Menu
العربيةالعربية
rfqs / order.
0rfqs / order.

الترانزستورات - IGBTs - واحد

STGP35HF60W
STMicroelectronics

STGP35HF60W

جزء الأسهم: 25099

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 60A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 150A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.5V @ 15V, 20A, أقصى القوة: 200W,

قائمة الرغبات
STGW35HF60WDI
STMicroelectronics

STGW35HF60WDI

جزء الأسهم: 16105

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 60A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 150A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.5V @ 15V, 20A, أقصى القوة: 200W,

قائمة الرغبات
STGD7NB120ST4
STMicroelectronics

STGD7NB120ST4

جزء الأسهم: 6892

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 10A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 20A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.1V @ 15V, 7A, أقصى القوة: 55W,

قائمة الرغبات
STGB10NC60HDT4
STMicroelectronics

STGB10NC60HDT4

جزء الأسهم: 124618

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 20A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 30A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.5V @ 15V, 5A, أقصى القوة: 65W,

قائمة الرغبات
STGW40N120KD
STMicroelectronics

STGW40N120KD

جزء الأسهم: 5692

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 80A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 120A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 3.85V @ 15V, 30A, أقصى القوة: 240W,

قائمة الرغبات
STGB6NC60HDT4
STMicroelectronics

STGB6NC60HDT4

جزء الأسهم: 125670

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 15A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 21A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.5V @ 15V, 3A, أقصى القوة: 56W,

قائمة الرغبات
STGP10NB60SFP
STMicroelectronics

STGP10NB60SFP

جزء الأسهم: 6718

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 23A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 80A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.75V @ 15V, 10A, أقصى القوة: 25W,

قائمة الرغبات
STGP18N40LZ
STMicroelectronics

STGP18N40LZ

جزء الأسهم: 6765

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 420V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 30A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 40A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.7V @ 4.5V, 10A, أقصى القوة: 150W,

قائمة الرغبات
STGB7NC60HDT4
STMicroelectronics

STGB7NC60HDT4

جزء الأسهم: 84444

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 25A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 50A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.5V @ 15V, 7A, أقصى القوة: 80W,

قائمة الرغبات
STGF30NC60S
STMicroelectronics

STGF30NC60S

جزء الأسهم: 6896

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 22A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 150A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.9V @ 15V, 20A, أقصى القوة: 40W,

قائمة الرغبات
STGW19NC60W
STMicroelectronics

STGW19NC60W

جزء الأسهم: 19312

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 42A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.5V @ 15V, 12A, أقصى القوة: 140W,

قائمة الرغبات
STGB5H60DF
STMicroelectronics

STGB5H60DF

جزء الأسهم: 106999

نوع IGBT: Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 10A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 20A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.95V @ 15V, 5A, أقصى القوة: 88W,

قائمة الرغبات
STGB30NC60WT4
STMicroelectronics

STGB30NC60WT4

جزء الأسهم: 25014

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 60A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 150A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.5V @ 15V, 20A, أقصى القوة: 200W,

قائمة الرغبات
STGP6NC60HD
STMicroelectronics

STGP6NC60HD

جزء الأسهم: 53885

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 15A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 21A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.5V @ 15V, 3A, أقصى القوة: 56W,

قائمة الرغبات
STGB19NC60HDT4
STMicroelectronics

STGB19NC60HDT4

جزء الأسهم: 63318

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 40A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 60A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.5V @ 15V, 12A, أقصى القوة: 130W,

قائمة الرغبات
STGB30NC60KT4
STMicroelectronics

STGB30NC60KT4

جزء الأسهم: 25022

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 60A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 125A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.7V @ 15V, 20A, أقصى القوة: 185W,

قائمة الرغبات
STGF7NB60SL
STMicroelectronics

STGF7NB60SL

جزء الأسهم: 45834

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 15A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 20A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.6V @ 4.5V, 7A, أقصى القوة: 25W,

قائمة الرغبات
STGB19NC60WT4
STMicroelectronics

STGB19NC60WT4

جزء الأسهم: 29655

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 40A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.5V @ 15V, 12A, أقصى القوة: 130W,

قائمة الرغبات
STGP20M65DF2
STMicroelectronics

STGP20M65DF2

جزء الأسهم: 64828

نوع IGBT: Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 650V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 40A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 80A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2V @ 15V, 20A, أقصى القوة: 166W,

قائمة الرغبات
STGFL6NC60DI
STMicroelectronics

STGFL6NC60DI

جزء الأسهم: 5586

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 7A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 18A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.9V @ 15V, 3A, أقصى القوة: 22W,

قائمة الرغبات
STGW19NC60HD
STMicroelectronics

STGW19NC60HD

جزء الأسهم: 26383

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 42A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 60A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.5V @ 15V, 12A, أقصى القوة: 140W,

قائمة الرغبات
STGB7NC60HT4
STMicroelectronics

STGB7NC60HT4

جزء الأسهم: 6746

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 25A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 50A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.5V @ 15V, 7A, أقصى القوة: 80W,

قائمة الرغبات
STGB10NB60ST4
STMicroelectronics

STGB10NB60ST4

جزء الأسهم: 6746

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 29A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 80A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.75V @ 15V, 10A, أقصى القوة: 80W,

قائمة الرغبات
STGWS38IH130D
STMicroelectronics

STGWS38IH130D

جزء الأسهم: 5713

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1300V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 55A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 125A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.8V @ 15V, 20A, أقصى القوة: 180W,

قائمة الرغبات
STGW38IH130D
STMicroelectronics

STGW38IH130D

جزء الأسهم: 13580

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1300V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 63A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 125A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.8V @ 15V, 20A, أقصى القوة: 250W,

قائمة الرغبات
STGB6NC60HT4
STMicroelectronics

STGB6NC60HT4

جزء الأسهم: 79027

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 15A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 21A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.5V @ 15V, 3A, أقصى القوة: 56W,

قائمة الرغبات
STGD7NC60HT4
STMicroelectronics

STGD7NC60HT4

جزء الأسهم: 79422

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 25A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 50A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.5V @ 15V, 7A, أقصى القوة: 70W,

قائمة الرغبات
STGB14NC60KT4
STMicroelectronics

STGB14NC60KT4

جزء الأسهم: 6538

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 25A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.5V @ 15V, 7A, أقصى القوة: 80W,

قائمة الرغبات
STGD3NB60FT4
STMicroelectronics

STGD3NB60FT4

جزء الأسهم: 6579

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 6A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 24A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.4V @ 15V, 3A, أقصى القوة: 60W,

قائمة الرغبات
STGWT20IH125DF
STMicroelectronics

STGWT20IH125DF

جزء الأسهم: 18218

نوع IGBT: Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1250V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 40A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 80A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.5V @ 15V, 15A, أقصى القوة: 259W,

قائمة الرغبات
STGB3NB60SDT4
STMicroelectronics

STGB3NB60SDT4

جزء الأسهم: 6643

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 6A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 25A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.5V @ 15V, 3A, أقصى القوة: 70W,

قائمة الرغبات
STGD6NC60HDT4
STMicroelectronics

STGD6NC60HDT4

جزء الأسهم: 129448

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 15A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 21A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.5V @ 15V, 3A, أقصى القوة: 56W,

قائمة الرغبات
STGB20NB32LZ
STMicroelectronics

STGB20NB32LZ

جزء الأسهم: 20268

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 375V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 40A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 80A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2V @ 4.5V, 20A, أقصى القوة: 150W,

قائمة الرغبات
STGD20N45LZAG
STMicroelectronics

STGD20N45LZAG

جزء الأسهم: 6493

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 450V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 25A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 50A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.25V @ 4V, 6A, أقصى القوة: 125W,

قائمة الرغبات
STGD3NB60SD-1
STMicroelectronics

STGD3NB60SD-1

جزء الأسهم: 6708

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 6A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 25A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.5V @ 15V, 3A, أقصى القوة: 48W,

قائمة الرغبات
STGD19N40LZ
STMicroelectronics

STGD19N40LZ

جزء الأسهم: 75238

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 390V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 25A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 40A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.5V @ 4.5V, 10A, أقصى القوة: 125W,

قائمة الرغبات