Menu
العربيةالعربية
rfqs / order.
0rfqs / order.

مدمج - CPLDs (أجهزة منطقية قابلة للبرمجة المعقدة)

  • منزل، بيت
  •  
  • مدمج - CPLDs (أجهزة منطقية قابلة للبرمجة المعقدة)
M4A3-256/160-10YC
Lattice Semiconductor Corporation

M4A3-256/160-10YC

جزء الأسهم: 7694

نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 10.0ns, توريد الجهد - داخلي: 3V ~ 3.6V, عدد الخلايا الكبيرة: 256,

قائمة الرغبات
LC4128V-5TN128I
Lattice Semiconductor Corporation

LC4128V-5TN128I

جزء الأسهم: 3353

نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 5.0ns, توريد الجهد - داخلي: 3V ~ 3.6V, عدد عناصر / كتل المنطق: 8, عدد الخلايا الكبيرة: 128,

قائمة الرغبات
M4A5-128/64-10VNI
Lattice Semiconductor Corporation

M4A5-128/64-10VNI

جزء الأسهم: 2465

نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 10.0ns, توريد الجهد - داخلي: 4.5V ~ 5.5V, عدد الخلايا الكبيرة: 128,

قائمة الرغبات
M4A3-384/192-14FAI
Lattice Semiconductor Corporation

M4A3-384/192-14FAI

جزء الأسهم: 7890

نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 14.0ns, توريد الجهد - داخلي: 3V ~ 3.6V, عدد الخلايا الكبيرة: 384,

قائمة الرغبات
M4A3-192/96-6VC
Lattice Semiconductor Corporation

M4A3-192/96-6VC

جزء الأسهم: 7615

نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 6.0ns, توريد الجهد - داخلي: 3V ~ 3.6V, عدد الخلايا الكبيرة: 192,

قائمة الرغبات
M4A3-384/192-14FANI
Lattice Semiconductor Corporation

M4A3-384/192-14FANI

جزء الأسهم: 2189

نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 14.0ns, توريد الجهد - داخلي: 3V ~ 3.6V, عدد الخلايا الكبيرة: 384,

قائمة الرغبات
M4A3-64/32-10VI48
Lattice Semiconductor Corporation

M4A3-64/32-10VI48

جزء الأسهم: 7990

نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 10.0ns, توريد الجهد - داخلي: 3V ~ 3.6V, عدد الخلايا الكبيرة: 64,

قائمة الرغبات
LC4384C-35F256C
Lattice Semiconductor Corporation

LC4384C-35F256C

جزء الأسهم: 7513

نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 3.5ns, توريد الجهد - داخلي: 1.65V ~ 1.95V, عدد عناصر / كتل المنطق: 24, عدد الخلايا الكبيرة: 384,

قائمة الرغبات
LC4512V-35F256C
Lattice Semiconductor Corporation

LC4512V-35F256C

جزء الأسهم: 7549

نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 3.5ns, توريد الجهد - داخلي: 3V ~ 3.6V, عدد عناصر / كتل المنطق: 32, عدد الخلايا الكبيرة: 512,

قائمة الرغبات
M4A3-256/192-12FAI
Lattice Semiconductor Corporation

M4A3-256/192-12FAI

جزء الأسهم: 7709

نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 12.0ns, توريد الجهد - داخلي: 3V ~ 3.6V, عدد الخلايا الكبيرة: 256,

قائمة الرغبات
LC4256V-75TN176I
Lattice Semiconductor Corporation

LC4256V-75TN176I

جزء الأسهم: 2558

نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 7.5ns, توريد الجهد - داخلي: 3V ~ 3.6V, عدد عناصر / كتل المنطق: 16, عدد الخلايا الكبيرة: 256,

قائمة الرغبات
M4A3-256/192-10FAI
Lattice Semiconductor Corporation

M4A3-256/192-10FAI

جزء الأسهم: 7703

نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 10.0ns, توريد الجهد - داخلي: 3V ~ 3.6V, عدد الخلايا الكبيرة: 256,

قائمة الرغبات
M4A3-384/192-12FAI
Lattice Semiconductor Corporation

M4A3-384/192-12FAI

جزء الأسهم: 7807

نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 12.0ns, توريد الجهد - داخلي: 3V ~ 3.6V, عدد الخلايا الكبيرة: 384,

قائمة الرغبات
LC4384C-75F256I
Lattice Semiconductor Corporation

LC4384C-75F256I

جزء الأسهم: 7489

نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 7.5ns, توريد الجهد - داخلي: 1.65V ~ 1.95V, عدد عناصر / كتل المنطق: 24, عدد الخلايا الكبيرة: 384,

قائمة الرغبات
M4A3-128/64-55VC
Lattice Semiconductor Corporation

M4A3-128/64-55VC

جزء الأسهم: 7579

نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 5.5ns, توريد الجهد - داخلي: 3V ~ 3.6V, عدد الخلايا الكبيرة: 128,

قائمة الرغبات
LC4256V-75TN144E
Lattice Semiconductor Corporation

LC4256V-75TN144E

جزء الأسهم: 2580

نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 7.5ns, توريد الجهد - داخلي: 3V ~ 3.6V, عدد عناصر / كتل المنطق: 16, عدد الخلايا الكبيرة: 256,

قائمة الرغبات
M4A3-32/32-7VI
Lattice Semiconductor Corporation

M4A3-32/32-7VI

جزء الأسهم: 7788

نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 7.5ns, توريد الجهد - داخلي: 3V ~ 3.6V, عدد الخلايا الكبيرة: 32,

قائمة الرغبات
LC4256V-75FTN256AC
Lattice Semiconductor Corporation

LC4256V-75FTN256AC

جزء الأسهم: 3295

نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 7.5ns, توريد الجهد - داخلي: 3V ~ 3.6V, عدد عناصر / كتل المنطق: 16, عدد الخلايا الكبيرة: 256,

قائمة الرغبات
M4A3-256/160-10YNC
Lattice Semiconductor Corporation

M4A3-256/160-10YNC

جزء الأسهم: 2953

نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 10.0ns, توريد الجهد - داخلي: 3V ~ 3.6V, عدد الخلايا الكبيرة: 256,

قائمة الرغبات
LC4256V-3TN176C
Lattice Semiconductor Corporation

LC4256V-3TN176C

جزء الأسهم: 2017

نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 3.0ns, توريد الجهد - داخلي: 3V ~ 3.6V, عدد عناصر / كتل المنطق: 16, عدد الخلايا الكبيرة: 256,

قائمة الرغبات
M4A3-256/128-10YNC
Lattice Semiconductor Corporation

M4A3-256/128-10YNC

جزء الأسهم: 3412

نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 10.0ns, توريد الجهد - داخلي: 3V ~ 3.6V, عدد الخلايا الكبيرة: 256,

قائمة الرغبات
LC4256ZC-75TN100E
Lattice Semiconductor Corporation

LC4256ZC-75TN100E

جزء الأسهم: 3853

نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 7.5ns, توريد الجهد - داخلي: 1.7V ~ 1.9V, عدد عناصر / كتل المنطق: 16, عدد الخلايا الكبيرة: 256,

قائمة الرغبات
M4A3-32/32-5VC
Lattice Semiconductor Corporation

M4A3-32/32-5VC

جزء الأسهم: 7738

نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 5.0ns, توريد الجهد - داخلي: 3V ~ 3.6V, عدد الخلايا الكبيرة: 32,

قائمة الرغبات
LC4256V-75FTN256AI
Lattice Semiconductor Corporation

LC4256V-75FTN256AI

جزء الأسهم: 2662

نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 7.5ns, توريد الجهد - داخلي: 3V ~ 3.6V, عدد عناصر / كتل المنطق: 16, عدد الخلايا الكبيرة: 256,

قائمة الرغبات
ISPLSI 2128VE-250LT100
Lattice Semiconductor Corporation

ISPLSI 2128VE-250LT100

جزء الأسهم: 7456

نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 4.0ns, توريد الجهد - داخلي: 3V ~ 3.6V, عدد عناصر / كتل المنطق: 32, عدد الخلايا الكبيرة: 128, عدد البوابات: 6000,

قائمة الرغبات
M4A3-384/192-65FAC
Lattice Semiconductor Corporation

M4A3-384/192-65FAC

جزء الأسهم: 7869

نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 6.5ns, توريد الجهد - داخلي: 3V ~ 3.6V, عدد الخلايا الكبيرة: 384,

قائمة الرغبات
M4A3-128/64-7VC
Lattice Semiconductor Corporation

M4A3-128/64-7VC

جزء الأسهم: 7545

نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 7.5ns, توريد الجهد - داخلي: 3V ~ 3.6V, عدد الخلايا الكبيرة: 128,

قائمة الرغبات
M4A3-64/32-12JI
Lattice Semiconductor Corporation

M4A3-64/32-12JI

جزء الأسهم: 7946

نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 12.0ns, توريد الجهد - داخلي: 3V ~ 3.6V, عدد الخلايا الكبيرة: 64,

قائمة الرغبات
LC4128V-5TN144I
Lattice Semiconductor Corporation

LC4128V-5TN144I

جزء الأسهم: 3188

نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 5.0ns, توريد الجهد - داخلي: 3V ~ 3.6V, عدد عناصر / كتل المنطق: 8, عدد الخلايا الكبيرة: 128,

قائمة الرغبات
M4A3-64/32-7JI
Lattice Semiconductor Corporation

M4A3-64/32-7JI

جزء الأسهم: 7984

نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 7.5ns, توريد الجهد - داخلي: 3V ~ 3.6V, عدد الخلايا الكبيرة: 64,

قائمة الرغبات
M4A5-192/96-10VNC
Lattice Semiconductor Corporation

M4A5-192/96-10VNC

جزء الأسهم: 2563

نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 10.0ns, توريد الجهد - داخلي: 4.75V ~ 5.25V, عدد الخلايا الكبيرة: 192,

قائمة الرغبات
M4A3-64/64-10VC
Lattice Semiconductor Corporation

M4A3-64/64-10VC

جزء الأسهم: 7999

نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 10.0ns, توريد الجهد - داخلي: 3V ~ 3.6V, عدد الخلايا الكبيرة: 64,

قائمة الرغبات
LAMXO2280E-3TN100E
Lattice Semiconductor Corporation

LAMXO2280E-3TN100E

جزء الأسهم: 2961

نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 5.1ns, توريد الجهد - داخلي: 1.14V ~ 1.26V, عدد الخلايا الكبيرة: 1140,

قائمة الرغبات
M4A3-512/192-10FAI
Lattice Semiconductor Corporation

M4A3-512/192-10FAI

جزء الأسهم: 7838

نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 10.0ns, توريد الجهد - داخلي: 3V ~ 3.6V, عدد الخلايا الكبيرة: 512,

قائمة الرغبات
M4A3-512/192-12FAC
Lattice Semiconductor Corporation

M4A3-512/192-12FAC

جزء الأسهم: 7859

نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 12.0ns, توريد الجهد - داخلي: 3V ~ 3.6V, عدد الخلايا الكبيرة: 512,

قائمة الرغبات
LC4256ZC-75MN132I
Lattice Semiconductor Corporation

LC4256ZC-75MN132I

جزء الأسهم: 2820

نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 7.5ns, توريد الجهد - داخلي: 1.7V ~ 1.9V, عدد عناصر / كتل المنطق: 16, عدد الخلايا الكبيرة: 256,

قائمة الرغبات