الترانزستورات - IGBTs - واحد | منتجات أشباه الموصلات المنفصلة | 11

STGWT20V60DF

جزء الأسهم: 22221

نوع IGBT: Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 40A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 80A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.2V @ 15V, 20A, أقصى القوة: 167W,

قائمة الرغبات

STMicroelectronics

STGWT80H65FB

جزء الأسهم: 6478

نوع IGBT: Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 650V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 120A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 240A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2V @ 15V, 80A, أقصى القوة: 469W,

قائمة الرغبات

STMicroelectronics

STGWA60V60DF

جزء الأسهم: 21057

نوع IGBT: Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 80A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 240A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.3V @ 15V, 60A, أقصى القوة: 375W,

قائمة الرغبات

STMicroelectronics

STGWA30H60DFB

جزء الأسهم: 281

نوع IGBT: Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 60A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 120A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2V @ 15V, 30A, أقصى القوة: 260W,

قائمة الرغبات

STMicroelectronics

STGWA40H120F2

جزء الأسهم: 11305

نوع IGBT: Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 80A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 160A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.6V @ 15V, 40A, أقصى القوة: 468W,

قائمة الرغبات

STMicroelectronics

STGWA25S120DF3

جزء الأسهم: 7380

نوع IGBT: Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 50A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 100A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.1V @ 15V, 25A, أقصى القوة: 375W,

قائمة الرغبات

STMicroelectronics

STGWT15H60F

جزء الأسهم: 298

نوع IGBT: Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 30A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 60A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2V @ 15V, 15A, أقصى القوة: 115W,

قائمة الرغبات

STMicroelectronics

STGP10NC60S

جزء الأسهم: 26869

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 21A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 25A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.65V @ 15V, 5A, أقصى القوة: 62.5W,

قائمة الرغبات

STMicroelectronics

STGP30H60DFB

جزء الأسهم: 23909

نوع IGBT: Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 60A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 120A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2V @ 15V, 30A, أقصى القوة: 260W,

قائمة الرغبات

STMicroelectronics

STGWA25H120DF2

جزء الأسهم: 9192

نوع IGBT: Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 50A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 100A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.6V @ 15V, 25A, أقصى القوة: 375W,

قائمة الرغبات

STMicroelectronics

STGW60V60DF

جزء الأسهم: 11172

نوع IGBT: Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 80A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 240A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.3V @ 15V, 60A, أقصى القوة: 375W,

قائمة الرغبات

STMicroelectronics

STGWA40H120DF2

جزء الأسهم: 7702

نوع IGBT: Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 80A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 160A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.6V @ 15V, 40A, أقصى القوة: 468W,

قائمة الرغبات

STMicroelectronics

STGF15M65DF2

جزء الأسهم: 30577

نوع IGBT: Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 650V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 30A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 60A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2V @ 15V, 15A, أقصى القوة: 31W,

قائمة الرغبات

STMicroelectronics

STGWT20H60DF

جزء الأسهم: 22167

نوع IGBT: Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 40A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 80A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2V @ 15V, 20A, أقصى القوة: 167W,

قائمة الرغبات

STMicroelectronics

STGWA8M120DF3

جزء الأسهم: 279

نوع IGBT: Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 16A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 32A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.3V @ 15V, 8A, أقصى القوة: 167W,

قائمة الرغبات

STMicroelectronics

STGWA60NC60WDR

جزء الأسهم: 8845

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 130A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 250A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.6V @ 15V, 40A, أقصى القوة: 340W,

قائمة الرغبات

STMicroelectronics

STGWA40H60DLFB

جزء الأسهم: 22747

نوع IGBT: Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 40A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2V @ 7V, 40A, أقصى القوة: 283W,

قائمة الرغبات

STMicroelectronics

STGP19NC60W

جزء الأسهم: 16218

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 40A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.5V @ 15V, 12A, أقصى القوة: 130W,

قائمة الرغبات

STMicroelectronics

STGWA60H65DFB

جزء الأسهم: 13160

نوع IGBT: Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 650V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 80A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 240A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2V @ 15V, 60A, أقصى القوة: 375W,

قائمة الرغبات

STMicroelectronics

STGFW40H65FB

جزء الأسهم: 27694

نوع IGBT: Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 650V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 80A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 160A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2V @ 15V, 40A, أقصى القوة: 62.5W,

قائمة الرغبات

STMicroelectronics

STGP30H65F

جزء الأسهم: 23791

نوع IGBT: Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 650V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 60A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 120A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.4V @ 15V, 30A, أقصى القوة: 260W,

قائمة الرغبات

STMicroelectronics

STGW40V60DF

جزء الأسهم: 15791

نوع IGBT: Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 80A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 160A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.3V @ 15V, 40A, أقصى القوة: 283W,

قائمة الرغبات

STMicroelectronics

STGWA30M65DF2

جزء الأسهم: 16047

نوع IGBT: Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 650V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 60A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 120A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2V @ 15V, 30A, أقصى القوة: 258W,

قائمة الرغبات

STMicroelectronics

STGFW35HF60W

جزء الأسهم: 10183

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 36A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 150A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.5V @ 15V, 20A, أقصى القوة: 88W,

قائمة الرغبات

STMicroelectronics

STGWT30V60DF

جزء الأسهم: 19696

نوع IGBT: Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 60A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 120A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.3V @ 15V, 30A, أقصى القوة: 258W,

قائمة الرغبات

STMicroelectronics

STGWT20H65FB

جزء الأسهم: 18491

نوع IGBT: Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 650V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 40A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 80A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2V @ 15V, 20A, أقصى القوة: 168W,

قائمة الرغبات

STMicroelectronics

STGB30H60DFB

جزء الأسهم: 57432

نوع IGBT: Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 60A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 120A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2V @ 15V, 30A, أقصى القوة: 260W,

قائمة الرغبات

STMicroelectronics

STGP10H60DF

جزء الأسهم: 75638

نوع IGBT: Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 20A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 40A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.95V @ 15V, 10A, أقصى القوة: 115W,

قائمة الرغبات

STMicroelectronics

STGFW20H65FB

جزء الأسهم: 18486

نوع IGBT: Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 650V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 40A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 80A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2V @ 15V, 20A, أقصى القوة: 52W,

قائمة الرغبات

STMicroelectronics

STGB30H60DLLFBAG

جزء الأسهم: 302

نوع IGBT: Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 60A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 120A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.15V @ 5V, 30A, أقصى القوة: 260W,

قائمة الرغبات

STMicroelectronics

STGF19NC60HD

جزء الأسهم: 32404

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 16A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 60A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.5V @ 15V, 12A, أقصى القوة: 32W,

قائمة الرغبات

STMicroelectronics

STGW40H65FB

جزء الأسهم: 12332

نوع IGBT: Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 650V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 80A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 160A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.3V @ 15V, 40A, أقصى القوة: 283W,

قائمة الرغبات

STMicroelectronics

STGY40NC60VD

جزء الأسهم: 6386

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 80A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.5V @ 15V, 40A, أقصى القوة: 260W,

قائمة الرغبات

STMicroelectronics

STGFW30V60F

جزء الأسهم: 20312

نوع IGBT: Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 60A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 120A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.3V @ 15V, 30A, أقصى القوة: 58W,

قائمة الرغبات

STMicroelectronics

STGWT20HP65FB

جزء الأسهم: 302

نوع IGBT: Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 650V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 40A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 80A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2V @ 15V, 20A, أقصى القوة: 168W,

قائمة الرغبات

STMicroelectronics

STGW25H120DF2

جزء الأسهم: 13693

نوع IGBT: Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 50A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 100A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.6V @ 15V, 25A, أقصى القوة: 375W,

قائمة الرغبات