Menu
العربيةالعربية
rfqs / order.
0rfqs / order.

مدمج - CPLDs (أجهزة منطقية قابلة للبرمجة المعقدة)

  • منزل، بيت
  •  
  • مدمج - CPLDs (أجهزة منطقية قابلة للبرمجة المعقدة)
M4A3-64/32-12VI
Lattice Semiconductor Corporation

M4A3-64/32-12VI

جزء الأسهم: 7932

نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 12.0ns, توريد الجهد - داخلي: 3V ~ 3.6V, عدد الخلايا الكبيرة: 64,

قائمة الرغبات
M4A3-32/32-12VI48
Lattice Semiconductor Corporation

M4A3-32/32-12VI48

جزء الأسهم: 7739

نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 12.0ns, توريد الجهد - داخلي: 3V ~ 3.6V, عدد الخلايا الكبيرة: 32,

قائمة الرغبات
M4A3-128/64-7VNI
Lattice Semiconductor Corporation

M4A3-128/64-7VNI

جزء الأسهم: 3839

نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 7.5ns, توريد الجهد - داخلي: 3V ~ 3.6V, عدد الخلايا الكبيرة: 128,

قائمة الرغبات
LC4128V-27TN144C
Lattice Semiconductor Corporation

LC4128V-27TN144C

جزء الأسهم: 3177

نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 2.7ns, توريد الجهد - داخلي: 3V ~ 3.6V, عدد عناصر / كتل المنطق: 8, عدد الخلايا الكبيرة: 128,

قائمة الرغبات
ISPLSI 2192VE-180LT128I
Lattice Semiconductor Corporation

ISPLSI 2192VE-180LT128I

جزء الأسهم: 7428

نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 5.0ns, توريد الجهد - داخلي: 3V ~ 3.6V, عدد عناصر / كتل المنطق: 48, عدد الخلايا الكبيرة: 192, عدد البوابات: 8000,

قائمة الرغبات
M4A3-32/32-12JI
Lattice Semiconductor Corporation

M4A3-32/32-12JI

جزء الأسهم: 7727

نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 12.0ns, توريد الجهد - داخلي: 3V ~ 3.6V, عدد الخلايا الكبيرة: 32,

قائمة الرغبات
LC4128V-75TN144E
Lattice Semiconductor Corporation

LC4128V-75TN144E

جزء الأسهم: 3983

نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 7.5ns, توريد الجهد - داخلي: 3V ~ 3.6V, عدد عناصر / كتل المنطق: 8, عدد الخلايا الكبيرة: 128,

قائمة الرغبات
ISPLSI 2192VE-100LT128
Lattice Semiconductor Corporation

ISPLSI 2192VE-100LT128

جزء الأسهم: 7400

نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 10.0ns, توريد الجهد - داخلي: 3V ~ 3.6V, عدد عناصر / كتل المنطق: 48, عدد الخلايا الكبيرة: 192, عدد البوابات: 8000,

قائمة الرغبات
M4A3-256/128-65YC
Lattice Semiconductor Corporation

M4A3-256/128-65YC

جزء الأسهم: 7668

نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 6.5ns, توريد الجهد - داخلي: 3V ~ 3.6V, عدد الخلايا الكبيرة: 256,

قائمة الرغبات
LA4128V-75TN144E
Lattice Semiconductor Corporation

LA4128V-75TN144E

جزء الأسهم: 3697

نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 7.5ns, توريد الجهد - داخلي: 3V ~ 3.6V, عدد الخلايا الكبيرة: 128,

قائمة الرغبات
LC4256ZC-45TN100C
Lattice Semiconductor Corporation

LC4256ZC-45TN100C

جزء الأسهم: 3878

نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 4.5ns, توريد الجهد - داخلي: 1.7V ~ 1.9V, عدد عناصر / كتل المنطق: 16, عدد الخلايا الكبيرة: 256,

قائمة الرغبات
M4A3-64/32-10JC
Lattice Semiconductor Corporation

M4A3-64/32-10JC

جزء الأسهم: 7937

نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 10.0ns, توريد الجهد - داخلي: 3V ~ 3.6V, عدد الخلايا الكبيرة: 64,

قائمة الرغبات
M4A3-32/32-7JI
Lattice Semiconductor Corporation

M4A3-32/32-7JI

جزء الأسهم: 7799

نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 7.5ns, توريد الجهد - داخلي: 3V ~ 3.6V, عدد الخلايا الكبيرة: 32,

قائمة الرغبات
M4A3-128/64-12VI
Lattice Semiconductor Corporation

M4A3-128/64-12VI

جزء الأسهم: 7527

نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 12.0ns, توريد الجهد - داخلي: 3V ~ 3.6V, عدد الخلايا الكبيرة: 128,

قائمة الرغبات
ISPLSI 2192VE-135LTN128
Lattice Semiconductor Corporation

ISPLSI 2192VE-135LTN128

جزء الأسهم: 3269

نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 7.5ns, توريد الجهد - داخلي: 3V ~ 3.6V, عدد عناصر / كتل المنطق: 48, عدد الخلايا الكبيرة: 192, عدد البوابات: 8000,

قائمة الرغبات
LC4256V-75TN144C
Lattice Semiconductor Corporation

LC4256V-75TN144C

جزء الأسهم: 3638

نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 7.5ns, توريد الجهد - داخلي: 3V ~ 3.6V, عدد عناصر / كتل المنطق: 16, عدد الخلايا الكبيرة: 256,

قائمة الرغبات
LA4128ZC-75TN100E
Lattice Semiconductor Corporation

LA4128ZC-75TN100E

جزء الأسهم: 4107

نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 7.5ns, توريد الجهد - داخلي: 1.7V ~ 1.9V, عدد الخلايا الكبيرة: 128,

قائمة الرغبات
M4A3-192/96-12VI
Lattice Semiconductor Corporation

M4A3-192/96-12VI

جزء الأسهم: 1841

نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 12.0ns, توريد الجهد - داخلي: 3V ~ 3.6V, عدد الخلايا الكبيرة: 192,

قائمة الرغبات
M4A5-128/64-7YNI
Lattice Semiconductor Corporation

M4A5-128/64-7YNI

جزء الأسهم: 1854

نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 7.5ns, توريد الجهد - داخلي: 4.5V ~ 5.5V, عدد الخلايا الكبيرة: 128,

قائمة الرغبات
M4A3-32/32-7JC
Lattice Semiconductor Corporation

M4A3-32/32-7JC

جزء الأسهم: 7755

نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 7.5ns, توريد الجهد - داخلي: 3V ~ 3.6V, عدد الخلايا الكبيرة: 32,

قائمة الرغبات
LA4128V-75TN128E
Lattice Semiconductor Corporation

LA4128V-75TN128E

جزء الأسهم: 3828

نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 7.5ns, توريد الجهد - داخلي: 3V ~ 3.6V, عدد الخلايا الكبيرة: 128,

قائمة الرغبات
M4A3-192/96-10VC
Lattice Semiconductor Corporation

M4A3-192/96-10VC

جزء الأسهم: 7523

نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 10.0ns, توريد الجهد - داخلي: 3V ~ 3.6V, عدد الخلايا الكبيرة: 192,

قائمة الرغبات
M4A3-64/32-55JC
Lattice Semiconductor Corporation

M4A3-64/32-55JC

جزء الأسهم: 7935

نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 5.5ns, توريد الجهد - داخلي: 3V ~ 3.6V, عدد الخلايا الكبيرة: 64,

قائمة الرغبات
M4A3-256/128-7YC
Lattice Semiconductor Corporation

M4A3-256/128-7YC

جزء الأسهم: 7675

نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 7.5ns, توريد الجهد - داخلي: 3V ~ 3.6V, عدد الخلايا الكبيرة: 256,

قائمة الرغبات
M4A3-64/32-7VI48
Lattice Semiconductor Corporation

M4A3-64/32-7VI48

جزء الأسهم: 8007

نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 7.5ns, توريد الجهد - داخلي: 3V ~ 3.6V, عدد الخلايا الكبيرة: 64,

قائمة الرغبات
M4A3-64/32-7VI
Lattice Semiconductor Corporation

M4A3-64/32-7VI

جزء الأسهم: 8020

نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 7.5ns, توريد الجهد - داخلي: 3V ~ 3.6V, عدد الخلايا الكبيرة: 64,

قائمة الرغبات
LC4384C-5F256I
Lattice Semiconductor Corporation

LC4384C-5F256I

جزء الأسهم: 7547

نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 5.0ns, توريد الجهد - داخلي: 1.65V ~ 1.95V, عدد عناصر / كتل المنطق: 24, عدد الخلايا الكبيرة: 384,

قائمة الرغبات
M4A3-192/96-7VI
Lattice Semiconductor Corporation

M4A3-192/96-7VI

جزء الأسهم: 243

نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 7.5ns, توريد الجهد - داخلي: 3V ~ 3.6V, عدد الخلايا الكبيرة: 192,

قائمة الرغبات
LC4256ZC-75TN176E
Lattice Semiconductor Corporation

LC4256ZC-75TN176E

جزء الأسهم: 3503

نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 7.5ns, توريد الجهد - داخلي: 1.7V ~ 1.9V, عدد عناصر / كتل المنطق: 16, عدد الخلايا الكبيرة: 256,

قائمة الرغبات
M4A3-256/128-10FAI
Lattice Semiconductor Corporation

M4A3-256/128-10FAI

جزء الأسهم: 7607

نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 10.0ns, توريد الجهد - داخلي: 3V ~ 3.6V, عدد الخلايا الكبيرة: 256,

قائمة الرغبات
LC4128ZC-75TN100E
Lattice Semiconductor Corporation

LC4128ZC-75TN100E

جزء الأسهم: 4071

نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 7.5ns, توريد الجهد - داخلي: 1.7V ~ 1.9V, عدد عناصر / كتل المنطق: 8, عدد الخلايا الكبيرة: 128,

قائمة الرغبات
LC4128ZC-75MN132I
Lattice Semiconductor Corporation

LC4128ZC-75MN132I

جزء الأسهم: 4135

نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 7.5ns, توريد الجهد - داخلي: 1.7V ~ 1.9V, عدد عناصر / كتل المنطق: 8, عدد الخلايا الكبيرة: 128,

قائمة الرغبات
LC4256V-10FTN256AI
Lattice Semiconductor Corporation

LC4256V-10FTN256AI

جزء الأسهم: 3564

نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 10.0ns, توريد الجهد - داخلي: 3V ~ 3.6V, عدد عناصر / كتل المنطق: 16, عدد الخلايا الكبيرة: 256,

قائمة الرغبات
M4A3-256/128-7YNC
Lattice Semiconductor Corporation

M4A3-256/128-7YNC

جزء الأسهم: 2524

نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 7.5ns, توريد الجهد - داخلي: 3V ~ 3.6V, عدد الخلايا الكبيرة: 256,

قائمة الرغبات
M4A3-192/96-10VNI
Lattice Semiconductor Corporation

M4A3-192/96-10VNI

جزء الأسهم: 3767

نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 10.0ns, توريد الجهد - داخلي: 3V ~ 3.6V, عدد الخلايا الكبيرة: 192,

قائمة الرغبات
M4A3-512/192-10FAC
Lattice Semiconductor Corporation

M4A3-512/192-10FAC

جزء الأسهم: 7851

نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 10.0ns, توريد الجهد - داخلي: 3V ~ 3.6V, عدد الخلايا الكبيرة: 512,

قائمة الرغبات