Menu
العربيةالعربية
rfqs / order.
0rfqs / order.

الترانزستورات - ثنائية القطب (BJT) - أحادية ، منحا

  • منزل، بيت
  •  
  • الترانزستورات - ثنائية القطب (BJT) - أحادية ، منحا
DTD543EMT2L
Rohm Semiconductor

DTD543EMT2L

جزء الأسهم: 197068

نوع الترانزستور: NPN - Pre-Biased, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 500mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 12V, المقاوم - القاعدة (R1): 4.7 kOhms, المقاوم - قاعدة الباعث (R2): 4.7 kOhms, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 115 @ 100mA, 2V,

قائمة الرغبات
DTA114ECAHZGT116
Rohm Semiconductor

DTA114ECAHZGT116

جزء الأسهم: 76

نوع الترانزستور: PNP - Pre-Biased, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, المقاوم - القاعدة (R1): 10 kOhms, المقاوم - قاعدة الباعث (R2): 10 kOhms, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 30 @ 5mA, 5V,

قائمة الرغبات
DTA123EMFHAT2L
Rohm Semiconductor

DTA123EMFHAT2L

جزء الأسهم: 52

نوع الترانزستور: PNP - Pre-Biased, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, المقاوم - القاعدة (R1): 2.2 kOhms, المقاوم - قاعدة الباعث (R2): 2.2 kOhms, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 20 @ 20mA, 5V,

قائمة الرغبات
DTC014YMT2L
Rohm Semiconductor

DTC014YMT2L

جزء الأسهم: 110155

نوع الترانزستور: NPN - Pre-Biased, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 70mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, المقاوم - القاعدة (R1): 10 kOhms, المقاوم - قاعدة الباعث (R2): 47 kOhms, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 80 @ 5mA, 10V,

قائمة الرغبات
DTC143ZCAT116
Rohm Semiconductor

DTC143ZCAT116

جزء الأسهم: 189541

نوع الترانزستور: NPN - Pre-Biased, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, المقاوم - القاعدة (R1): 4.7 kOhms, المقاوم - قاعدة الباعث (R2): 4.7 kOhms, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 80 @ 10mA, 5V,

قائمة الرغبات
DTD114EKT146
Rohm Semiconductor

DTD114EKT146

جزء الأسهم: 161703

نوع الترانزستور: NPN - Pre-Biased, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 500mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, المقاوم - القاعدة (R1): 10 kOhms, المقاوم - قاعدة الباعث (R2): 10 kOhms, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 56 @ 50mA, 5V,

قائمة الرغبات
DTC044TMT2L
Rohm Semiconductor

DTC044TMT2L

جزء الأسهم: 146210

نوع الترانزستور: NPN - Pre-Biased, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 60mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, المقاوم - القاعدة (R1): 47 kOhms, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 100 @ 5mA, 10V,

قائمة الرغبات
DTA114ECAT116
Rohm Semiconductor

DTA114ECAT116

جزء الأسهم: 198449

نوع الترانزستور: PNP - Pre-Biased, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 50mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, المقاوم - القاعدة (R1): 10 kOhms, المقاوم - قاعدة الباعث (R2): 10 kOhms, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 30 @ 5mA, 5V,

قائمة الرغبات
DTC023YMT2L
Rohm Semiconductor

DTC023YMT2L

جزء الأسهم: 197747

نوع الترانزستور: NPN - Pre-Biased, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, المقاوم - القاعدة (R1): 2.2 kOhms, المقاوم - قاعدة الباعث (R2): 10 kOhms, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 35 @ 5mA, 10V,

قائمة الرغبات
DTA114YU3T106
Rohm Semiconductor

DTA114YU3T106

جزء الأسهم: 129

نوع الترانزستور: PNP - Pre-Biased + Diode, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, المقاوم - القاعدة (R1): 10 kOhms, المقاوم - قاعدة الباعث (R2): 47 kOhms, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 68 @ 5mA, 5V,

قائمة الرغبات
DTB523YMT2L
Rohm Semiconductor

DTB523YMT2L

جزء الأسهم: 140306

نوع الترانزستور: PNP - Pre-Biased, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 500mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 12V, المقاوم - القاعدة (R1): 2.2 kOhms, المقاوم - قاعدة الباعث (R2): 10 kOhms, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 140 @ 100mA, 2V,

قائمة الرغبات
DTA043ZMT2L
Rohm Semiconductor

DTA043ZMT2L

جزء الأسهم: 168268

نوع الترانزستور: PNP - Pre-Biased, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, المقاوم - القاعدة (R1): 4.7 kOhms, المقاوم - قاعدة الباعث (R2): 47 kOhms, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 80 @ 5mA, 10V,

قائمة الرغبات
DTC014YUBTL
Rohm Semiconductor

DTC014YUBTL

جزء الأسهم: 181793

نوع الترانزستور: NPN - Pre-Biased, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 70mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, المقاوم - القاعدة (R1): 10 kOhms, المقاوم - قاعدة الباعث (R2): 47 kOhms, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 80 @ 5mA, 10V,

قائمة الرغبات
DTDG14GPT100
Rohm Semiconductor

DTDG14GPT100

جزء الأسهم: 143898

نوع الترانزستور: NPN - Pre-Biased, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 1A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 60V, المقاوم - قاعدة الباعث (R2): 10 kOhms, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 300 @ 500mA, 2V,

قائمة الرغبات
DTD123TCT116
Rohm Semiconductor

DTD123TCT116

جزء الأسهم: 168593

نوع الترانزستور: NPN - Pre-Biased, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 500mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 40V, المقاوم - القاعدة (R1): 2.2 kOhms, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 100 @ 50mA, 5V,

قائمة الرغبات
DTC144ECAT116
Rohm Semiconductor

DTC144ECAT116

جزء الأسهم: 186272

نوع الترانزستور: NPN - Pre-Biased, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, المقاوم - القاعدة (R1): 47 kOhms, المقاوم - قاعدة الباعث (R2): 47 kOhms, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 68 @ 5mA, 5V,

قائمة الرغبات
DTC914TUBTL
Rohm Semiconductor

DTC914TUBTL

جزء الأسهم: 174409

نوع الترانزستور: NPN - Pre-Biased, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 400mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 20V, المقاوم - القاعدة (R1): 10 kOhms, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 820 @ 10mA, 5V,

قائمة الرغبات
DTC113ZCAHZGT116
Rohm Semiconductor

DTC113ZCAHZGT116

جزء الأسهم: 84

نوع الترانزستور: NPN - Pre-Biased + Diode, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, المقاوم - القاعدة (R1): 1 kOhms, المقاوم - قاعدة الباعث (R2): 10 kOhms, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 33 @ 5mA, 5V,

قائمة الرغبات
DTA114EMT2L
Rohm Semiconductor

DTA114EMT2L

جزء الأسهم: 116160

نوع الترانزستور: PNP - Pre-Biased, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 50mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, المقاوم - القاعدة (R1): 10 kOhms, المقاوم - قاعدة الباعث (R2): 10 kOhms, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 20 @ 5mA, 5V,

قائمة الرغبات
DTD143ECHZGT116
Rohm Semiconductor

DTD143ECHZGT116

جزء الأسهم: 98

نوع الترانزستور: NPN - Pre-Biased + Diode, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 500mA, المقاوم - القاعدة (R1): 4.7 kOhms, المقاوم - قاعدة الباعث (R2): 4.7 kOhms, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 47 @ 50mA, 5V,

قائمة الرغبات
DTA015EUBTL
Rohm Semiconductor

DTA015EUBTL

جزء الأسهم: 180469

نوع الترانزستور: PNP - Pre-Biased, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 20mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, المقاوم - القاعدة (R1): 100 kOhms, المقاوم - قاعدة الباعث (R2): 100 kOhms, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 80 @ 5mA, 10V,

قائمة الرغبات
DTD114GCT116
Rohm Semiconductor

DTD114GCT116

جزء الأسهم: 113593

نوع الترانزستور: NPN - Pre-Biased, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 500mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, المقاوم - قاعدة الباعث (R2): 10 kOhms, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 56 @ 50mA, 5V,

قائمة الرغبات
DTC043TMT2L
Rohm Semiconductor

DTC043TMT2L

جزء الأسهم: 153233

نوع الترانزستور: NPN - Pre-Biased, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, المقاوم - القاعدة (R1): 4.7 kOhms, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 100 @ 5mA, 10V,

قائمة الرغبات
DTC114EEFRATL
Rohm Semiconductor

DTC114EEFRATL

جزء الأسهم: 181630

نوع الترانزستور: NPN - Pre-Biased, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 50mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, المقاوم - القاعدة (R1): 10 kOhms, المقاوم - قاعدة الباعث (R2): 10 kOhms, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 30 @ 5mA, 5V,

قائمة الرغبات
DTA114EU3T106
Rohm Semiconductor

DTA114EU3T106

جزء الأسهم: 51

نوع الترانزستور: PNP - Pre-Biased + Diode, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, المقاوم - القاعدة (R1): 10 kOhms, المقاوم - قاعدة الباعث (R2): 10 kOhms, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 30 @ 5mA, 5V,

قائمة الرغبات
DTA124EETL
Rohm Semiconductor

DTA124EETL

جزء الأسهم: 145092

نوع الترانزستور: PNP - Pre-Biased, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 30mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, المقاوم - القاعدة (R1): 22 kOhms, المقاوم - قاعدة الباعث (R2): 22 kOhms, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 56 @ 5mA, 5V,

قائمة الرغبات
DTC115ECAT116
Rohm Semiconductor

DTC115ECAT116

جزء الأسهم: 149062

نوع الترانزستور: NPN - Pre-Biased, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, المقاوم - القاعدة (R1): 100 kOhms, المقاوم - قاعدة الباعث (R2): 100 kOhms, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 82 @ 5mA, 5V,

قائمة الرغبات
DTC144WUAT106
Rohm Semiconductor

DTC144WUAT106

جزء الأسهم: 148729

نوع الترانزستور: NPN - Pre-Biased, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 30mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, المقاوم - القاعدة (R1): 47 kOhms, المقاوم - قاعدة الباعث (R2): 22 kOhms, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 56 @ 5mA, 5V,

قائمة الرغبات
DTA115TMT2L
Rohm Semiconductor

DTA115TMT2L

جزء الأسهم: 193755

نوع الترانزستور: PNP - Pre-Biased, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, المقاوم - القاعدة (R1): 100 kOhms, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 100 @ 1mA, 5V,

قائمة الرغبات
DTA124XMT2L
Rohm Semiconductor

DTA124XMT2L

جزء الأسهم: 123020

نوع الترانزستور: PNP - Pre-Biased, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 50mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, المقاوم - القاعدة (R1): 22 kOhms, المقاوم - قاعدة الباعث (R2): 47 kOhms, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 68 @ 5mA, 5V,

قائمة الرغبات
DTC043EMT2L
Rohm Semiconductor

DTC043EMT2L

جزء الأسهم: 198272

نوع الترانزستور: NPN - Pre-Biased, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, المقاوم - القاعدة (R1): 4.7 kOhms, المقاوم - قاعدة الباعث (R2): 4.7 kOhms, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 20 @ 5mA, 10V,

قائمة الرغبات
DTA144TUAT106
Rohm Semiconductor

DTA144TUAT106

جزء الأسهم: 126127

نوع الترانزستور: PNP - Pre-Biased, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, المقاوم - القاعدة (R1): 47 kOhms, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 100 @ 1mA, 5V,

قائمة الرغبات
DTA014TMT2L
Rohm Semiconductor

DTA014TMT2L

جزء الأسهم: 126255

نوع الترانزستور: PNP - Pre-Biased, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, المقاوم - القاعدة (R1): 10 kOhms, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 100 @ 5mA, 10V,

قائمة الرغبات
DTC114TMT2L
Rohm Semiconductor

DTC114TMT2L

جزء الأسهم: 138987

نوع الترانزستور: NPN - Pre-Biased, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, المقاوم - القاعدة (R1): 10 kOhms, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 100 @ 1mA, 5V,

قائمة الرغبات
DTC115EETL
Rohm Semiconductor

DTC115EETL

جزء الأسهم: 101055

نوع الترانزستور: NPN - Pre-Biased, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 20mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, المقاوم - القاعدة (R1): 100 kOhms, المقاوم - قاعدة الباعث (R2): 100 kOhms, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 82 @ 5mA, 5V,

قائمة الرغبات
DTA114EEFRATL
Rohm Semiconductor

DTA114EEFRATL

جزء الأسهم: 179158

نوع الترانزستور: PNP - Pre-Biased, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 50mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, المقاوم - القاعدة (R1): 10 kOhms, المقاوم - قاعدة الباعث (R2): 10 kOhms, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 20 @ 5mA, 5V,

قائمة الرغبات