء الأسهم: 6442

نوع الترانزستور: PNP, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 4A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 32V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 500mV @ 200mA, 2A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100µA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 40 @ 10mA, 5V,

قائمة الرغبات
BU900TP
STMicroelectronics

BU900TP

جزء الأسهم: 6473

نوع الترانزستور: NPN - Trilinton, Zener Clamp, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 5A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 370V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 4V @ 3mA, 3A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100µA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 7000 @ 1A, 5V,

قائمة الرغبات
BULB39D-1
STMicroelectronics

BULB39D-1

جزء الأسهم: 6493

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 4A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 450V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 1.1V @ 500mA, 2.5A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100µA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 10 @ 10mA, 5V,

قائمة الرغبات
BUL3P5
STMicroelectronics

BUL3P5

جزء الأسهم: 6475

نوع الترانزستور: PNP, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 3A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 400V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 500mV @ 200mA, 1A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100µA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 18 @ 700mA, 5V,

قائمة الرغبات
BF259
STMicroelectronics

BF259

جزء الأسهم: 6418

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 300V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 1V @ 6mA, 30mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 50nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 25 @ 30mA, 10V,

قائمة الرغبات
BUL3N7
STMicroelectronics

BUL3N7

جزء الأسهم: 6414

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 3A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 400V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 500mV @ 200mA, 1A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100µA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 18 @ 700mA, 5V,

قائمة الرغبات
BC141-10
STMicroelectronics

BC141-10

جزء الأسهم: 6461

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 1A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 60V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 1V @ 100mA, 1A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100nA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 100 @ 100mA, 1V,

قائمة الرغبات
BUB941ZT
STMicroelectronics

BUB941ZT

جزء الأسهم: 6504

نوع الترانزستور: NPN - Darlington, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 15A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 350V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 1.8V @ 250mA, 10A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100µA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 300 @ 5A, 10V,

قائمة الرغبات
BULB128-1
STMicroelectronics

BULB128-1

جزء الأسهم: 100359

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 4A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 400V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 500mV @ 1A, 4A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 250µA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 14 @ 2A, 5V,

قائمة الرغبات
BD136
STMicroelectronics

BD136

جزء الأسهم: 159243

نوع الترانزستور: PNP, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 1.5A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 45V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 40 @ 2V, 150MA,

قائمة الرغبات
BD677A
STMicroelectronics

BD677A

جزء الأسهم: 71152

نوع الترانزستور: NPN - Darlington, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 4A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 60V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 2.8V @ 40mA, 2A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 500µA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 750 @ 2A, 3V,

قائمة الرغبات
BD135
STMicroelectronics

BD135

جزء الأسهم: 12575

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 1.5A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 45V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 40 @ 150mA, 2V,

قائمة الرغبات
BULD118D-1
STMicroelectronics

BULD118D-1

جزء الأسهم: 95147

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 2A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 400V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 1.5V @ 400mA, 2A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 250µA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 10 @ 500mA, 5V,

قائمة الرغبات
BUL704
STMicroelectronics

BUL704

جزء الأسهم: 6226

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 4A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 400V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 800mV @ 500mA, 2.5A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 250µA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 14 @ 2A, 5V,

قائمة الرغبات
BF421-AP
STMicroelectronics

BF421-AP

جزء الأسهم: 6221

نوع الترانزستور: PNP, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 500mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 300V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 600mV @ 5mA, 30mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 10nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 50 @ 25mA, 20V,

قائمة الرغبات
BDW84C
STMicroelectronics

BDW84C

جزء الأسهم: 6162

نوع الترانزستور: PNP - Darlington, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 15A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 100V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 4V @ 150mA, 15A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 1mA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 750 @ 6A, 3V,

قائمة الرغبات
BDX54B
STMicroelectronics

BDX54B

جزء الأسهم: 63195

نوع الترانزستور: PNP - Darlington, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 8A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 80V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 2V @ 12mA, 3A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 500µA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 750 @ 3A, 3V,

قائمة الرغبات
BUL216
STMicroelectronics

BUL216

جزء الأسهم: 39394

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 4A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 800V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 3V @ 660mA, 2A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 250µA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 12 @ 400mA, 5V,

قائمة الرغبات