| يكتب | وصف |
| حالة الجزء | Active |
|---|---|
| نوع الترانزستور | NPN - Pre-Biased + Diode |
| التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى) | 500mA |
| الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى) | - |
| المقاوم - القاعدة (R1) | 4.7 kOhms |
| المقاوم - قاعدة الباعث (R2) | 4.7 kOhms |
| الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce | 47 @ 50mA, 5V |
| Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic | 300mV @ 2.5mA, 50mA |
| التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى) | - |
| التردد - الانتقال | 200MHz |
| أقصى القوة | 200mW |
| نوع التركيب | Surface Mount |
| العبوة / العلبة | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| حزمة جهاز المورد | SST3 |
| وضع بنفايات | بنفايات متوافقة مع |
|---|---|
| مستوى حساسية الرطوبة (MSL) | لا ينطبق |
| حالة دورة حياة | عفا عليها الزمن / نهاية الحياة |
| فئة الأسهم | المخزون المتوفر |
