Menu
العربيةالعربية
rfqs / order.
0rfqs / order.

الترانزستورات - FETs ، MOSFETs - أحادية

RQ3E150GNTB
Rohm Semiconductor

RQ3E150GNTB

جزء الأسهم: 143170

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 15A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 6.1 mOhm @ 15A, 10V,

قائمة الرغبات
RQ5C035BCTCL
Rohm Semiconductor

RQ5C035BCTCL

جزء الأسهم: 153058

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 3.5A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 59 mOhm @ 3.5A, 4.5V,

قائمة الرغبات
RU1C002ZPTCL
Rohm Semiconductor

RU1C002ZPTCL

جزء الأسهم: 135551

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 200mA (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 1.2V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 1.2 Ohm @ 200mA, 4.5V,

قائمة الرغبات
RTF025N03TL
Rohm Semiconductor

RTF025N03TL

جزء الأسهم: 131049

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 2.5A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 67 mOhm @ 2.5A, 4.5V,

قائمة الرغبات
RF4E080GNTR
Rohm Semiconductor

RF4E080GNTR

جزء الأسهم: 141715

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 8A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 17.6 mOhm @ 8A, 10V,

قائمة الرغبات
RHK005N03T146
Rohm Semiconductor

RHK005N03T146

جزء الأسهم: 113939

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 500mA (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 550 mOhm @ 500mA, 10V,

قائمة الرغبات
RSU002N06T106
Rohm Semiconductor

RSU002N06T106

جزء الأسهم: 104070

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 250mA (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 2.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 2.4 Ohm @ 250mA, 10V,

قائمة الرغبات
RT1A050ZPTR
Rohm Semiconductor

RT1A050ZPTR

جزء الأسهم: 189488

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 12V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 5A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 26 mOhm @ 5A, 4.5V,

قائمة الرغبات
RTE002P02TL
Rohm Semiconductor

RTE002P02TL

جزء الأسهم: 158987

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 200mA (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 1.5 Ohm @ 200mA, 4.5V,

قائمة الرغبات
RTL030P02TR
Rohm Semiconductor

RTL030P02TR

جزء الأسهم: 168289

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 3A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 70 mOhm @ 3A, 4.5V,

قائمة الرغبات
QS5U13TR
Rohm Semiconductor

QS5U13TR

جزء الأسهم: 106198

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 2A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 100 mOhm @ 2A, 4.5V,

قائمة الرغبات
QS5U17TR
Rohm Semiconductor

QS5U17TR

جزء الأسهم: 194462

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 2A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 100 mOhm @ 2A, 4.5V,

قائمة الرغبات
RZQ045P01TR
Rohm Semiconductor

RZQ045P01TR

جزء الأسهم: 175508

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 12V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 4.5A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 35 mOhm @ 4.5A, 4.5V,

قائمة الرغبات
RRQ045P03TR
Rohm Semiconductor

RRQ045P03TR

جزء الأسهم: 100214

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 4.5A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 35 mOhm @ 4.5A, 10V,

قائمة الرغبات
RTR020P02TL
Rohm Semiconductor

RTR020P02TL

جزء الأسهم: 175355

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 2A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 135 mOhm @ 2A, 4.5V,

قائمة الرغبات
RQ5E035ATTCL
Rohm Semiconductor

RQ5E035ATTCL

جزء الأسهم: 169961

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 3.5A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 50 mOhm @ 3.5A, 10V,

قائمة الرغبات
RSR015P03TL
Rohm Semiconductor

RSR015P03TL

جزء الأسهم: 170687

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 1.5A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 235 mOhm @ 1.5A, 10V,

قائمة الرغبات
RRH050P03TB1
Rohm Semiconductor

RRH050P03TB1

جزء الأسهم: 934

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 5A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 50 mOhm @ 5A, 10V,

قائمة الرغبات
RSS090P03FU6TB
Rohm Semiconductor

RSS090P03FU6TB

جزء الأسهم: 73095

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 9A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 14 mOhm @ 9A, 10V,

قائمة الرغبات
RRS090P03TB1
Rohm Semiconductor

RRS090P03TB1

جزء الأسهم: 952

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 9A (Ta),

قائمة الرغبات
RSS120N03FU6TB
Rohm Semiconductor

RSS120N03FU6TB

جزء الأسهم: 912

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 12A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 10 mOhm @ 12A, 10V,

قائمة الرغبات
RSS075P03FU6TB
Rohm Semiconductor

RSS075P03FU6TB

جزء الأسهم: 94379

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 7.5A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 21 mOhm @ 7.5A, 10V,

قائمة الرغبات
RSS105N03FU6TB
Rohm Semiconductor

RSS105N03FU6TB

جزء الأسهم: 953

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 10.5A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 11.7 mOhm @ 10.5A, 10V,

قائمة الرغبات
RSS050P03FU6TB
Rohm Semiconductor

RSS050P03FU6TB

جزء الأسهم: 135566

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 5A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 42 mOhm @ 5A, 10V,

قائمة الرغبات
SCT2080KEC
Rohm Semiconductor

SCT2080KEC

جزء الأسهم: 4122

نوع FET: N-Channel, تقنية: SiCFET (Silicon Carbide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 1200V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 40A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 18V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 117 mOhm @ 10A, 18V,

قائمة الرغبات
RP1E100RPTR
Rohm Semiconductor

RP1E100RPTR

جزء الأسهم: 949

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 10A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 12.6 mOhm @ 10A, 10V,

قائمة الرغبات
RSS125N03FU6TB
Rohm Semiconductor

RSS125N03FU6TB

جزء الأسهم: 98050

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 12.5A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 8.9 mOhm @ 12.5A, 10V,

قائمة الرغبات
RSS040P03FU6TB
Rohm Semiconductor

RSS040P03FU6TB

جزء الأسهم: 146781

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 4A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 58 mOhm @ 4A, 10V,

قائمة الرغبات
RMW150N03TB
Rohm Semiconductor

RMW150N03TB

جزء الأسهم: 1105

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 15A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 9.1 mOhm @ 15A, 10V,

قائمة الرغبات
RSS130N03FU6TB
Rohm Semiconductor

RSS130N03FU6TB

جزء الأسهم: 83883

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 13A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 8.1 mOhm @ 13A, 10V,

قائمة الرغبات
RCD040N25TL
Rohm Semiconductor

RCD040N25TL

جزء الأسهم: 986

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 250V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 4A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V,

قائمة الرغبات
RSS110N03FU6TB
Rohm Semiconductor

RSS110N03FU6TB

جزء الأسهم: 103226

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 11A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 10.7 mOhm @ 11A, 10V,

قائمة الرغبات
RSS080N05FU6TB
Rohm Semiconductor

RSS080N05FU6TB

جزء الأسهم: 940

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 8A (Ta),

قائمة الرغبات
SCT2H12NZGC11
Rohm Semiconductor

SCT2H12NZGC11

جزء الأسهم: 14753

نوع FET: N-Channel, تقنية: SiCFET (Silicon Carbide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 1700V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 3.7A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 18V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 1.5 Ohm @ 1.1A, 18V,

قائمة الرغبات
RSS100N03FU6TB
Rohm Semiconductor

RSS100N03FU6TB

جزء الأسهم: 117457

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 10A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 13 mOhm @ 10A, 10V,

قائمة الرغبات
RDN100N20FU6
Rohm Semiconductor

RDN100N20FU6

جزء الأسهم: 24446

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 200V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 10A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 360 mOhm @ 5A, 10V,

قائمة الرغبات