Menu
العربيةالعربية
rfqs / order.
0rfqs / order.

الترانزستورات - IGBTs - واحد

STGYA120M65DF2
STMicroelectronics

STGYA120M65DF2

جزء الأسهم: 6697

نوع IGBT: NPT, Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 650V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 160A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 360A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.95V @ 15V, 120A, أقصى القوة: 625W,

قائمة الرغبات
STGFW30H65FB
STMicroelectronics

STGFW30H65FB

جزء الأسهم: 21478

نوع IGBT: Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 650V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 60A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 120A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2V @ 15V, 30A, أقصى القوة: 58W,

قائمة الرغبات
STGP30M65DF2
STMicroelectronics

STGP30M65DF2

جزء الأسهم: 30329

نوع IGBT: Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 650V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 60A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 120A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2V @ 15V, 30A, أقصى القوة: 258W,

قائمة الرغبات
STGP30NC60K
STMicroelectronics

STGP30NC60K

جزء الأسهم: 13936

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 60A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 125A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.7V @ 15V, 20A, أقصى القوة: 185W,

قائمة الرغبات
STGP30H60DF
STMicroelectronics

STGP30H60DF

جزء الأسهم: 25167

نوع IGBT: Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 60A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 120A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.4V @ 15V, 30A, أقصى القوة: 260W,

قائمة الرغبات
STGF19NC60WD
STMicroelectronics

STGF19NC60WD

جزء الأسهم: 32404

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 14A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.5V @ 15V, 12A, أقصى القوة: 32W,

قائمة الرغبات
STGP10M65DF2
STMicroelectronics

STGP10M65DF2

جزء الأسهم: 32564

نوع IGBT: Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 650V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 20A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 40A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2V @ 15V, 10A, أقصى القوة: 115W,

قائمة الرغبات
STGW45NC60VD
STMicroelectronics

STGW45NC60VD

جزء الأسهم: 6755

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 90A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 220A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.4V @ 15V, 30A, أقصى القوة: 270W,

قائمة الرغبات
STGB15H60DF
STMicroelectronics

STGB15H60DF

جزء الأسهم: 50640

نوع IGBT: Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 30A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 60A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2V @ 15V, 15A, أقصى القوة: 115W,

قائمة الرغبات
STGP7NC60HD
STMicroelectronics

STGP7NC60HD

جزء الأسهم: 45504

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 25A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 50A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.5V @ 15V, 7A, أقصى القوة: 80W,

قائمة الرغبات
STGW50H60DF
STMicroelectronics

STGW50H60DF

جزء الأسهم: 6799

نوع IGBT: Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 200A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.8V @ 15V, 50A, أقصى القوة: 360W,

قائمة الرغبات
STGB10NB37LZ
STMicroelectronics

STGB10NB37LZ

جزء الأسهم: 6794

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 440V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 20A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 40A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.8V @ 4.5V, 10A, أقصى القوة: 125W,

قائمة الرغبات
STGP4M65DF2
STMicroelectronics

STGP4M65DF2

جزء الأسهم: 59622

نوع IGBT: Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 650V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 8A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 16A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.1V @ 15V, 4A, أقصى القوة: 68W,

قائمة الرغبات
STGP7NB60KD
STMicroelectronics

STGP7NB60KD

جزء الأسهم: 5746

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 14A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 56A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.8V @ 15V, 7A, أقصى القوة: 80W,

قائمة الرغبات
STGP10NC60KD
STMicroelectronics

STGP10NC60KD

جزء الأسهم: 60583

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 20A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 30A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.5V @ 15V, 5A, أقصى القوة: 65W,

قائمة الرغبات
STGD7NB120S-1
STMicroelectronics

STGD7NB120S-1

جزء الأسهم: 6685

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 10A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 20A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.1V @ 15V, 7A, أقصى القوة: 55W,

قائمة الرغبات
STGB19NC60KT4
STMicroelectronics

STGB19NC60KT4

جزء الأسهم: 47471

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 35A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 75A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.75V @ 15V, 12A, أقصى القوة: 125W,

قائمة الرغبات
STGD8NC60KT4
STMicroelectronics

STGD8NC60KT4

جزء الأسهم: 6669

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 15A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 30A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.75V @ 15V, 3A, أقصى القوة: 62W,

قائمة الرغبات
STGW40NC60KD
STMicroelectronics

STGW40NC60KD

جزء الأسهم: 16524

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 70A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 220A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.7V @ 15V, 30A, أقصى القوة: 250W,

قائمة الرغبات
STGD18N40LZ-1
STMicroelectronics

STGD18N40LZ-1

جزء الأسهم: 44134

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 420V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 25A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 40A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.7V @ 4.5V, 10A, أقصى القوة: 125W,

قائمة الرغبات
STGF14NC60KD
STMicroelectronics

STGF14NC60KD

جزء الأسهم: 43922

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 11A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 50A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.5V @ 15V, 7A, أقصى القوة: 28W,

قائمة الرغبات
STGW30N90D
STMicroelectronics

STGW30N90D

جزء الأسهم: 6650

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 900V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 60A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 135A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.75V @ 15V, 20A, أقصى القوة: 220W,

قائمة الرغبات
STGP8NC60K
STMicroelectronics

STGP8NC60K

جزء الأسهم: 6644

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 15A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 30A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.75V @ 15V, 3A, أقصى القوة: 65W,

قائمة الرغبات
STGW35NC60WD
STMicroelectronics

STGW35NC60WD

جزء الأسهم: 6867

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 70A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 150A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.6V @ 15V, 20A, أقصى القوة: 260W,

قائمة الرغبات
STGB10NC60KDT4
STMicroelectronics

STGB10NC60KDT4

جزء الأسهم: 119262

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 20A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 30A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.5V @ 15V, 5A, أقصى القوة: 65W,

قائمة الرغبات
STGB18N40LZ-1
STMicroelectronics

STGB18N40LZ-1

جزء الأسهم: 6723

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 420V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 30A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 40A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.7V @ 4.5V, 10A, أقصى القوة: 150W,

قائمة الرغبات
STGD5NB120SZT4
STMicroelectronics

STGD5NB120SZT4

جزء الأسهم: 83388

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 10A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 10A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2V @ 15V, 5A, أقصى القوة: 75W,

قائمة الرغبات
STGP6M65DF2
STMicroelectronics

STGP6M65DF2

جزء الأسهم: 62094

نوع IGBT: Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 650V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 12A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 24A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2V @ 15V, 6A, أقصى القوة: 88W,

قائمة الرغبات
STGW40S120DF3
STMicroelectronics

STGW40S120DF3

جزء الأسهم: 6308

نوع IGBT: Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 80A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 160A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.15V @ 15V, 40A, أقصى القوة: 468W,

قائمة الرغبات
STGF4M65DF2
STMicroelectronics

STGF4M65DF2

جزء الأسهم: 79623

نوع IGBT: Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 650V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 8A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 16A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.1V @ 15V, 4A, أقصى القوة: 23W,

قائمة الرغبات
STGB15M65DF2
STMicroelectronics

STGB15M65DF2

جزء الأسهم: 62768

نوع IGBT: Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 650V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 30A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 60A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2V @ 15V, 15A, أقصى القوة: 136W,

قائمة الرغبات
STGW30V60F
STMicroelectronics

STGW30V60F

جزء الأسهم: 20265

نوع IGBT: Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 60A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 120A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.3V @ 15V, 30A, أقصى القوة: 260W,

قائمة الرغبات
STGP14N60D
STMicroelectronics

STGP14N60D

جزء الأسهم: 6658

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 25A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 50A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.1V @ 15V, 7A, أقصى القوة: 95W,

قائمة الرغبات
STGW20NB60KD
STMicroelectronics

STGW20NB60KD

جزء الأسهم: 6855

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 50A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 100A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.8V @ 15V, 20A, أقصى القوة: 170W,

قائمة الرغبات
STGB30H60DF
STMicroelectronics

STGB30H60DF

جزء الأسهم: 25641

نوع IGBT: Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 60A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 120A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.4V @ 15V, 30A, أقصى القوة: 260W,

قائمة الرغبات
STGBL6NC60DIT4
STMicroelectronics

STGBL6NC60DIT4

جزء الأسهم: 6775

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 14A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 18A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.9V @ 15V, 3A, أقصى القوة: 56W,

قائمة الرغبات