Menu
العربيةالعربية
rfqs / order.
0rfqs / order.

الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - مفرد

  • منزل، بيت
  •  
  • الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - مفرد
BD140
STMicroelectronics

BD140

جزء الأسهم: 114422

نوع الترانزستور: PNP, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 1.5A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 80V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 40 @ 150mA, 2V,

قائمة الرغبات
BUY69A
STMicroelectronics

BUY69A

جزء الأسهم: 6654

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 10A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 400V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 3.3V @ 2.5A, 8A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 1mA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 15 @ 2.5A, 10V,

قائمة الرغبات
BUX48A
STMicroelectronics

BUX48A

جزء الأسهم: 5907

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 15A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 450V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 5V @ 2.4A, 12A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 200µA,

قائمة الرغبات
BUX98A
STMicroelectronics

BUX98A

جزء الأسهم: 5852

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 30A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 450V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 5V @ 5A, 24A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 2mA,

قائمة الرغبات
BUX48
STMicroelectronics

BUX48

جزء الأسهم: 6586

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 15A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 400V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 5V @ 3A, 15A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 200µA,

قائمة الرغبات
BUX348
STMicroelectronics

BUX348

جزء الأسهم: 5908

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 45A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 450V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 900mV @ 6A, 30A,

قائمة الرغبات
BUX10
STMicroelectronics

BUX10

جزء الأسهم: 5909

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 25A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 125V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 1.2V @ 2A, 20A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 1.5mA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 20 @ 10A, 2V,

قائمة الرغبات
BUW48
STMicroelectronics

BUW48

جزء الأسهم: 5850

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 30A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 60V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 1.4V @ 4A, 40A,

قائمة الرغبات
BUV98AV
STMicroelectronics

BUV98AV

جزء الأسهم: 5924

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 30A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 450V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 5V @ 5A, 24A, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 9 @ 24A, 5V,

قائمة الرغبات
BUV298V
STMicroelectronics

BUV298V

جزء الأسهم: 5854

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 50A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 450V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 1.2V @ 6.4A, 32A, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 12 @ 32A, 5V,

قائمة الرغبات
BUV298AV
STMicroelectronics

BUV298AV

جزء الأسهم: 6597

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 50A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 450V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 1.2V @ 6.4A, 32A, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 12 @ 32A, 5V,

قائمة الرغبات
BUV26
STMicroelectronics

BUV26

جزء الأسهم: 5896

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 10A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 90V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 1.5V @ 1.2A, 12A,

قائمة الرغبات
BUV27
STMicroelectronics

BUV27

جزء الأسهم: 5922

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 12A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 120V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 1.5V @ 800mA, 8A,

قائمة الرغبات
BUV20
STMicroelectronics

BUV20

جزء الأسهم: 5907

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 50A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 125V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 1.2V @ 5A, 50A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 3mA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 20 @ 25A, 2V,

قائمة الرغبات
BUT90
STMicroelectronics

BUT90

جزء الأسهم: 5922

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 50A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 125V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 900mV @ 7A, 70A,

قائمة الرغبات
BUL903ED
STMicroelectronics

BUL903ED

جزء الأسهم: 5922

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 5A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 400V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 1V @ 150mA, 1A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 1mA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 20 @ 500mA, 3V,

قائمة الرغبات
BULT118
STMicroelectronics

BULT118

جزء الأسهم: 5882

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 2A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 400V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 1.5V @ 400mA, 2A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 250µA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 10 @ 500mA, 5V,

قائمة الرغبات
BUL810
STMicroelectronics

BUL810

جزء الأسهم: 5898

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 15A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 450V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 5V @ 2.4A, 12A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 250µA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 10 @ 5A, 5V,

قائمة الرغبات
BUL804
STMicroelectronics

BUL804

جزء الأسهم: 5942

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 4A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 450V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 1.2V @ 500mA, 2.5A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 250µA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 10 @ 2A, 5V,

قائمة الرغبات
BUL213
STMicroelectronics

BUL213

جزء الأسهم: 5924

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 3A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 900mV @ 200mA, 1A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 250µA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 16 @ 350mA, 3V,

قائمة الرغبات
BUL310
STMicroelectronics

BUL310

جزء الأسهم: 5933

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 5A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 500V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 1.1V @ 600mA, 3A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 250µA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 6 @ 3A, 2.5V,

قائمة الرغبات
BUL1403ED
STMicroelectronics

BUL1403ED

جزء الأسهم: 6601

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 3A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 650V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 2.5V @ 50mA, 500mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 1mA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 15 @ 400mA, 3V,

قائمة الرغبات
BUL138FP
STMicroelectronics

BUL138FP

جزء الأسهم: 5906

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 5A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 400V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 700mV @ 1A, 5A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 250µA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 8 @ 2A, 5V,

قائمة الرغبات
BUF410A
STMicroelectronics

BUF410A

جزء الأسهم: 5858

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 15A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 450V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 500mV @ 2A, 10A,

قائمة الرغبات
BUL128
STMicroelectronics

BUL128

جزء الأسهم: 5846

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 4A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 400V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 500mV @ 1A, 4A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100µA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 14 @ 2A, 5V,

قائمة الرغبات
BU941P
STMicroelectronics

BU941P

جزء الأسهم: 5910

نوع الترانزستور: NPN - Darlington, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 15A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 400V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 2V @ 300mA, 12A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100µA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 300 @ 5A, 10V,

قائمة الرغبات
BU941ZP
STMicroelectronics

BU941ZP

جزء الأسهم: 5883

نوع الترانزستور: NPN - Darlington, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 15A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 350V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 2V @ 300mA, 12A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100µA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 300 @ 5A, 10V,

قائمة الرغبات
BU931
STMicroelectronics

BU931

جزء الأسهم: 5913

نوع الترانزستور: NPN - Darlington, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 15A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 400V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 1.8V @ 250mA, 10A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100µA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 300 @ 5A, 10V,

قائمة الرغبات
BU810
STMicroelectronics

BU810

جزء الأسهم: 5852

نوع الترانزستور: NPN - Darlington, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 7A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 400V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 3V @ 700mA, 7A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 1mA,

قائمة الرغبات
BSS44
STMicroelectronics

BSS44

جزء الأسهم: 5857

نوع الترانزستور: PNP, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 5A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 60V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 1V @ 500mA, 5A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 500nA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 40 @ 2A, 2V,

قائمة الرغبات
BU508AFI
STMicroelectronics

BU508AFI

جزء الأسهم: 5858

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 8A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 700V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 1V @ 2A, 4.5A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 1mA,

قائمة الرغبات
BF420-AP
STMicroelectronics

BF420-AP

جزء الأسهم: 5885

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 500mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 300V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 600mV @ 5mA, 30mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 10nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 50 @ 25mA, 20V,

قائمة الرغبات
BD537
STMicroelectronics

BD537

جزء الأسهم: 5852

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 8A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 80V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 800mV @ 600mA, 6A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100µA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 15 @ 2A, 2V,

قائمة الرغبات
BD536
STMicroelectronics

BD536

جزء الأسهم: 63754

نوع الترانزستور: PNP, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 8A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 60V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 800mV @ 600mA, 6A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100µA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 25 @ 2A, 2V,

قائمة الرغبات
BD535
STMicroelectronics

BD535

جزء الأسهم: 63756

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 8A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 60V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 800mV @ 600mA, 6A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100µA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 25 @ 2A, 2V,

قائمة الرغبات
BD534
STMicroelectronics

BD534

جزء الأسهم: 5922

نوع الترانزستور: PNP, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 8A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 45V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 800mV @ 600mA, 6A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100µA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 25 @ 2A, 2V,

قائمة الرغبات