RFID مرسلات ، العلامات

LRI64-A1T/1GE

LRI64-A1T/1GE

جزء الأسهم: 742

أسلوب: Inlay, تقنية: Passive, تكرر: 13.56MHz, نوع الذاكرة: Read/Write, ذاكرة قابلة للكتابة: 120b (User), المعايير: ISO 15693, ISO 18000-3,

قائمة الرغبات
LRI64-SBN18/1GE

LRI64-SBN18/1GE

جزء الأسهم: 150

أسلوب: Inlay, تقنية: Passive, تكرر: 13.56MHz, نوع الذاكرة: Read/Write, ذاكرة قابلة للكتابة: 120b (User), المعايير: ISO 15693, ISO 18000-3,

قائمة الرغبات
LRI64-A6S2U/2GE

LRI64-A6S2U/2GE

جزء الأسهم: 697

أسلوب: Inlay, تقنية: Passive, تكرر: 13.56MHz, نوع الذاكرة: Read/Write, ذاكرة قابلة للكتابة: 120b (User), المعايير: ISO 15693, ISO 18000-3,

قائمة الرغبات
LRI64-A7T/2GE

LRI64-A7T/2GE

جزء الأسهم: 758

أسلوب: Inlay, تقنية: Passive, تكرر: 13.56MHz, نوع الذاكرة: Read/Write, ذاكرة قابلة للكتابة: 120b (User), المعايير: ISO 15693, ISO 18000-3,

قائمة الرغبات
LRIS2K-A1S/1GE

LRIS2K-A1S/1GE

جزء الأسهم: 727

أسلوب: Inlay, تقنية: Passive, تكرر: 13.56MHz, نوع الذاكرة: Read/Write, ذاكرة قابلة للكتابة: 2kb (User), المعايير: ISO 15693, ISO 18000-3,

قائمة الرغبات
LRI64-W4/1GE

LRI64-W4/1GE

جزء الأسهم: 760

أسلوب: Inlay, تقنية: Passive, تكرر: 13.56MHz, نوع الذاكرة: Read/Write, ذاكرة قابلة للكتابة: 120b (User), المعايير: ISO 15693, ISO 18000-3,

قائمة الرغبات
LRI2K-W4/3GE

LRI2K-W4/3GE

جزء الأسهم: 187106

أسلوب: Inlay, تقنية: Passive, تكرر: 13.56MHz, نوع الذاكرة: Read/Write, ذاكرة قابلة للكتابة: 2kb (User), المعايير: ISO 15693, ISO 18000-3,

قائمة الرغبات
LRI2K-SBN18/2GE

LRI2K-SBN18/2GE

جزء الأسهم: 175657

أسلوب: Inlay, تقنية: Passive, تكرر: 13.56MHz, نوع الذاكرة: Read/Write, ذاكرة قابلة للكتابة: 2kb (User), المعايير: ISO 15693, ISO 18000-3,

قائمة الرغبات
LRI2K-A6S2U/2GE

LRI2K-A6S2U/2GE

جزء الأسهم: 779

أسلوب: Inlay, تقنية: Passive, تكرر: 13.56MHz, نوع الذاكرة: Read/Write, ذاكرة قابلة للكتابة: 2kb (User), المعايير: ISO 15693, ISO 18000-3,

قائمة الرغبات
LRI2K-A1S/1GE

LRI2K-A1S/1GE

جزء الأسهم: 686

أسلوب: Inlay, تقنية: Passive, تكرر: 13.56MHz, نوع الذاكرة: Read/Write, ذاكرة قابلة للكتابة: 2kb (User), المعايير: ISO 15693, ISO 18000-3,

قائمة الرغبات
LRI2K-SBN18/3GE

LRI2K-SBN18/3GE

جزء الأسهم: 155890

أسلوب: Inlay, تقنية: Passive, تكرر: 13.56MHz, نوع الذاكرة: Read/Write, ذاكرة قابلة للكتابة: 2kb (User), المعايير: ISO 15693, ISO 18000-3,

قائمة الرغبات
SRTAG2K-DMC6T/2

SRTAG2K-DMC6T/2

جزء الأسهم: 702

أسلوب: Inlay, تقنية: Passive, تكرر: 13.56MHz, نوع الذاكرة: Read/Write, ذاكرة قابلة للكتابة: 2kb (User), المعايير: ISO 14443,

قائمة الرغبات
LRI64-A1S/1GE

LRI64-A1S/1GE

جزء الأسهم: 680

أسلوب: Inlay, تقنية: Passive, تكرر: 13.56MHz, نوع الذاكرة: Read/Write, ذاكرة قابلة للكتابة: 120b (User), المعايير: ISO 15693, ISO 18000-3,

قائمة الرغبات
LRI2K-SBN18/1GE

LRI2K-SBN18/1GE

جزء الأسهم: 101914

أسلوب: Inlay, تقنية: Passive, تكرر: 13.56MHz, نوع الذاكرة: Read/Write, ذاكرة قابلة للكتابة: 2kb (User), المعايير: ISO 15693, ISO 18000-3,

قائمة الرغبات