الترانزستورات - FETs ، MOSFETs - أحادية

R5021ANJTL

R5021ANJTL

جزء الأسهم: 23294

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 500V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 21A (Tc), Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 220 mOhm @ 10.5A, 10V,

قائمة الرغبات
R5013ANJTL

R5013ANJTL

جزء الأسهم: 36588

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 500V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 13A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 380 mOhm @ 6.5A, 10V,

قائمة الرغبات
RUF015N02TL

RUF015N02TL

جزء الأسهم: 150393

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 1.5A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 180 mOhm @ 1.5A, 4.5V,

قائمة الرغبات
R6020FNJTL

R6020FNJTL

جزء الأسهم: 34245

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 600V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 20A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 280 mOhm @ 10A, 10V,

قائمة الرغبات
RHP020N06T100

RHP020N06T100

جزء الأسهم: 138972

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 2A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 200 mOhm @ 2A, 10V,

قائمة الرغبات
R5016ANX

R5016ANX

جزء الأسهم: 21378

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 500V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 16A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 270 mOhm @ 8A, 10V,

قائمة الرغبات
RK7002BMT116

RK7002BMT116

جزء الأسهم: 101799

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 250mA (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 2.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 2.4 Ohm @ 250mA, 10V,

قائمة الرغبات
RU1J002YNTCL

RU1J002YNTCL

جزء الأسهم: 145880

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 50V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 200mA (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 0.9V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 2.2 Ohm @ 200mA, 4.5V,

قائمة الرغبات
R5009ANJTL

R5009ANJTL

جزء الأسهم: 41048

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 500V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 9A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 720 mOhm @ 4.5A, 10V,

قائمة الرغبات
RTR030N05TL

RTR030N05TL

جزء الأسهم: 114073

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 45V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 3A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 67 mOhm @ 3A, 4.5V,

قائمة الرغبات
R6015FNJTL

R6015FNJTL

جزء الأسهم: 38378

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 600V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 15A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 350 mOhm @ 7.5A, 10V,

قائمة الرغبات
R5009FNJTL

R5009FNJTL

جزء الأسهم: 68435

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 500V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 9A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 840 mOhm @ 4.5A, 10V,

قائمة الرغبات
RUM003N02T2L

RUM003N02T2L

جزء الأسهم: 192941

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 300mA (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 1.8V, 4V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 1 Ohm @ 300mA, 4V,

قائمة الرغبات
RRH140P03TB1

RRH140P03TB1

جزء الأسهم: 68681

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 14A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 7 mOhm @ 14A, 10V,

قائمة الرغبات
R5207ANDTL

R5207ANDTL

جزء الأسهم: 77209

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 525V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 7A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 1 Ohm @ 3.5A, 10V,

قائمة الرغبات
RJU003N03T106

RJU003N03T106

جزء الأسهم: 164838

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 300mA (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 1.1 Ohm @ 300mA, 4.5V,

قائمة الرغبات
RZF030P01TL

RZF030P01TL

جزء الأسهم: 173469

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 12V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 3A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 39 mOhm @ 3A, 4.5V,

قائمة الرغبات
RUM002N02T2L

RUM002N02T2L

جزء الأسهم: 129528

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 200mA (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 1.2V, 2.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 1.2 Ohm @ 200mA, 2.5V,

قائمة الرغبات
R5011ANJTL

R5011ANJTL

جزء الأسهم: 41759

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 500V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 11A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 500 mOhm @ 5.5A, 10V,

قائمة الرغبات
RQ1A060ZPTR

RQ1A060ZPTR

جزء الأسهم: 111235

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 12V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 6A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 23 mOhm @ 6A, 4.5V,

قائمة الرغبات
RRH140P03GZETB

RRH140P03GZETB

جزء الأسهم: 68715

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 14A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 7 mOhm @ 14A, 10V,

قائمة الرغبات
R6012FNJTL

R6012FNJTL

جزء الأسهم: 40353

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 600V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 12A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 510 mOhm @ 6A, 10V,

قائمة الرغبات
R5007ANJTL

R5007ANJTL

جزء الأسهم: 53478

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 500V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 7A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 1.05 Ohm @ 3.5A, 10V,

قائمة الرغبات
RSY500N04FRATL

RSY500N04FRATL

جزء الأسهم: 61734

قائمة الرغبات
R5016FNJTL

R5016FNJTL

جزء الأسهم: 47155

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 500V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 16A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 325 mOhm @ 8A, 10V,

قائمة الرغبات
RTR040N03TL

RTR040N03TL

جزء الأسهم: 168192

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 4A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 48 mOhm @ 4A, 4.5V,

قائمة الرغبات
RQ3E150MNTB1

RQ3E150MNTB1

جزء الأسهم: 135892

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 15A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 6.7 mOhm @ 15A, 10V,

قائمة الرغبات
RCD100N20TL

RCD100N20TL

جزء الأسهم: 99136

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 200V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 10A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 182 mOhm @ 5A, 10V,

قائمة الرغبات
RZM001P02T2L

RZM001P02T2L

جزء الأسهم: 145451

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 100mA (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 1.2V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 3.8 Ohm @ 100mA, 4.5V,

قائمة الرغبات
RCX050N25

RCX050N25

جزء الأسهم: 76728

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 250V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 5A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 1100 mOhm @ 2.5A, 10V,

قائمة الرغبات
RSD100N10TL

RSD100N10TL

جزء الأسهم: 132090

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 100V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 10A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 133 mOhm @ 5A, 10V,

قائمة الرغبات
RTR025N03TL

RTR025N03TL

جزء الأسهم: 184243

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 2.5A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 92 mOhm @ 2.5A, 4.5V,

قائمة الرغبات
RRH100P03TB1

RRH100P03TB1

جزء الأسهم: 101199

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 10A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 12.6 mOhm @ 10A, 10V,

قائمة الرغبات
RRL035P03TR

RRL035P03TR

جزء الأسهم: 110042

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 3.5A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 50 mOhm @ 3.5A, 10V,

قائمة الرغبات
RSD131P10TL

RSD131P10TL

جزء الأسهم: 148674

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 100V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 13A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 200 mOhm @ 6.5A, 10V,

قائمة الرغبات
RSH140N03TB1

RSH140N03TB1

جزء الأسهم: 84330

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 14A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4V, 10V,

قائمة الرغبات