Menu
العربيةالعربية
rfqs / order.
0rfqs / order.

مدمج - CPLDs (أجهزة منطقية قابلة للبرمجة المعقدة)

  • منزل، بيت
  •  
  • مدمج - CPLDs (أجهزة منطقية قابلة للبرمجة المعقدة)
M4A3-64/64-12VI
Lattice Semiconductor Corporation

M4A3-64/64-12VI

جزء الأسهم: 8061

نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 12.0ns, توريد الجهد - داخلي: 3V ~ 3.6V, عدد الخلايا الكبيرة: 64,

قائمة الرغبات
M4A3-64/32-7VC
Lattice Semiconductor Corporation

M4A3-64/32-7VC

جزء الأسهم: 8011

نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 7.5ns, توريد الجهد - داخلي: 3V ~ 3.6V, عدد الخلايا الكبيرة: 64,

قائمة الرغبات
M4A3-256/160-7YNC
Lattice Semiconductor Corporation

M4A3-256/160-7YNC

جزء الأسهم: 2216

نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 7.5ns, توريد الجهد - داخلي: 3V ~ 3.6V, عدد الخلايا الكبيرة: 256,

قائمة الرغبات
LC4256V-5TN176C
Lattice Semiconductor Corporation

LC4256V-5TN176C

جزء الأسهم: 2526

نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 5.0ns, توريد الجهد - داخلي: 3V ~ 3.6V, عدد عناصر / كتل المنطق: 16, عدد الخلايا الكبيرة: 256,

قائمة الرغبات
M4A3-32/32-12VI
Lattice Semiconductor Corporation

M4A3-32/32-12VI

جزء الأسهم: 7767

نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 12.0ns, توريد الجهد - داخلي: 3V ~ 3.6V, عدد الخلايا الكبيرة: 32,

قائمة الرغبات
LC4256V-5FTN256AI
Lattice Semiconductor Corporation

LC4256V-5FTN256AI

جزء الأسهم: 1904

نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 5.0ns, توريد الجهد - داخلي: 3V ~ 3.6V, عدد عناصر / كتل المنطق: 16, عدد الخلايا الكبيرة: 256,

قائمة الرغبات
M4A3-192/96-6VNC
Lattice Semiconductor Corporation

M4A3-192/96-6VNC

جزء الأسهم: 2389

نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 6.0ns, توريد الجهد - داخلي: 3V ~ 3.6V, عدد الخلايا الكبيرة: 192,

قائمة الرغبات
LC4256V-75TN176E
Lattice Semiconductor Corporation

LC4256V-75TN176E

جزء الأسهم: 2549

نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 7.5ns, توريد الجهد - داخلي: 3V ~ 3.6V, عدد عناصر / كتل المنطق: 16, عدد الخلايا الكبيرة: 256,

قائمة الرغبات
M4A3-192/96-12FANI
Lattice Semiconductor Corporation

M4A3-192/96-12FANI

جزء الأسهم: 3738

نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 12.0ns, توريد الجهد - داخلي: 3V ~ 3.6V, عدد الخلايا الكبيرة: 192,

قائمة الرغبات
M4A3-256/128-12YNI
Lattice Semiconductor Corporation

M4A3-256/128-12YNI

جزء الأسهم: 2585

نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 12.0ns, توريد الجهد - داخلي: 3V ~ 3.6V, عدد الخلايا الكبيرة: 256,

قائمة الرغبات
M4A3-64/64-7VC
Lattice Semiconductor Corporation

M4A3-64/64-7VC

جزء الأسهم: 8004

نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 7.5ns, توريد الجهد - داخلي: 3V ~ 3.6V, عدد الخلايا الكبيرة: 64,

قائمة الرغبات
M4A3-64/32-12VI48
Lattice Semiconductor Corporation

M4A3-64/32-12VI48

جزء الأسهم: 8002

نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 12.0ns, توريد الجهد - داخلي: 3V ~ 3.6V, عدد الخلايا الكبيرة: 64,

قائمة الرغبات
M4A3-384/192-12FANC
Lattice Semiconductor Corporation

M4A3-384/192-12FANC

جزء الأسهم: 2207

نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 12.0ns, توريد الجهد - داخلي: 3V ~ 3.6V, عدد الخلايا الكبيرة: 384,

قائمة الرغبات
M4A3-32/32-5VC48
Lattice Semiconductor Corporation

M4A3-32/32-5VC48

جزء الأسهم: 7792

نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 5.0ns, توريد الجهد - داخلي: 3V ~ 3.6V, عدد الخلايا الكبيرة: 32,

قائمة الرغبات
M4A3-192/96-7VC
Lattice Semiconductor Corporation

M4A3-192/96-7VC

جزء الأسهم: 7590

نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 7.5ns, توريد الجهد - داخلي: 3V ~ 3.6V, عدد الخلايا الكبيرة: 192,

قائمة الرغبات
M4A3-192/96-7VNC
Lattice Semiconductor Corporation

M4A3-192/96-7VNC

جزء الأسهم: 3704

نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 7.5ns, توريد الجهد - داخلي: 3V ~ 3.6V, عدد الخلايا الكبيرة: 192,

قائمة الرغبات
LC4256V-5TN100C
Lattice Semiconductor Corporation

LC4256V-5TN100C

جزء الأسهم: 2661

نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 5.0ns, توريد الجهد - داخلي: 3V ~ 3.6V, عدد عناصر / كتل المنطق: 16, عدد الخلايا الكبيرة: 256,

قائمة الرغبات
M4A5-128/64-7VNC
Lattice Semiconductor Corporation

M4A5-128/64-7VNC

جزء الأسهم: 2459

نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 7.5ns, توريد الجهد - داخلي: 4.75V ~ 5.25V, عدد الخلايا الكبيرة: 128,

قائمة الرغبات
M4A3-64/32-10VC48
Lattice Semiconductor Corporation

M4A3-64/32-10VC48

جزء الأسهم: 7879

نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 10.0ns, توريد الجهد - داخلي: 3V ~ 3.6V, عدد الخلايا الكبيرة: 64,

قائمة الرغبات
LAMXO2280E-3FTN256E
Lattice Semiconductor Corporation

LAMXO2280E-3FTN256E

جزء الأسهم: 2614

نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 5.1ns, توريد الجهد - داخلي: 1.14V ~ 1.26V, عدد الخلايا الكبيرة: 1140,

قائمة الرغبات
M4A3-256/160-10YI
Lattice Semiconductor Corporation

M4A3-256/160-10YI

جزء الأسهم: 7683

نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 10.0ns, توريد الجهد - داخلي: 3V ~ 3.6V, عدد الخلايا الكبيرة: 256,

قائمة الرغبات
M4A3-256/128-12FANI
Lattice Semiconductor Corporation

M4A3-256/128-12FANI

جزء الأسهم: 3324

نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 12.0ns, توريد الجهد - داخلي: 3V ~ 3.6V, عدد الخلايا الكبيرة: 256,

قائمة الرغبات
ISPLSI 2192VE-135LT128
Lattice Semiconductor Corporation

ISPLSI 2192VE-135LT128

جزء الأسهم: 7449

نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 7.5ns, توريد الجهد - داخلي: 3V ~ 3.6V, عدد عناصر / كتل المنطق: 48, عدد الخلايا الكبيرة: 192, عدد البوابات: 8000,

قائمة الرغبات
M4A5-128/64-55YNC
Lattice Semiconductor Corporation

M4A5-128/64-55YNC

جزء الأسهم: 1855

نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 5.5ns, توريد الجهد - داخلي: 4.75V ~ 5.25V, عدد الخلايا الكبيرة: 128,

قائمة الرغبات
LC4256V-75TN100I
Lattice Semiconductor Corporation

LC4256V-75TN100I

جزء الأسهم: 2602

نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 7.5ns, توريد الجهد - داخلي: 3V ~ 3.6V, عدد عناصر / كتل المنطق: 16, عدد الخلايا الكبيرة: 256,

قائمة الرغبات
M4A3-32/32-10VI
Lattice Semiconductor Corporation

M4A3-32/32-10VI

جزء الأسهم: 7726

نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 10.0ns, توريد الجهد - داخلي: 3V ~ 3.6V, عدد الخلايا الكبيرة: 32,

قائمة الرغبات
LC4256V-75TN100E
Lattice Semiconductor Corporation

LC4256V-75TN100E

جزء الأسهم: 2407

نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 7.5ns, توريد الجهد - داخلي: 3V ~ 3.6V, عدد عناصر / كتل المنطق: 16, عدد الخلايا الكبيرة: 256,

قائمة الرغبات
ISPLSI 2192VE-225LT128
Lattice Semiconductor Corporation

ISPLSI 2192VE-225LT128

جزء الأسهم: 7432

نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 4.0ns, توريد الجهد - داخلي: 3V ~ 3.6V, عدد عناصر / كتل المنطق: 48, عدد الخلايا الكبيرة: 192, عدد البوابات: 8000,

قائمة الرغبات
LC4384C-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation

LC4384C-5F256C

جزء الأسهم: 7443

نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 5.0ns, توريد الجهد - داخلي: 1.65V ~ 1.95V, عدد عناصر / كتل المنطق: 24, عدد الخلايا الكبيرة: 384,

قائمة الرغبات
M4A3-32/32-5JC
Lattice Semiconductor Corporation

M4A3-32/32-5JC

جزء الأسهم: 7718

نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 5.0ns, توريد الجهد - داخلي: 3V ~ 3.6V, عدد الخلايا الكبيرة: 32,

قائمة الرغبات
M4A3-256/128-7YI
Lattice Semiconductor Corporation

M4A3-256/128-7YI

جزء الأسهم: 1798

نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 7.5ns, توريد الجهد - داخلي: 3V ~ 3.6V, عدد الخلايا الكبيرة: 256,

قائمة الرغبات
LC4256V-5FTN256BC
Lattice Semiconductor Corporation

LC4256V-5FTN256BC

جزء الأسهم: 2471

نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 5.0ns, توريد الجهد - داخلي: 3V ~ 3.6V, عدد عناصر / كتل المنطق: 16, عدد الخلايا الكبيرة: 256,

قائمة الرغبات
M4A5-96/48-10VNI
Lattice Semiconductor Corporation

M4A5-96/48-10VNI

جزء الأسهم: 3123

نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 10.0ns, توريد الجهد - داخلي: 4.5V ~ 5.5V, عدد الخلايا الكبيرة: 96,

قائمة الرغبات
M4A3-256/192-12FANI
Lattice Semiconductor Corporation

M4A3-256/192-12FANI

جزء الأسهم: 2701

نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 12.0ns, توريد الجهد - داخلي: 3V ~ 3.6V, عدد الخلايا الكبيرة: 256,

قائمة الرغبات
M4A3-256/128-7SAI
Lattice Semiconductor Corporation

M4A3-256/128-7SAI

جزء الأسهم: 3493

نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 7.5ns, توريد الجهد - داخلي: 3V ~ 3.6V, عدد الخلايا الكبيرة: 256,

قائمة الرغبات
LC4384B-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation

LC4384B-5F256C

جزء الأسهم: 7439

نوع قابل للبرمجة: In System Programmable, وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 5.0ns, توريد الجهد - داخلي: 2.3V ~ 2.7V, عدد عناصر / كتل المنطق: 24, عدد الخلايا الكبيرة: 384,

قائمة الرغبات