نوع المنطق: AND Gate, عدد الدوائر: 4, عدد المدخلات: 2, الجهد - العرض: 3V ~ 16V, الحالي - هادئ (حد أقصى): 4µA,
نوع المنطق: XOR (Exclusive OR), عدد الدوائر: 4, عدد المدخلات: 2, الجهد - العرض: 3V ~ 16V, الحالي - هادئ (حد أقصى): 4µA,
نوع المنطق: NAND Gate, عدد الدوائر: 4, عدد المدخلات: 2, سمات: Schmitt Trigger, الجهد - العرض: 3V ~ 16V, الحالي - هادئ (حد أقصى): 4µA,
نوع المنطق: Inverter, عدد الدوائر: 6, عدد المدخلات: 6, سمات: Schmitt Trigger, الجهد - العرض: 3V ~ 16V, الحالي - هادئ (حد أقصى): 4µA,
نوع المنطق: NAND Gate, عدد الدوائر: 4, عدد المدخلات: 2, الجهد - العرض: 3V ~ 16V, الحالي - هادئ (حد أقصى): 4µA,
نوع المنطق: NOR Gate, عدد الدوائر: 4, عدد المدخلات: 2, الجهد - العرض: 3V ~ 16V, الحالي - هادئ (حد أقصى): 4µA,
نوع المنطق: Inverter, عدد الدوائر: 6, عدد المدخلات: 6, الجهد - العرض: 3V ~ 16V, الحالي - هادئ (حد أقصى): 4µA,
نوع المنطق: Inverter, عدد الدوائر: 1, عدد المدخلات: 1, سمات: Schmitt Trigger, الجهد - العرض: 3V ~ 16V, الحالي - هادئ (حد أقصى): 1µA,
نوع المنطق: OR Gate, عدد الدوائر: 1, عدد المدخلات: 2, الجهد - العرض: 3V ~ 16V, الحالي - هادئ (حد أقصى): 1µA,
نوع المنطق: AND Gate, عدد الدوائر: 1, عدد المدخلات: 2, الجهد - العرض: 3V ~ 16V, الحالي - هادئ (حد أقصى): 1µA,
نوع المنطق: Inverter, عدد الدوائر: 1, عدد المدخلات: 1, الجهد - العرض: 3V ~ 16V, الحالي - هادئ (حد أقصى): 1µA,
نوع المنطق: NAND Gate, عدد الدوائر: 1, عدد المدخلات: 2, الجهد - العرض: 3V ~ 16V, الحالي - هادئ (حد أقصى): 1µA,
نوع المنطق: NOR Gate, عدد الدوائر: 1, عدد المدخلات: 2, الجهد - العرض: 3V ~ 16V, الحالي - هادئ (حد أقصى): 1µA,
