الواجهة - المحولات التناظرية ، والمضاعفات ، وأجهزة | الدوائر المتكاملة (المرحلية) | 1

BU4551BFV-E2

جزء الأسهم: 119185

تبديل الدائرة: SPDT, دائرة المضاعف / المضاعف: 2:1, عدد الدوائر: 4, المقاومة داخل الدولة (الحد الأقصى): 280 Ohm, الجهد - العرض ، واحد (V +): 3V ~ 16V,

قائمة الرغبات

Rohm Semiconductor

BU4052BCFV-E2

جزء الأسهم: 150802

تبديل الدائرة: SP4T, دائرة المضاعف / المضاعف: 4:1, عدد الدوائر: 2, المقاومة داخل الدولة (الحد الأقصى): 160 Ohm, الجهد - العرض ، واحد (V +): 3V ~ 18V,

قائمة الرغبات

Rohm Semiconductor

BU4551B

جزء الأسهم: 133784

تبديل الدائرة: SPDT, دائرة المضاعف / المضاعف: 2:1, عدد الدوائر: 4, المقاومة داخل الدولة (الحد الأقصى): 280 Ohm, الجهد - العرض ، واحد (V +): 3V ~ 16V,

قائمة الرغبات

Rohm Semiconductor

BU4551BF-E2

جزء الأسهم: 162021

تبديل الدائرة: SPDT, دائرة المضاعف / المضاعف: 2:1, عدد الدوائر: 4, المقاومة داخل الدولة (الحد الأقصى): 280 Ohm, الجهد - العرض ، واحد (V +): 3V ~ 16V,

قائمة الرغبات

Rohm Semiconductor

BU4051BCFV-E2

جزء الأسهم: 150767

دائرة المضاعف / المضاعف: 8:1, عدد الدوائر: 1, المقاومة داخل الدولة (الحد الأقصى): 160 Ohm, الجهد - العرض ، واحد (V +): 3V ~ 18V,

قائمة الرغبات

Rohm Semiconductor

BU4052BC

جزء الأسهم: 154076

تبديل الدائرة: SP4T, دائرة المضاعف / المضاعف: 4:1, عدد الدوائر: 2, المقاومة داخل الدولة (الحد الأقصى): 160 Ohm, الجهد - العرض ، واحد (V +): 3V ~ 18V,

قائمة الرغبات

Rohm Semiconductor

BU4051BC

جزء الأسهم: 161686

دائرة المضاعف / المضاعف: 8:1, عدد الدوائر: 1, المقاومة داخل الدولة (الحد الأقصى): 160 Ohm, الجهد - العرض ، واحد (V +): 3V ~ 18V,

قائمة الرغبات

Rohm Semiconductor

BU4053BC

جزء الأسهم: 172581

تبديل الدائرة: SPDT, دائرة المضاعف / المضاعف: 2:1, عدد الدوائر: 3, المقاومة داخل الدولة (الحد الأقصى): 160 Ohm, الجهد - العرض ، واحد (V +): 3V ~ 18V,

قائمة الرغبات

Rohm Semiconductor

BU4051BCF-E2

جزء الأسهم: 134703

دائرة المضاعف / المضاعف: 8:1, عدد الدوائر: 1, المقاومة داخل الدولة (الحد الأقصى): 160 Ohm, الجهد - العرض ، واحد (V +): 3V ~ 18V,

قائمة الرغبات

Rohm Semiconductor

BU4052BCF-E2

جزء الأسهم: 116074

تبديل الدائرة: SP4T, دائرة المضاعف / المضاعف: 4:1, عدد الدوائر: 2, المقاومة داخل الدولة (الحد الأقصى): 160 Ohm, الجهد - العرض ، واحد (V +): 3V ~ 18V,

قائمة الرغبات

Rohm Semiconductor

BU4066BCFV-E2

جزء الأسهم: 165075

تبديل الدائرة: SPST - NO, دائرة المضاعف / المضاعف: 1:1, عدد الدوائر: 4, المقاومة داخل الدولة (الحد الأقصى): 280 Ohm, الجهد - العرض ، واحد (V +): 3V ~ 18V,

قائمة الرغبات

Rohm Semiconductor

BU4066BC

جزء الأسهم: 82368

تبديل الدائرة: SPST - NO, دائرة المضاعف / المضاعف: 1:1, عدد الدوائر: 4, المقاومة داخل الدولة (الحد الأقصى): 280 Ohm, الجهد - العرض ، واحد (V +): 3V ~ 18V,

قائمة الرغبات

Rohm Semiconductor

BU4053BCF-E2

جزء الأسهم: 178424

تبديل الدائرة: SPDT, دائرة المضاعف / المضاعف: 2:1, عدد الدوائر: 3, المقاومة داخل الدولة (الحد الأقصى): 160 Ohm, الجهد - العرض ، واحد (V +): 3V ~ 18V,

قائمة الرغبات

Rohm Semiconductor

BU4053BCFV-E2

جزء الأسهم: 166497

تبديل الدائرة: SPDT, دائرة المضاعف / المضاعف: 2:1, عدد الدوائر: 3, المقاومة داخل الدولة (الحد الأقصى): 160 Ohm, الجهد - العرض ، واحد (V +): 3V ~ 18V,

قائمة الرغبات

Rohm Semiconductor

BU4066BCF-E2

جزء الأسهم: 180803

تبديل الدائرة: SPST - NO, دائرة المضاعف / المضاعف: 1:1, عدد الدوائر: 4, المقاومة داخل الدولة (الحد الأقصى): 280 Ohm, الجهد - العرض ، واحد (V +): 3V ~ 18V,

قائمة الرغبات

Rohm Semiconductor

BU4S66G2-TR

جزء الأسهم: 130892

تبديل الدائرة: SPST - NO, دائرة المضاعف / المضاعف: 1:1, عدد الدوائر: 1, المقاومة داخل الدولة (الحد الأقصى): 280 Ohm, الجهد - العرض ، واحد (V +): 3V ~ 16V,

قائمة الرغبات